1α DRAM和176層NAND是下一代內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品的重要技術(shù)突破,行業(yè)內(nèi)正在跟隨這一技術(shù)路線進(jìn)行產(chǎn)品創(chuàng)新升級(jí)。此前這兩項(xiàng)新技術(shù)在發(fā)布之時(shí)也宣布了重要產(chǎn)品的量產(chǎn)發(fā)布,例如LPDDR5等。但在近日臺(tái)北Computex展會(huì)同期,美光繼續(xù)推進(jìn)這兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)的的下放和量產(chǎn),推出了更多適用于更大終端市場(chǎng)的全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品,全面推進(jìn)PC、數(shù)據(jù)中心和汽車等應(yīng)用場(chǎng)景升級(jí)。
內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.近日發(fā)布《快步前行:美光 2021 年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告》,凸顯美光在特殊時(shí)期不但體現(xiàn)出企業(yè)韌性,更在促進(jìn)創(chuàng)新、人、社區(qū)和制造等方面取得長(zhǎng)足進(jìn)展。
應(yīng)用材料公司今天宣布推出一系列材料工程解決方案,為存儲(chǔ)客戶提供三種全新進(jìn)一步微縮DRAM的方法,并加速改善芯片性能、功率、面積、成本和上市時(shí)間(即:PPACt)。
近年來(lái)在DRAM的工藝節(jié)點(diǎn)上,美光一直處于先行者的位置。近期在第四代DRAM工藝制程的研發(fā)中,美光也率先實(shí)現(xiàn)了突破并開(kāi)始量產(chǎn)1α DRAM產(chǎn)品。
Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國(guó)品牌英文縮寫(xiě)"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第三大DRAM制造商,也在整個(gè)半導(dǎo)體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設(shè)在中國(guó)無(wú)錫的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)完全使用中國(guó)生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。近年來(lái)SRAM在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。
“我們對(duì)于未來(lái)充滿了信心,因?yàn)樵诿拦獬^(guò)40年的歷史當(dāng)中,現(xiàn)在是史上首次,不管是在DRAM技術(shù)還是在NAND的技術(shù)上,我們同時(shí)實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先?!?/p>
進(jìn)一步鞏固了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位
美光進(jìn)一步鞏固了在DRAM和NAND領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位!
美光科技2020年推出的LPDDR5、GDDR6X、176層3D NAND引領(lǐng)了內(nèi)存和存儲(chǔ)的進(jìn)化。展望未來(lái),內(nèi)存和存儲(chǔ)的區(qū)別將越來(lái)越模糊,在2021年,將看到企業(yè)正在尋求新型解決方案,例如存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存和內(nèi)存虛擬化,以進(jìn)一步釋放AI及激增的數(shù)據(jù)量帶來(lái)的價(jià)值。
當(dāng)大家同時(shí)面對(duì)DRAM、SDRAM以及DDR SDRAM時(shí),大家能夠很快的反應(yīng)出來(lái)每一個(gè)都是什么嗎?本文中,小編將對(duì)這些概念加以介紹。
為增進(jìn)大家對(duì)DRAM的了解,本文將對(duì)DRAM工作原理以及DRAM和NAND之間的區(qū)別加以介紹。
本文將基于兩點(diǎn)對(duì)DRAM予以介紹:1.DRAM的組織方式介紹,2.DRAM模塊介紹。
DRAM作為PC必備器件之一,大家自然對(duì)DRAM較為熟悉。但是,大家知道DRAM存儲(chǔ)具有哪些分類嗎?大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來(lái)的嗎?
DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢?DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢?
DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一,大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是,大家真的了解DRAM嗎?DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢?DRAM的工作原理是什么呢?
內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用閃存存儲(chǔ)(UFS)多芯片封裝產(chǎn)品 uMCP5。
你知道作為DRAM的突破性替代產(chǎn)品的英特爾傲騰持久內(nèi)存嗎?2020年8月20日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英特爾?傲騰?持久內(nèi)存,作為DRAM經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的替代產(chǎn)品。英特爾傲騰持久內(nèi)存將容量大幅提升到了最高512 GB,同時(shí)提高了性能與效率,可支持內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)、分析工具和內(nèi)容交付網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。
關(guān)于不同DRAM,可以混搭嗎?電腦 DIY 用戶常會(huì)遇到一種情況:想換新的DRAM模塊,但可能還有另外一塊 DRAM,擔(dān)心兩塊互不兼容。那么,不同世代、不同速度、延時(shí)、電壓或制造商的DRAM能否混合搭配起來(lái)使用呢? 全球最大的內(nèi)存制造商之一Micron美光旗下品牌,Crucial英睿達(dá)擁有24年的內(nèi)存與存儲(chǔ)先進(jìn)經(jīng)驗(yàn),以下是英睿達(dá)專家就上述問(wèn)題提出的建議:
你知道SDR和DDR嗎?它們有什么不同?傳統(tǒng)的 SDR SDRAM 只能在信號(hào)的上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,而 DDR SDRAM 卻可以在信號(hào)的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,所以 DDR 內(nèi)存在每個(gè)時(shí)鐘周期都可以完成兩倍于 SDRAM 的數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來(lái)說(shuō),DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。