怎樣選擇嵌入式媒體處理器

主流供應(yīng)商解析MCU產(chǎn)品市場(chǎng)技術(shù)熱點(diǎn)

MCU：雙核嶄露頭角 市場(chǎng)走向兩極化

MIPS進(jìn)軍32位單片機(jī)市場(chǎng) 滿足大規(guī)模市場(chǎng)需求

主流供應(yīng)商解析MCU產(chǎn)品市場(chǎng)技術(shù)熱點(diǎn)

主流供應(yīng)商解析MCU產(chǎn)品市場(chǎng)技術(shù)熱點(diǎn)

主流供應(yīng)商解析MCU產(chǎn)品市場(chǎng)技術(shù)熱點(diǎn)

主流供應(yīng)商解析MCU產(chǎn)品市場(chǎng)技術(shù)熱點(diǎn)

主流供應(yīng)商解析MCU產(chǎn)品市場(chǎng)技術(shù)熱點(diǎn)

R8C/Tiny系列16位微控制器新增成員（瑞薩）

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出高性能，低引腳數(shù)、16位微控制器（MCU）R8C/Tiny系列產(chǎn)品，這11款新型號(hào)產(chǎn)品（22個(gè)型號(hào)名）均帶有片上閃存，可提供1.8 V低電壓操作和改進(jìn)易用性的增強(qiáng)型閃存功能。

數(shù)字電源的特點(diǎn)與發(fā)展現(xiàn)狀

數(shù)字電源的特點(diǎn)與發(fā)展現(xiàn)狀

數(shù)字電源的特點(diǎn)與發(fā)展現(xiàn)狀

數(shù)字電源的特點(diǎn)與發(fā)展現(xiàn)狀

2007上半年中國(guó)大陸IC進(jìn)出口分析

1. 進(jìn)口增長(zhǎng)高于出口增長(zhǎng)，主要依靠進(jìn)口的局面仍將繼續(xù) 據(jù)國(guó)家海關(guān)統(tǒng)計(jì),今年上半年中國(guó)大陸集成電路進(jìn)出口繼續(xù)高速增長(zhǎng)，總進(jìn)口量和總進(jìn)口額分別為361.9億只和382.15億美元，分別同比增長(zhǎng)34.5%和19.2%，比出口量值分

基于AS8228的單相電子式電能表設(shè)計(jì)

電子式電能表在未來幾年內(nèi)將成為電能表市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，而電能表內(nèi)部的計(jì)量IC是體現(xiàn)整表性能、功能和價(jià)格的核心。

基于AS8228的單相電子式電能表設(shè)計(jì)

電子式電能表在未來幾年內(nèi)將成為電能表市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，而電能表內(nèi)部的計(jì)量IC是體現(xiàn)整表性能、功能和價(jià)格的核心。

Holtek 推出具有LCD功能的A/D型MCU

HT46CU66為盛群半導(dǎo)體(Holtek)最新一代八位MCU，符合工業(yè)規(guī)格需求，且HT46CU66具備有16Kx16 Mask程序內(nèi)存及576 Byte的一般數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

注入到消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的新活力

蘋果公司的iPhone給業(yè)界帶來了巨大的影響，并引發(fā)了在消費(fèi)類電子領(lǐng)域中對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)的新思考。在最近參加會(huì)議及拜訪公司的過程中，我強(qiáng)烈地感受到了在這個(gè)受眾廣泛的電子領(lǐng)域與新技術(shù)、新標(biāo)準(zhǔn)的互動(dòng)已發(fā)展到一個(gè)新的層

Holtek 推出具有LCD功能的A/D型MCU

HT46CU66為盛群半導(dǎo)體(Holtek)最新一代八位MCU，符合工業(yè)規(guī)格需求，且HT46CU66具備有16Kx16 Mask程序內(nèi)存及576 Byte的一般數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

Holtek 推出八位R-F型Mask版本微控制器

盛群半導(dǎo)體（Holtek）推出了HT47R10A-1的Mask版本HT47C10-1，HT47C10-1的工作電壓為2.2V~5.5V、ROM為1k*16、RAM為32 bytes、I/O最多為8埠、LCD最多可驅(qū)動(dòng)36點(diǎn)、提供一組16bits計(jì)時(shí)計(jì)數(shù)器與單一通道的R-F轉(zhuǎn)換器。

意法、飛思卡爾合作掀開新篇章，車用MCU 08年Q1將開始供貨

飛思卡爾半導(dǎo)體和意法半導(dǎo)體公布了雙方聯(lián)手開發(fā)汽車用半導(dǎo)體的進(jìn)展情況。兩公司于2006年2月宣布開始進(jìn)行聯(lián)合開發(fā)。預(yù)定于2008年第一季度開始樣品供貨最初的成果——聯(lián)合開發(fā)的MCU。該MCU采用90nm工藝制造。 在宣布將