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深入解讀MOS管
MOS管，其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管。這種管子屬于場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)分類，即絕緣柵型，因此，它有時(shí)也被直接稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在電子電路中，MOS管發(fā)揮著重要的作用，常被應(yīng)用于放大電路或開關(guān)電路的構(gòu)建中。
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MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，為什么經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過程
在開關(guān)電源等高頻應(yīng)用場(chǎng)景中，MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，會(huì)經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過程。這個(gè)過程中產(chǎn)生的損耗被稱為開關(guān)損耗。
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IGBT開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的工作特性
IGBT是一個(gè)發(fā)熱源，其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會(huì)越多。而IGBT的開通與關(guān)斷并不是瞬間完成的，有開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間。
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MOS管發(fā)熱的主要原因有哪些
在開關(guān)電源中，如果MOS管的關(guān)斷和導(dǎo)通速度不夠快，也會(huì)產(chǎn)生附加的功率損耗?。
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MOS管米勒效應(yīng)詳解
?米勒效應(yīng)?是指MOS管在開關(guān)過程中，柵極和漏極之間的反向傳輸電容(Cgd)在開關(guān)作用下引起的瞬態(tài)變化現(xiàn)象。這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓和漏源電流在一段時(shí)間內(nèi)維持不變，形成一個(gè)“米勒平臺(tái)”，從而增加開關(guān)損耗，降低效率。
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一文搞定MOS管和IGBT管的區(qū)別
IGBT的工作原理結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，通過控制MOSFET的柵電壓來控制BJT的導(dǎo)通和截止。IGBT適合用于大電流、高電壓的開關(guān)任務(wù)，具有低導(dǎo)通壓降和高功率處理能力?。
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MOSFET開關(guān)管損失了解嗎？限制MOSFET開關(guān)速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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MOS管與IGBT管的區(qū)別匯總
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的功率開關(guān)器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)合等方面都存在顯著的差異。
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MOS管的基本知識(shí)匯總
MOS管的工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)，即通過控制柵極電壓來改變柵源之間的電場(chǎng)，從而控制源極和漏極之間的電流。當(dāng)柵極電壓超過一定閾值時(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體表面形成一層導(dǎo)電溝道，使源極和漏極之間導(dǎo)通。反之，當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí)，溝道消失，源極和漏極之間截止。
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如何選擇MOS管？MOS管常見2大失效原因，你知道嗎？
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如何測(cè)試mos管開關(guān)速度？mos管源極和漏極有什么區(qū)別？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)mos管的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果mos管是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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mos管插入式封裝了解嗎？MOS管產(chǎn)生尖峰的原因有哪些？
一直以來，mos管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)韒os管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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如何解決MOS管尖峰帶來的影響？如何選擇MOS管封裝？
在這篇文章中，小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)MOS管的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS管尖峰產(chǎn)生的原因是什么？如何解決MOS管尖峰
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如何選取MOS管？MOS管擊穿問題分析
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寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷有何影響？MOS管拆裝流程分享
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采用準(zhǔn)諧振技術(shù)，減少諧振現(xiàn)象對(duì)MOS管的影響
反激電源中MOS管出現(xiàn)兩次振鈴現(xiàn)象的主要原因是由于功率級(jí)寄生電容和電感引起的諧振?。
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寄生參數(shù)對(duì)MOS管有什么影響？MOS管工作狀態(tài)解讀
MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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MOS管工作原理是什么？MOS管二級(jí)效應(yīng)解讀
在這篇文章中，小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)MOS管的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS管關(guān)斷時(shí)尖峰電壓的產(chǎn)生機(jī)理與應(yīng)對(duì)策略
在現(xiàn)代電子電路中，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）因其高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用。然而，在MOS管的開關(guān)過程中，尤其是在關(guān)斷時(shí)，常常會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰現(xiàn)象，這不僅影響電路的穩(wěn)定性，還可能對(duì)MOS管造成損害。本文將深入探討MOS管關(guān)斷時(shí)尖峰電壓的產(chǎn)生機(jī)理，并提出有效的應(yīng)對(duì)策略。
