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IGBT的主要參數(shù)及其工作原理
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。
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IGBT功率半導(dǎo)體器件主要參數(shù)
如果正輸入電壓通過(guò)柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù)，則會(huì)關(guān)閉電路應(yīng)用。
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如何并聯(lián)使用IGBT？電流計(jì)算公式+影響圖例！
一直以來(lái)，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)IGBT并聯(lián)使用的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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基于EXB841，你知道如何設(shè)計(jì)IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路嗎？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路予以介紹，如果IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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如何檢測(cè)比亞迪高壓電控總成IGBT模塊？
在這篇文章中，小編將詳細(xì)分析如何檢測(cè)比亞迪高壓電控總成IGBT模塊，以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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IGBT硬并聯(lián)存在哪些技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)？你知道優(yōu)化IGBT硬并聯(lián)的技術(shù)方案嗎？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT硬并聯(lián)技術(shù)優(yōu)化方案予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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工頻變壓器中如何輸出正負(fù)電壓
隨著電子技術(shù)的提高，以及電子產(chǎn)品的發(fā)展，一些系統(tǒng)中經(jīng)常會(huì)需要負(fù)電壓為其供電。例如，在大功率變頻器，會(huì)使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓
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HOLTEK新推出HT45F0005A/35A電磁爐MCU
Holtek持續(xù)精進(jìn)電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開(kāi)發(fā)，再推出更具性?xún)r(jià)比的電磁爐Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源，如硬件輔助UL認(rèn)證功能、硬件I2C可與面板通信及過(guò)電流保護(hù)及臺(tái)階電壓偵測(cè)功能等，同時(shí)也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，如電磁爐所需的硬件保護(hù)電路(電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過(guò)壓保護(hù))、PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時(shí)，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，能實(shí)現(xiàn)更高能效和更佳性能
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HOLTEK新推出HT45F0006/36電磁爐MCU
Holtek針對(duì)電磁爐應(yīng)用領(lǐng)域，新推出HT45F0006/HT45F0036電磁爐Flash MCU。HT45F0006/HT45F0036提供電磁爐所需的硬件保護(hù)電路，如電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過(guò)壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)及臺(tái)階電壓偵測(cè)等。相較于前代產(chǎn)品，HT45F0006/HT45F0036提供更豐富的資源，內(nèi)建硬件輔助UL認(rèn)證功能，并提供硬件UART及I2C可用來(lái)與面板通信，同時(shí)也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，如PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時(shí)，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
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超結(jié)MOS/IGBT在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
功率器件在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導(dǎo)體IGBT系列。
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Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動(dòng)器為隔離開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供浮動(dòng)電源
提供高電壓與大電流，可驅(qū)動(dòng)不同行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET/IGBT
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TrendForce集邦咨詢(xún)：預(yù)估2023年中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴(kuò)大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)統(tǒng)計(jì)，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進(jìn)制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國(guó)大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長(zhǎng)至2027年的33%，其中以中芯國(guó)際(SMIC)、華虹集團(tuán)(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴(kuò)產(chǎn)最為積極。
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第18屆中國(guó)研究生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽全國(guó)總決賽落幕
（全球TMT2023年8月14日訊）第18屆中國(guó)研究生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽（研電賽）全國(guó)總決賽暨頒獎(jiǎng)典禮落幕。今年，來(lái)自全國(guó)53所高校的90支參賽隊(duì)伍報(bào)名了由德州儀器 (TI) 提供的企業(yè)命題，通過(guò)德州儀器行業(yè)先進(jìn)的技術(shù)方案與產(chǎn)品支持，電子工程專(zhuān)業(yè)學(xué)生們?cè)谘须娰愇枧_(tái)充分展現(xiàn)電子設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)...
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絕緣柵雙極晶體管的基本概述，在應(yīng)用上具有什么特點(diǎn)？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它不僅綜合了雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET)的優(yōu)點(diǎn)，還具備自身獨(dú)特的特性。本文將對(duì)絕緣柵雙極晶體管進(jìn)行基本概述，并介紹其在應(yīng)用上的特點(diǎn)。
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廠家有推出哪些絕緣柵雙極晶體管的系列產(chǎn)品？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，由多家廠家推出了各種系列產(chǎn)品。本文將介紹幾個(gè)知名廠家推出的主要IGBT系列產(chǎn)品，包括其特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域，為讀者了解IGBT的市場(chǎng)情況和選擇適合的產(chǎn)品提供指導(dǎo)。
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絕緣柵雙極晶體管是什么？有什么作用？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電力電子和驅(qū)動(dòng)技術(shù)中廣泛應(yīng)用。本文將介紹IGBT的基本原理、結(jié)構(gòu)組成和工作原理，并探討其在電力變換和控制中的重要作用。
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Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率
為功率電子設(shè)計(jì)人員提供帶有全額快速恢復(fù)二極管的穩(wěn)健型175℃標(biāo)準(zhǔn)IGBT。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片，保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC 和 GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)
L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。
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對(duì)比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率零組件。
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