【導(dǎo)讀】由于市場擔(dān)心旺季不旺導(dǎo)致NAND Flash市場交易清淡,但是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等新產(chǎn)品備貨需求,仍驅(qū)動9月上旬NAND Flash合約價(jià)均價(jià)持平甚至小漲格局。預(yù)期NAND Flash合約價(jià)在近期仍將持平,第四季價(jià)格走勢
【導(dǎo)讀】日本第二大半導(dǎo)體廠商瑞薩電子(Renesas Electronics)因微控制器(Micro Controller Unit;MCU)、模擬/功率組件(Analog&Power;A&P)與系統(tǒng)單芯片(System on Chip;SoC)三大產(chǎn)品線第4季營收均較第3季下滑,致其半導(dǎo)
受到第一季淡季效應(yīng)的沖擊,智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)與筆記本電腦出貨呈現(xiàn)衰退,影響到相關(guān)NAND Flash產(chǎn)品出貨量,全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆w而言2014年第一
日本東芝公司3日宣布,已在臺灣法院控告力晶科技、智旺科技、力積電子與瑄譽(yù)科技(C.T.C),指控四家臺灣公司侵害東芝NAND快閃存儲器專利。力晶表示,目前已收到相關(guān)文件,快閃存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)占力晶業(yè)務(wù)比重低,對公
全球第2大NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠商東芝(Toshiba)3日發(fā)布新聞稿宣布,已向臺灣智慧財(cái)產(chǎn)法院控告力積(Zentel Electronics;3553)、力晶(Powerchip Technology)、Powerflash Technology及C.T.C. Co., Ltd., 等
在上周的5月21號微軟發(fā)布了最新一代的Surface Pro 3平板電腦,不同于以往Surface產(chǎn)品的定位,這次微軟將Surface Pro 3定義為代替筆記本的全能產(chǎn)品。我們在之前也曾經(jīng)撰寫了相關(guān)的文章,從發(fā)布會、產(chǎn)品的角度來描繪了
May 30, 2014---受到第一季淡季效應(yīng)的沖擊,智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)與筆記本電腦出貨呈現(xiàn)衰退,影響到相關(guān)NAND Flash產(chǎn)品出貨量,全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆w
5月30日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,三星使用最新存儲技術(shù)加大了新的1TB固態(tài)硬盤的存儲能力。該固態(tài)硬盤主要面向高端個(gè)人電腦,采用三星第二代V-NAND技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使得儲存芯片可以垂直疊放。三星同時(shí)發(fā)布了128GB, 256GB
旺宏(2337)昨(29)日宣布,旗下12寸廠開始生產(chǎn)第二代36納米SLC儲存型快閃存儲器(NAND Flash)產(chǎn)品,挹注營運(yùn)。旺宏先前在法說會上表示,因36納米產(chǎn)能恐怕供不應(yīng)求,所以今年將增加相關(guān)資本支出。旺宏指出,上述第
閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司面向中國及其他高速增長市場的入門級平板電腦和智能手機(jī)發(fā)布一款理想的存儲解決方案——iNAND Standard嵌入式閃存驅(qū)動器(EFD)。利用最新1Y納米X3 NAND閃存解決方案,原始設(shè)備制造商(O
轉(zhuǎn)自臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)的消息,SanDisk 加入 TLC 陣營,推出 8GB 以及 16GB 智能手機(jī)用的快閃記憶體。中國的智能手機(jī)市場擁有相當(dāng)大的市場,近期在低價(jià)智能手機(jī)方面,有著相當(dāng)多的需求,這次 SanDisk 發(fā)表的 iNAND 標(biāo)準(zhǔn)快
近日,東芝(Toshiba)宣布改建日本四日市廠區(qū)的第二廠房,與新帝于同地點(diǎn)攜手興建3D NAND Flash的全新廠房。兩廠期待投入資金興建全新廠房,能為后續(xù)帶來更大效益,在價(jià)格競爭中取得優(yōu)勢。東芝表示,興建新晶圓廠將有
縱觀固態(tài)硬盤技術(shù)的每次突破都必然伴隨著傳輸性能的大幅提升和存儲類型的重大調(diào)整。目前在設(shè)備上的NAND芯片上數(shù)據(jù)并不能被重新覆蓋,文件只能寫入到設(shè) 備的空白區(qū)域中然后將老的區(qū)域進(jìn)行格式化。這最終導(dǎo)致數(shù)據(jù)相當(dāng)分
據(jù)iSuppli公司,2010年用于手機(jī)的嵌入式多媒體卡(eMMC) NAND閃存將出現(xiàn)爆炸性增長,預(yù)計(jì)出貨量增長224%。2007年eMMC面世的時(shí)候增長緩慢,但三年后的2010年,其出貨量將增長
市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,
三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式.多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含
手機(jī)搭載記憶體分為2種形式,第1是外接快閃記憶卡,第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升,對于記憶體容量的需求
DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺廠面對這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗,破壞DRAM價(jià)格漲勢,然現(xiàn)在
從香港貿(mào)易發(fā)展局早前舉辦的香港國際春季燈飾展上了解到,受惠于歐洲經(jīng)濟(jì)回穩(wěn),各國鼓吹綠色經(jīng)濟(jì),綠色照明LED燈大熱 。 波蘭中產(chǎn)急增,需求多元化照明產(chǎn)品 來自波蘭的Daste Phu董事總經(jīng)理Dariusz
在近日于美國舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上,一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預(yù)測。在專題演說中,SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告,NA