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mos管在開關(guān)電源的作用
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
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Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能
節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50%，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。
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MOS管的實際應(yīng)用和正確用法你知道嗎？
MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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RS瑞森半導(dǎo)體-大功率開關(guān)電源的應(yīng)用
根據(jù)大功率開關(guān)電源對MOS管的需求，瑞森半導(dǎo)體推薦多款不同功率滿足
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DCDC基礎(chǔ)（8）-- 同步BUCK芯片的電性能參數(shù)解讀二
按照我的理解，對于MOS管而言，灌電流就是漏極電流 Id，正常來說MOS管的漏極電流 Id遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過4mA，但是為了滿足邏輯要求，如上圖所示，CMOS輸出最大低電平必須小于輸入最大低電平，即VOL(max)我去搜了一下STM32F103C8T6的關(guān)于灌電流的描述，對于8路I/O口同時輸出低電平時，VOL
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DCDC基礎(chǔ)（4）-- 非同步BUCK電路的續(xù)流二極管是怎么確定的?
PDS760-13總功耗，包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流，瞬時傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計算。二極管的交流損耗是由于結(jié)電容的充放電和反向恢復(fù)電荷造成的。
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
多款低壓MOS產(chǎn)品應(yīng)用在九陽小家電上，瑞森半導(dǎo)體堅持“首件確認(rèn)，始終如一”的原則，成為眾多品牌的長期合作伙伴
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什么是場效應(yīng)管？mos管工作原理詳解
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。
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BUCK電源分立器件搭建原理圖實戰(zhàn)之滯回電路
我們知道MOS管需要開通快關(guān)斷快，這樣才能減少損耗，那MOS管的前級驅(qū)動電路一般情況都使用三極管推挽電路實現(xiàn)，我們先定前級驅(qū)動電路的電源是12V，我們來看一下電路是怎么搭建的。
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MOS管的Miller 效應(yīng)
MOS管的米勒效應(yīng)會在高頻開關(guān)電路中，延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
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技術(shù)參數(shù)詳解：MOS管知識最全收錄！
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。??和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變...
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MOS管及其外圍電路設(shè)計
全文框架1.柵極驅(qū)動部分常用的mos管驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后，經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給mos管驅(qū)動。其中Lk是驅(qū)動回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗，PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中，用于放大驅(qū)動信號的圖騰柱本身也是封裝在專門的驅(qū)動芯片中。本文要...
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技術(shù)參數(shù)詳解，MOS管知識最全收錄！
▼?點擊下方名片，關(guān)注硬門芯思?▼?MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。??和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)...
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了解MOS管，看這個就夠了！（長文預(yù)警，建議先收藏后再仔細(xì)觀看）
▼點擊下方名片，關(guān)注公眾號▼歡迎關(guān)注【玩轉(zhuǎn)單片機與嵌入式】公眾號，回復(fù)關(guān)鍵字獲取更多免費資料?；貜?fù)【加群】，限時免費進(jìn)入知識共享群；回復(fù)【3D封裝庫】，常用元器件的3D封裝庫；回復(fù)【電容】，獲取電容、元器件選型相關(guān)的內(nèi)容；回復(fù)【阻抗匹配】，獲取電磁兼容性、阻抗匹配相關(guān)的資料回復(fù)【...
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工程師必看！MOS管幾種常用的驅(qū)動電路
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。01電源IC直接驅(qū)動電源IC直接驅(qū)動是最簡單的驅(qū)動方式，應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊的最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯...
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深度講解三極管和MOS管下拉電阻的作用
關(guān)于三極管????簡單講解一下三極管，如果三極管工作在飽和區(qū)（完全導(dǎo)通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且這個0.3V，我們就認(rèn)為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA,Ic=100mA，它的放大倍數(shù)β=100，三極管完全導(dǎo)通。如下圖，是一個NPN三極管。三...
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MOS管開關(guān)時的米勒效應(yīng)！
米勒平臺形成的基本原理MOSFET的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后，MOSFET就會進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米...
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MOS管輸出特性曲線你看明白了嗎？
▼點擊下方名片，關(guān)注公眾號▼我們知道，三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的，所以說三極管是電流控制電流的器件。而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的，所以說MOS管是電壓控制電流的器件。對于N溝道增強型的MOS管，當(dāng)Ugs>Ugs(th)時，MOS就會開始導(dǎo)通，如果在D極...
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帶軟開啟功能的MOS管電源開關(guān)電路
▼點擊下方名片，關(guān)注公眾號▼電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路，是用MOS管實現(xiàn)的，且?guī)к涢_啟功能，非常經(jīng)典。?一、電路說明電源開關(guān)電路，尤其是MOS管電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，如下框圖所...
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工程師不得不知的MOS管驅(qū)動電路設(shè)計細(xì)節(jié)
本文來源于面包板社區(qū)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的GS兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一...
