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2014年全球半導(dǎo)體資本支出
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights統(tǒng)計(jì)，2014年全球半導(dǎo)體廠資本支出上看622億美元，年增率約8%，前三大資本支出最高的業(yè)者分別為三星電子、英特爾和臺(tái)積電，3者資本支出分別為115億美元、110億美元和100億美元，貢獻(xiàn)今年半導(dǎo)體
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Linux下NAND FLASH驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)
但是由于物理制程 / 制造方面的原因，導(dǎo)致 nor 和 nand 在一些具體操作方面的特性不同： 表 1 Nand Flash 和 Nor Flash 的區(qū)別 1. 理論上是可以的，而且也是有人
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Mobile DRAM市場(chǎng)供應(yīng)持續(xù)緊缺 原廠更有成本優(yōu)勢(shì)
由于NAND Flash與DRAM的生產(chǎn)設(shè)備差異不大，上游芯片廠DRAM與NAND Flash產(chǎn)線會(huì)按照市場(chǎng)的供需及價(jià)格的變化而轉(zhuǎn)換生產(chǎn)。以下是原廠存儲(chǔ)工藝狀況。 目前全球Mobile DRAM主要供應(yīng)商僅限于三星、爾必達(dá)(美光)、SK 海力士三
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可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)
與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，
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嵌入式系統(tǒng)常用接口規(guī)范
一、引言嵌入式系統(tǒng)的硬件除了核心的微處理器之外就是外圍器件和接口。接口技術(shù)在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)處于如此重要的位置，是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)師硬件部分的重要考試范圍。目前嵌入
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垂涎SSD商機(jī)NAND Flash廠強(qiáng)化布局
轉(zhuǎn)自臺(tái)灣新電子的消息，NAND快閃記憶體(NAND Flash Memory)業(yè)者正對(duì)三層式儲(chǔ)存(TLC)顆粒的固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)虎視眈眈。繼三星(Samsung)于2012下半年以其優(yōu)良的控制技術(shù)，成功推
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創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)：未來(lái)3個(gè)月DRAM、NAND Flash價(jià)格將緩跌
創(chuàng)見(jiàn)資訊董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)表示，因市場(chǎng)需求較弱，預(yù)計(jì)未來(lái)3個(gè)月DRAM、NAND Flash價(jià)格都將緩跌。 創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)今日指出，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)及儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)今年市場(chǎng)都有點(diǎn)供過(guò)于
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東芝訴海力士 因技術(shù)流失損失一千多億日元
【導(dǎo)讀】日前，東芝公司就有關(guān)閃存研究數(shù)據(jù)被非法泄露給韓國(guó)SK海力士公司一事，宣布已向東京地方法院提起民事訴訟，要求SK海力士賠償損失。 報(bào)道稱，東京警視廳警方以涉嫌違反不正競(jìng)爭(zhēng)防止法(公開(kāi)營(yíng)業(yè)秘密)為理由
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NAND技術(shù)被竊損失千億，東芝怒向海力士索賠
東芝于3月13日向日本東京地方法院提起訴訟，指控韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士竊取技術(shù)機(jī)密，并要求對(duì)方支付賠償金。東芝提起這訴訟的同一天，東京警視廳警方逮捕了一名52歲男子杉田吉?。╕oshitaka Sugita），他曾是東芝企業(yè)
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半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)展望
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)統(tǒng)計(jì)，2013年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模約320億美元，較2012年減少13.3%，但臺(tái)灣仍成長(zhǎng)7%，針對(duì)2014年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，預(yù)估可以強(qiáng)勁反彈23.2%達(dá)394.6億美元，且此成長(zhǎng)趨
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供應(yīng)商銷(xiāo)庫(kù)存 NAND Flash價(jià)格呈現(xiàn)跌勢(shì)
根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示，主要系統(tǒng)OEM客戶因淡季需求疲弱而持續(xù)砍單，迫使 NAND Flash 供應(yīng)商必須采取更為積極的價(jià)格策略來(lái)減輕庫(kù)存壓力，因此 2月份NAND Flas
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2015年開(kāi)始3D NAND Flash將取代2D NAND Flash
新芯是國(guó)內(nèi)一家12英寸集成電路制造企業(yè)。該公司只生產(chǎn)12英寸晶圓，目前產(chǎn)能還比較小(每月有1萬(wàn)多片)，產(chǎn)品包括NOR Flash和BSI(背照式)圖像傳感器。該公司董事長(zhǎng)王繼增表示，公司定位從一開(kāi)始就是生產(chǎn)NOR Flash，制程
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半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)展望
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)統(tǒng)計(jì)，2013年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模約320億美元，較2012年減少13.3%，但臺(tái)灣仍成長(zhǎng)7%，針對(duì)2014年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，預(yù)估可以強(qiáng)勁反彈23.2%達(dá)394.6億美元，且此成長(zhǎng)趨
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半導(dǎo)體廠拚20奈米與3D制程 相關(guān)設(shè)備商機(jī)展翅
看準(zhǔn)半導(dǎo)體廠力拼20奈米和3D制程技術(shù)，設(shè)備廠努力扮演軍火供應(yīng)商角色，瞄準(zhǔn)商機(jī)進(jìn)行布局，其中晶圓代工業(yè)者和NAND Flash業(yè)者進(jìn)入20奈米和3D世代后，由于有新材料和制程改變，對(duì)于設(shè)備需求將分別增加25~35%，這是半
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受SK海力士火災(zāi)等因素影響 NAND品牌供應(yīng)商Q4營(yíng)收下滑4.5%
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，在NANDFlash業(yè)者原先對(duì)于2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響NA
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力成：3月起稼動(dòng)率看9成，今年?duì)I運(yùn)料逐季增
IC封測(cè)力成(6239)董事長(zhǎng)蔡篤恭(見(jiàn)附圖)指出，今年1、2月間力成因工作天數(shù)較短，營(yíng)運(yùn)偏淡，惟與Tessera的授權(quán)合約終止訴訟塵埃落定，力成將可全力沖刺業(yè)務(wù)，不僅要重返DRAM封測(cè)領(lǐng)域，包括邏輯IC、NAND Flash與晶圓凸塊
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閃迪 iNAND EXTREME 嵌入式閃存加快旗艦級(jí)手持設(shè)備響應(yīng)速度
全球閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商閃迪公司2 月 24 日宣布推出新一代 iNAND Extreme™ 嵌入式閃存盤(pán) (EFD) – 這是迄今為止閃迪推出的最快、最薄、最精良的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。 容量高達(dá) 64GB1 的 iNAND Extreme 樣品已送至
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為eMMC5.0而生，閃迪新款iNAND閃存亮相
2月24日，閃迪推出首款128G TF卡，刷新了TF卡的存儲(chǔ)記錄。除此TF卡外，閃迪在MWC2014大會(huì)上還帶來(lái)新一代iNAND Extreme至尊級(jí)eMMC閃存存儲(chǔ)卡，支持eMMC5.0接口，高達(dá)300MB/s的讀取速度，提升了I/O性能。
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2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影
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記憶體市場(chǎng)翻身 封測(cè)廠華東否極泰來(lái)
記憶體專(zhuān)業(yè)封測(cè)廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，記憶體歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開(kāi)始，無(wú)論是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈現(xiàn)價(jià)揚(yáng)走勢(shì)，而NAND Flash的需求也穩(wěn)健成長(zhǎng)，預(yù)估2014年對(duì)華東將是否極
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