本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術(shù),利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對(duì)LED的發(fā)光強(qiáng)度和光束性能的影響,分析結(jié)果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能;討論了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關(guān)系。最后設(shè)計(jì)r封裝的工藝流程。利用該封裝結(jié)構(gòu)可以降低芯片的封裝尺,提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機(jī)電系統(tǒng)(pMEMS)諧振器的商用振
相位解包裹是使用相移顯微干涉法測(cè)量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時(shí)的重要步驟.本文針對(duì)普通的相位解包裹方 法在復(fù)雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測(cè)量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板 的使用,先將非相容區(qū)域標(biāo)記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準(zhǔn)確可靠的相位展開結(jié)果.通過具體的應(yīng) 用實(shí)例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要靈活而準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測(cè)量中的相位展開. 關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面輪廓測(cè)量;模板;相位解包裹;邊緣
本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術(shù),利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對(duì)LED的發(fā)光強(qiáng)度和光束性能的影響,分析結(jié)果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能;討論了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關(guān)系。最后設(shè)計(jì)r封裝的工藝流程。利用該封裝結(jié)構(gòu)可以降低芯片的封裝尺,提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機(jī)電系統(tǒng)(pMEMS)諧振器的商用振蕩
第三代 iSensor(r) MEMS IMU(慣性測(cè)量單元)ADIS16488,不懼惡劣環(huán)境 北京2011年12月1日電 /美通社亞洲/ -- Analog Devices, Inc. (ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,最近正式全面推出第三代iSensor
Analog Devices, Inc. (ADI),最近正式全面推出第三代iSensor® MEMS IMU(慣性測(cè)量單元)ADIS16488,這是一款戰(zhàn)術(shù)級(jí)10自由度(DoF)傳感器 ,在單封裝中集成一個(gè)三軸陀螺儀、一個(gè)三軸加速度計(jì)、一個(gè)三軸磁力
IDT® 公司 宣布,已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機(jī)電系統(tǒng)(pMEMS)諧振器的商用振蕩器。該振蕩器利用 pMEMS 諧振器與生俱來的高頻率,使其適合在任何應(yīng)用中替代傳統(tǒng)的石英振蕩器。IDT 的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓
對(duì)設(shè)備在三維空間中的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行測(cè)量及智能處理的運(yùn)動(dòng)處理技術(shù),將是下一個(gè)重大的革命性技術(shù),會(huì)對(duì)未來的手持消費(fèi)電子設(shè)備、人機(jī)接口、及導(dǎo)航和控制產(chǎn)生重大影響。 這場(chǎng)變革的推動(dòng)力量是基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的消費(fèi)級(jí)
先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一,其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。 當(dāng)時(shí),這家位于上海市漕河涇的工廠,產(chǎn)品基本出口。 由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略,從2006年上市后到2009年,
先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一,其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時(shí),這家位于上海市漕河涇的工廠,產(chǎn)品基本出口。由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略,從2006年上市后到2009年,這
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器全面取代石英晶體振蕩器的美夢(mèng)難圓。雖然MEMS振蕩器基于與半導(dǎo)體制程和封裝技術(shù)相容而樹立低成本優(yōu)勢(shì);然而,其在溫度及相噪(Phase Noise)的整體表現(xiàn)遠(yuǎn)不及石英晶體成熟,短期內(nèi)僅能切入有線通
陀螺儀價(jià)格不斷下殺,中低階智慧型手機(jī)采用九軸微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器機(jī)會(huì)大增。由于陀螺儀單顆售價(jià)仍約落在2美元,導(dǎo)致現(xiàn)階段僅少量高階智慧型手 機(jī)內(nèi)建九軸MEMS感測(cè)器,隨著2012年陀螺儀的單價(jià)下滑到1.5美元左右,
美國MEMS產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(MIG)于2011年11月2日~3日在加利福尼亞州Monterey召開了MEMS經(jīng)理人年度大會(huì)。與會(huì)專業(yè)人士認(rèn)為,未來幾年,智能手機(jī)和汽車電子將是MEMS應(yīng)用的兩大主要市場(chǎng)。手機(jī)和平板電腦中的運(yùn)動(dòng)傳感器(加速度
1 引 言單片集成是MEMS傳感器發(fā)展的一個(gè)趨勢(shì),將傳感器結(jié)構(gòu)和接口電路集成在一塊芯片上,使它具備標(biāo)準(zhǔn)IC工藝批量制造、適合大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)勢(shì),在降低了生產(chǎn)成本的同時(shí)還減少了互連線尺寸,抑制了寄生效應(yīng),提高了電路
MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器在手機(jī)、MP3/MP4 播放器、PDA或游戲機(jī)控制器以及洗衣機(jī)或干衣機(jī)等家電設(shè)備中都有著廣泛應(yīng)用。MEMS傳感器深受運(yùn)動(dòng)、加速度、傾斜度和振動(dòng)測(cè)量市場(chǎng)的歡迎。MEMS傳感器是系統(tǒng)級(jí)封裝解決方案,具
過去,一些高端的對(duì)時(shí)間基準(zhǔn)要求很高的長(zhǎng)壽命應(yīng)用市場(chǎng)(如智能電網(wǎng)、無線通信基站、基于SONET和同步以太網(wǎng)的核心及邊緣路由器、IP時(shí)鐘和儀器)要求采用滿足三 級(jí)鐘(Stratum 3)標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)鐘產(chǎn)品,亦即這些時(shí)鐘產(chǎn)品必須滿足
石英晶體振蕩器(OCXO)一直在電子產(chǎn)品中扮演重要角色,不過,硅MEMS振蕩器憑借高性能、低成本和易用性的完美結(jié)合,正在強(qiáng)勢(shì)進(jìn)入規(guī)模達(dá)50億美元的時(shí)鐘市場(chǎng)。也許在不遠(yuǎn)的將來,我們將有望看到硅MEMS振蕩器在存儲(chǔ)服務(wù)器
引言:幾十年前我們用芯片取代了三極管,十幾年前我們用各種Memory產(chǎn)品取代了磁盤和膠卷,現(xiàn)在有公司要用基于硅MEMS的半導(dǎo)體器件取代傳統(tǒng)的石英振蕩器,這將是又一個(gè)重大的改變?nèi)祟惿罘绞降淖兏铩? 我
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器對(duì)石英振蕩器的威脅將更為全面。美商賽特時(shí)脈(SiTime)16日推出業(yè)界第一款三級(jí)鐘(Stratum 3)MEMS振蕩器,讓MEMS振蕩器取代傳統(tǒng)石英振蕩器的攻勢(shì),由以往中低階市場(chǎng),擴(kuò)大延伸至高階應(yīng)用領(lǐng)域。