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防燒電路中的MOS管控制設(shè)計(jì)將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象,通過(guò)這篇文章,小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
在電力電子領(lǐng)域,逆變器作為將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、不間斷電源(UPS)等多個(gè)領(lǐng)域。逆變器的前級(jí)推挽輸出結(jié)構(gòu),因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、效率高而備受青睞。其中,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為重要的功率開(kāi)關(guān)元件,在推挽輸出中扮演著核心角色。本文將對(duì)逆變器前級(jí)推挽輸出中MOS管的工作原理進(jìn)行深度分析。
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管)是現(xiàn)代集成電路中不可或缺的元件之一。自1960年代問(wèn)世以來(lái),MOS管因其低功耗、高集成度、良好的溫度穩(wěn)定性和廣泛的電壓適應(yīng)性等優(yōu)點(diǎn),在集成電路設(shè)計(jì)中占據(jù)了核心地位。本文將詳細(xì)探討MOS管在集成電路中的多種應(yīng)用,包括其基本工作原理、優(yōu)點(diǎn)、具體應(yīng)用實(shí)例以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
MOS管開(kāi)通過(guò)程將是下述內(nèi)容的主要分析內(nèi)容,通過(guò)這篇文章,小編希望大家可以對(duì)MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
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一直以來(lái),MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在,小編將詳細(xì)解讀MOS管加電阻的原理,可謂全網(wǎng)最全,詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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本文中,小編將對(duì)功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐酚枰越榻B,如果你想對(duì)功率MOSFET的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí),或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度,不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
同步整流,是一種常見(jiàn)的電源管理技術(shù),通常會(huì)應(yīng)用在DC-DC直流轉(zhuǎn)換器中。它可以通過(guò)兩個(gè)MOS管來(lái)控制電流的方向,將電能傳輸給負(fù)載。
作為L(zhǎng)ED電源的一種,LED路燈電源是目前國(guó)內(nèi)照明市場(chǎng)中重要的組成環(huán)節(jié),正在逐漸取代傳統(tǒng)道路照明模式。
常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后,經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗,一般包含mos管引腳的感抗,PCB走線(xiàn)的感抗等。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)。
那么就需要讓Ib大于等于1mA,若Ib=1mA, Ic=100mA,它的放大倍數(shù)β=100,三極管完全導(dǎo)通。
漏極和源極之間沒(méi)有電流流過(guò)。當(dāng)VGS超過(guò)VTH,MOS管進(jìn)入飽和狀態(tài),此時(shí)漏極電流(ID)達(dá)到最大值,并且不隨VDS的變化而變化。
在開(kāi)始測(cè)試前,首先需要對(duì)MOS管的三個(gè)引腳進(jìn)行短接放電,以防止由于電壓差異導(dǎo)致的內(nèi)部導(dǎo)通,從而影響測(cè)試結(jié)果。
自舉電路是一種電子電路,常見(jiàn)于需要高電壓驅(qū)動(dòng)的電路中,如MOS管和功率放大器。自舉電路的核心組成部分包括一個(gè)電容和一個(gè)二極管,工作時(shí),電路通過(guò)開(kāi)關(guān)控制電容的充電和放電過(guò)程。
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