從普通串級(jí)調(diào)速原理入手,簡要分析影響串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對(duì)三相四線雙晶閘管串級(jí)調(diào)速、新型GTO串級(jí)調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級(jí)調(diào)速控制方案。
從普通串級(jí)調(diào)速原理入手,簡要分析影響串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對(duì)三相四線雙晶閘管串級(jí)調(diào)速、新型GTO串級(jí)調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級(jí)調(diào)速控制方案。
死了都要賣仙童,不賣到最好不痛快—— 歌曲《死了都要愛》松下問仙童,言師賣IGBT去,只知在飛捷,云深不只去 —— 賈島的《尋隱者不遇》 Panasonic ask fairchild ,,Where are Simon,Fairchild said 'Simon sel
經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子:技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司,你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊(cè)于2008年7月的“530”企業(yè),一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn),電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問題。由于各國政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來要求提高能效,為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn),電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢,
隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn),電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問題。由于各國政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來要求提高能效,為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn),電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢,
隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn),電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問題。由于各國政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來要求提高能效,為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn),電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來越復(fù)雜。本文討論電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的產(chǎn)品和行業(yè)趨勢,