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關(guān)于MOS管失效的六大原因分析
雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來(lái)考慮。具體可以參考以下的方式來(lái)處理。
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不同的LED路燈電源
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來(lái)各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。LED路燈是LED照明中一個(gè)很重要應(yīng)用。在節(jié)能省電的前提下，LED路燈取代傳統(tǒng)路燈的趨勢(shì)越來(lái)越明顯。
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LED燈不足點(diǎn)
在科技高度發(fā)展的今天，電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代越來(lái)越快，LED燈的技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的城市裝飾得五顏六色。本文主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行分析。目的是為了能夠減少M(fèi)OS管的損失。下文中主要從5個(gè)方面分析了MOS管燒不停的原因，并給出合理的處理方法。
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關(guān)于隔離電源與非隔離電源在LED驅(qū)動(dòng)中的選擇方法
其實(shí)說(shuō)白了，不是什么可靠性，而是非隔離電路對(duì)于浪涌太敏感，抑制能力差，隔離電路，因?yàn)槟芰渴窍冗M(jìn)入變壓器，然后從變壓器再輸送到LED負(fù)載的。
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MOS管的選擇方案
MOS管在生活中處處會(huì)使用到，有電子產(chǎn)品的地方就有它的身影，正確選擇MOS管是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問(wèn)題。
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MOS管使用你必須要知道的
MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
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開(kāi)關(guān)電源MOS管選用方法
MOS管最常見(jiàn)的應(yīng)用可能是電源中的開(kāi)關(guān)元件，此外，它們對(duì)電源輸出也大有裨益。服務(wù)器和通信設(shè)備等應(yīng)用一般都配置有多個(gè)并行電源，以支持N+1 冗余與持續(xù)工作 (圖1)。各并
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開(kāi)關(guān)電源MOS管怎么選？參數(shù)說(shuō)了算
在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中，開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷和開(kāi)通時(shí)間影響著開(kāi)關(guān)電源的工作效率，而MOS管的一些參數(shù)起著決定性的作用，那么MOS管的選擇又存在哪些技巧呢?由于MOS管對(duì)電路的輸出有很好的
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MOSFET學(xué)習(xí)：N溝道MOS管和P溝道MOS管
MOS/CMOS集成電路簡(jiǎn)介及N溝道MOS管和P溝道MOS管 在實(shí)際項(xiàng)目中，我們基本都用增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。 我們常用的是NMOS，因?yàn)槠鋵?dǎo)通電阻小，且容易
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電源節(jié)能雙管正激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的研究
近期令人矚目的新款航嘉多核R80電源，除了集低價(jià)、節(jié)能、穩(wěn)定、低噪音等特點(diǎn)于一身外，令玩家們感興趣的恐怕還有“雙管正激”這一先進(jìn)的拓?fù)浼軜?gòu)。事實(shí)上，不但多
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模擬又掛科了？看懂模擬運(yùn)放想掛都難
1． 模擬運(yùn)放的分類及特點(diǎn)模擬運(yùn)算放大器從誕生至今，已有40多年的歷史了。最早的工藝是采用硅NPN工藝，后來(lái)改進(jìn)為硅NPN-PNP工藝（后面稱為標(biāo)準(zhǔn)硅工藝）。在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管技
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電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管的區(qū)別
我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制. 2、成本問(wèn)題：三極管便宜，MOS管貴。 3、功耗問(wèn)題：三極管損
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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又
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納微在中國(guó)開(kāi)設(shè)GaNFast研發(fā)中心以支持創(chuàng)新
納微(Navitas)今天宣布在杭州開(kāi)設(shè)新的GaNFast研發(fā)中心，以幫助合作伙伴和客戶設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)先的電源轉(zhuǎn)換器;相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案，這些新設(shè)計(jì)能讓體積縮小50%，重量減輕50%，可為移動(dòng)應(yīng)用終端提供快3倍的充電速度
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
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開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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開(kāi)關(guān)電源中的各個(gè)元器件是如何檢驗(yàn)的？
開(kāi)關(guān)電源中的電阻、電容、電感、二極管、三極管、MOS管、電源IC、變壓器、安規(guī)電容是如何檢驗(yàn)的？
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電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路篇
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
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mos管開(kāi)關(guān)電路圖
圖中電池的正電通過(guò)開(kāi)關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的1腳柵極通過(guò)R20電阻提供一個(gè)正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過(guò)，3v穩(wěn)壓IC輸入腳得不到電壓所以就不能工作不開(kāi)機(jī)!
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