在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT硬并聯(lián)技術(shù)優(yōu)化方案予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、IGBT硬并聯(lián)技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)

IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。MOSFET由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，與同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化 IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。

IGBT硬并聯(lián)的特點(diǎn)分析：

優(yōu)點(diǎn)：

IGBT模塊之間并聯(lián)在一起，不需要均流電抗，比較緊湊和經(jīng)濟(jì)

缺點(diǎn)：

對(duì)直流母排對(duì)稱性要求很高； 比較容易產(chǎn)生發(fā)射極環(huán)流； 功率電路與門極回路產(chǎn)生耦合。

IGBT硬并聯(lián)時(shí)的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)如下：

（1）發(fā)射極環(huán)流問(wèn)題；

（2）門極回路與功率回路產(chǎn)生耦合（門極共模環(huán)流問(wèn)題）；

（3）直流母排雜散電感不對(duì)稱產(chǎn)生的問(wèn)題；

（4）交流排雜散電感數(shù)值過(guò)大所產(chǎn)生的問(wèn)題；

（5）IGBT開通門檻電壓VGEth，開通延遲的差異所產(chǎn)生的問(wèn)題；

（6）門極回路雜散電感不對(duì)稱所產(chǎn)生的問(wèn)題；

（7）IGBT模塊并聯(lián)數(shù)增多的風(fēng)險(xiǎn)。

二、IGBT并聯(lián)技術(shù)優(yōu)化方案

CONCEPT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)技術(shù)：

1. SCALE-2芯片組使用磁隔離時(shí)，PWM信號(hào)傳輸延時(shí)為80ns±4ns，這樣的精確延遲可以確保驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)； 2. 副方芯片自身的穩(wěn)壓功能使驅(qū)動(dòng)電壓一致性得到保證；  使用了直接并聯(lián)技術(shù)的1SP0635，及1SP0335如下圖：

CONCEPT的實(shí)現(xiàn)方法：

1.SCALE-2芯片組可以實(shí)現(xiàn)，原方PWM信號(hào)至Vge的精確延時(shí)；

2.副邊15V開通電壓與-10V關(guān)斷電壓完全相同；

IGBT均流的測(cè)試方法： 靜態(tài)均流測(cè)試時(shí)，使用柔性電流探頭，測(cè)橋臂輸出電流，測(cè)量其電流有效值，考核兩橋臂一致程度。柔性電流探頭在測(cè)量I1和I2時(shí)，可能會(huì)見到下圖的情況。上面的尖刺就是流過(guò)L1，L2的換流電流。要想辦法消除。

以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容，希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁(yè)頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。