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落地、開工、投產(chǎn)，新一批半導(dǎo)體項(xiàng)目匯總
近日，一批半導(dǎo)體項(xiàng)目落地、開工、投產(chǎn)，涉及第三代半導(dǎo)體氮化鎵、存儲(chǔ)封測(cè)、以及硅晶圓外延片等領(lǐng)域。60億，第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落地福州近期，4個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目落地福州長(zhǎng)樂區(qū)，涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導(dǎo)體等，投資額超396億元，其中包括第三代半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目。據(jù)福州新聞網(wǎng)報(bào)道，第...
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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
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SRAM結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用
SRAM (Static RAM)，即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會(huì)丟掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元僅需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容.而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件。所以，除了價(jià)格較貴外，SRAM芯片在外形上也較大，與DRAM相比要占用更多的空間。由于外形和電氣上的差別，SRAM和DRAM是不能互換的。
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SRAM存儲(chǔ)器
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory，SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失(被稱為volatile memory)，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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存取存儲(chǔ)器
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語：Random Access Memory，縮寫：RAM)，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入(存入)或讀出(取出)信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。
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DRAM 的需求已經(jīng)減弱 內(nèi)存要降價(jià)？
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)也顯示，10 月份 PC 用 DRAM 通用產(chǎn)品(DDR4 8GB)成交價(jià)為 3.71 美元，環(huán)比降價(jià) 0.39 美元，比上一季度下降 9.51%。DRAM 自今年 1 月份起一直保持價(jià)格上升趨勢(shì)，此次是全年首次降價(jià)。TrendForce 分析認(rèn)為，隨著 PC 制造商的 DRAM 庫存水平上升，市場(chǎng)對(duì) DRAM 的需求已經(jīng)減弱。
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IC?Insights：DRAM價(jià)格將在今年第4季度回落
據(jù)全球知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)ICInsights更新的《麥克林報(bào)告》，DRAM價(jià)格在今年前八個(gè)月飆升了41%，從1月份的平均銷售價(jià)格（ASP）3.37美元上漲至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增長(zhǎng)37%（如下圖）。2019年對(duì)DRAM來說是相...
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三星開發(fā)出其業(yè)界首款基于14納米的LPDDR5X DRAM
（全球TMT2021年11月9日訊）三星宣布開發(fā)出其業(yè)界首款基于14納米的下一代移動(dòng)DRAM -- LPDDR5X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X），將引領(lǐng)超高速數(shù)據(jù)服務(wù)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 三星成功開發(fā)LPDDR5X DRAM 三星的14納米LPDDR5X在“速度、容量和省電...
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3DRAM內(nèi)存芯片。該產(chǎn)品可以與CPU、GPU核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)比傳統(tǒng)內(nèi)存條高的存儲(chǔ)密度以及帶寬。目前HBMDRAM已經(jīng)發(fā)展到了第四代，HBM3進(jìn)一步提升了單片容量以及帶寬。SK海力士表示，2020...
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綠芯工業(yè)級(jí)溫度 NVMe U.2 固態(tài)硬盤最高容量可達(dá) 7.68TB
先進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性和安全性為用戶提供高可靠性保障
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美光推出全新 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存，為消費(fèi)者提供下一代臺(tái)式電腦所需的高速度和海量帶寬
與 DDR4 內(nèi)存相比，Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高 50%，達(dá)到 4800MT/s，開箱即用的有效帶寬幾乎翻倍
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3?DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片。該產(chǎn)品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起，采用多層堆疊工藝，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)比傳統(tǒng)內(nèi)存條高的存儲(chǔ)密度以及帶寬。
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DRAM中，1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程？
DRAM制造工藝上的1x、1y、1z1z之類的代表的是什么？DRAM產(chǎn)品目前處在10-20nm工藝制造的階段，并且由于DRAM制程工藝進(jìn)入20nm以后，制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成類似1x、1y、1z的定義。1x-nm制程相當(dāng)于16~...
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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM
（全球TMT2021年10月20日訊）SK海力士宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3?DRAM。? HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術(shù)，由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價(jià)值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。...
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集邦：DRAM明年供過于求，恐進(jìn)入跌價(jià)周期
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技指出，隨著后續(xù)買方對(duì)DRAM的采購動(dòng)能收斂，加上現(xiàn)貨價(jià)格領(lǐng)跌所帶動(dòng)，第四季合約價(jià)反轉(zhuǎn)機(jī)會(huì)大，預(yù)估將下跌3～8％，結(jié)束僅三個(gè)季度的上漲周期。而在買賣雙方心理博弈之際，后續(xù)供給方的擴(kuò)產(chǎn)策略，與需求端的成長(zhǎng)力道，將成為影響2022年DRAM產(chǎn)業(yè)走勢(shì)最關(guān)鍵的因素，預(yù)期20...
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三星宣布：14納米EUV?DDR5?DRAM正式量產(chǎn)
10月12日消息，三星宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14nmDRAM。繼去年3月三星推出首款EUVDRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管JooyoungLee表示，“通過...
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三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產(chǎn)
（全球TMT2021年10月12日訊）三星宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14納米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。 “通過開拓關(guān)鍵的圖...
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內(nèi)存不再好賣，DRAM合約價(jià)格四季度跌幅將超出預(yù)期
9月23日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，在今年8月份，研究機(jī)構(gòu)就曾表示，由于供求狀況發(fā)生了變化，加之供求雙方存在較大的分歧，在三季度已經(jīng)過了一半的情況下，供求雙方仍未就三季度DRAM的合約價(jià)格達(dá)成一致。
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
本文將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DRAM工藝中存在的AA形狀扭曲和與之相關(guān)的微負(fù)載效應(yīng)與制造變量。
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供過于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌：美光確認(rèn)EUV工藝
由于供過于求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌。為了降低成本，并為內(nèi)存所需要的新應(yīng)用程序做好準(zhǔn)備，DRAM制造商正在積極轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。盡管他們承認(rèn)需要平衡DRAM的供需，但實(shí)際上他們?yōu)閿U(kuò)大生產(chǎn)能力制定了積極的計(jì)劃，因?yàn)樗麄冃枰獮榧磳⒌絹淼闹圃旒夹g(shù)提供更干凈的空間。
