根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量,筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結(jié)果為,1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命,NAND型
三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)29日公布,2014年第1季(1-3月)半導體部門合并營收年增9%(季減10%)至9.39兆韓圜;合并營益年增82%(季減2%)至1.95兆韓圜。三星指出,1-3月記憶體營收年增23%(季減3%)至6.29兆韓
當全球看好固態(tài)硬盤(SSD)是NAND Flash下一個殺手級應用的同時,手機內(nèi)建NAND Flash內(nèi)存的應用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應用的新焦點。目前最普遍的嵌入式SSD的
蘋果公司(Apple)日前已正式宣布新款iPhone 3G S上市的時間以及升級版規(guī)格,研究機構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)估計,下半年iPhone 3G S出貨量約在900萬支以上,使用NAND Fla
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新NAND Flash價格調(diào)查顯示,模塊端客戶對五一假期實際銷售需求保守看待,加上自家?guī)齑嫒猿渥阆?,造?月上旬采購意愿偏低;另一方面,NAND Flash廠商的庫
DRAM價格大漲之際,儲存型快閃存儲器(NAND Flash)報價跌幅也顯著收斂,甚至出現(xiàn)持平走勢,透露存儲器景氣全面轉(zhuǎn)好。NAND價格回穩(wěn),群聯(lián)(8299)、慧榮等業(yè)者都將受惠。根據(jù)集邦科技調(diào)查,第1季NAND顆粒合約均價受市
SK海力士無錫廠傳出DRAM制程出狀況,恐影響供貨,引爆下游通路搶貨潮、造成DRAM現(xiàn)貨價大漲之余,市場也關注業(yè)者是否會將NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM,一旦如此,有助舒緩現(xiàn)階段NAND市場供過于求問題。法人指出,DRAM
海力士(skhynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲器(nandflash)微細制程,積極執(zhí)行資本支出,周星工程(jusungengineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(samsungelectronics)計劃在2014年第2季投入nand制程轉(zhuǎn)換,執(zhí)行資本支出。據(jù)南韓
市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,因此11月上旬合約價較
[導讀] 很少人會想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代,筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關于快閃記憶體儲存系統(tǒng)的電話會議,聽到不少儲存系統(tǒng)專家試圖把對話導引到IBM在下
全球DRAM及NAND Flash市場進入傳統(tǒng)淡季,由于先前NAND Flash嚴重供過于求,近期業(yè)界傳出存儲器大廠祭出搭售策略,采購DRAM芯片需搭配NAND Flash芯片,藉由調(diào)配產(chǎn)品組合,在傳統(tǒng)淡季維持出貨動能,加上蘋果(Apple)新系
很少人會想到NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代,筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關于快閃記憶體儲存系統(tǒng)的電話會議,聽到不少儲存系統(tǒng)專家試圖把對話導引到IBM在下一代記憶體
很少人會想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代,筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關于快閃記憶體儲存系統(tǒng)的電話會議,聽到不少儲
SunEdison日前宣布,智利一座50MW太陽能電站完成融資,該公司表示,該電站是拉丁美洲最大的運營光伏電站,并且還是世界上無補貼運營的最大光伏項目之一。EverStreamEnergyCapitalManagement領導的投資財團及金融服務
美國記憶體晶片制造龍頭美光科技(Micron)上季轉(zhuǎn)虧為盈,營收也優(yōu)于市場預期,主因是供應短缺推高晶片價格。美光公布,截至2月27日的年度第2季凈利達7.31億美元或每股61美分,優(yōu)于一年前同期的虧損2.86億美元或每股
SK海力士(SK Hynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲器(NAND Flash)微細制程,積極執(zhí)行資本支出,周星工程(Jusung Engineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(Samsung Electronics)計劃在20
應用材料公司半導體產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行技術(shù)總監(jiān) 平爾萱由于2D(x-y dimension)半導體元件的尺寸已經(jīng)接近極限,3D(z dimension)半導體能夠經(jīng)由精密材料工程進一步實現(xiàn)小型化,因此,3D技術(shù)有望為企業(yè)節(jié)約成本,使元件實現(xiàn)更
【導讀】目前來說,中國的IC設計商至少有四五百家,以展訊、中芯國際等為代表。然而,在多年以后,能有多少家可以健康的存活下來,在全球發(fā)揮自己的影響力呢? 2014年IC行情:半導體大廠走勢窺探! 轉(zhuǎn)眼間,一年又過
三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需的可靠性。V-NAND固態(tài)盤
3月26日電 據(jù)三星電子負責人26日消息,三星電子在西安的半導體工廠預計于5月竣工,開工后以生產(chǎn)10納米芯片和3D垂直NAND Flash芯片為主。工廠始建于2012年9月,投資達70億美元,是三星電子在中國進行的最大規(guī)模投資項