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NAND Flash合約價 恐一路跌到年底
市調(diào)機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，因此11月上旬合約價較
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武漢新芯：自主3D NAND研制成功，全靠“產(chǎn)學研用”
近日，武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)，一家迅速發(fā)展的300MM集成電路制造商，今日宣布其3D NAND項目研發(fā)取得突破性進展，第一個具有9層結構的存儲測試芯片通過存儲器
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指甲大小芯片裝千部高清電影，超級存儲器有這么不可思議
想象一下，在指甲大小的芯片上蓋起9層高樓，難度有多大?昨日，楚天金報從總部位于光谷的武漢新芯集成電路制造有限公司(下稱：武漢新芯)獲悉，經(jīng)過半年技術攻關，該公司首個
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蘋果拉動NAND FLASH，供需終于要平衡了
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫
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武漢新芯“3D NAND”項目獲業(yè)內(nèi)權威專家一致認可
武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目可行性專家評審會，業(yè)內(nèi)專家對該項目的技術先進性
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SK海力士業(yè)務重整 DRAM、NAND等目標并進
南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運，事業(yè)群自行加強競爭力，而SK海力士將把事業(yè)重心放
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三星、東芝競擴產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成
全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機構IHS iSuppli最新報告預測，NA
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東芝擴大符合e·MMC 5.1版標準的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容
支持“command queuing”和“secure write protection”特性東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會) e∙MMC™ 版 5.
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NAND FLASH扇區(qū)管理
首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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8月NAND合約價 較上月跌近2成
根據(jù)研調(diào)機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價較7月重跌11~18%。集邦科技表示
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IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展
隨著 DRAM 和 NAND 技術持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次記憶體的道路，IC Insights密切觀察有關 DRAM 和 NAND 供應商的最新動態(tài)，期望能提供更清楚的 DRAM / NAND發(fā)展藍圖
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應用材料公司推出革命性的針對FinFET晶體管和3D NAND器件的電子束量測設備
21ic訊 全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應商應用材料公司，在加利福尼亞州圣何塞舉行的國際光學工程學會(SPIE)先進光刻技術大會上，推出了業(yè)界首款在線3D掃描電子線寬量測系統(tǒng)，成
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美光：始終專注企業(yè)級閃存 觀望3D NAND
在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關注之下，2D或者說平面NAND仍將在3D技術普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲領域。作為佐證，美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩年的NAND設計方案推向
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S5PV210之Nand flash驅(qū)動編寫
大家好，又到了天嵌【嵌入式分享】的時間，相對于前幾期【嵌入式分享】做的主要是TQ335X開發(fā)板的技術分享，本期決定做同是cortex-a8系列的TQ210開發(fā)板的技術分享。本期是關于TQ210開發(fā)板的Nand flash驅(qū)動編寫，可能
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DRAM近期拉貨強勁 本月價格可望強彈
主攻個人計算機市場的標準型動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)近期呈現(xiàn)強勁的拉貨力道，本月價格可望強彈;應用行動裝置的儲存型快閃存儲器(NAND Flash)因補貨需求落空，價格看跌。
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TDK開發(fā)出eSSD系列控制器
NAND型閃存和閃存控制器一體化，以17mm×17mm尺寸實現(xiàn)了容量為1GByte～4GByte的SATA 3Gbps SSD TDK株式會社(社長：上釜健宏)成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列
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存儲技術變局為中國制造帶來了什么機遇？
縱觀半導體發(fā)展歷史，一種新興技術的出現(xiàn)，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉型，新技術是變革者趕超傳統(tǒng)技術列強的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，當年的
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DRAM近期拉貨強勁 本月價格可望強彈
主攻個人計算機市場的標準型動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)近期呈現(xiàn)強勁的拉貨力道，本月價格可望強彈;應用行動裝置的儲存型快閃存儲器(NAND Flash)因補貨需求落空，價格看跌。
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DDR4、NAND Flash存儲器芯片發(fā)展趨勢
轉自臺灣digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高傳輸速率、低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導入英特爾工作站/伺服器以及高端桌上型電腦平臺，并與LP-DDR3存儲器將同時存在一段時間;至于NAND Flash快閃存儲器也跨
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SSD前景因延遲和錯誤率蒙上陰影
加州大學和微軟的研究發(fā)現(xiàn)，隨著芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會出現(xiàn)顯著的性能退化。當電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會增加一倍。加州大學的研究生Laura
