當類似AirPods這類的復雜智能設備越來越多時,NOR閃存廠商的日子肯定也越來越好過,而5G基站應用把對NOR閃存容量的需求推到了一個新高度。在5G基站中,一般要選擇1Gb或更高容量的NOR閃存,讀寫速度要更快,至少支持四通道串行接口(4通道SPI),最好支持8通道SPI接口,而且要滿足工業(yè)級溫度范圍。
3D晶圓級封裝,英文簡稱(WLP),包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標準器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術,它起源于快閃存儲器(NOR/NAND)及SDRAM的疊層封裝。主要特點包括:多功能、高效能;大容量高密度,單位體積上的功能及應用成倍提升以及低成本。
所謂Flash,是內存(Memory)的一種,但兼有RAM和ROM 的優(yōu)點,是一種可在系統(tǒng)(In-System)進行電擦寫,掉電后信息不丟失的存儲器,同時它的高集成度和低成本使它成為市場主流。
你知道首款2Gb大容量高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品嗎?業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,隆重推出國內首款容量高達2Gb、高性能SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X系列產(chǎn)品,該系列可提供512Mb至2Gb的不同容量選擇,支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela規(guī)格的高速8通道,主要面向需要大容量存儲、高可靠性與超高速數(shù)據(jù)吞吐量的工業(yè)、車載、AI以及5G等相關應用領域。
2020年7月3-5日在上海國家會展中心,被譽為“電子行業(yè)風向標”的慕尼黑上海電子展(electronica China 2020)盛大召開,吸引近3,000家參展企業(yè)。
GD25/GD55 B/T/X產(chǎn)品系列容量高達2Gb,為大容量高性能應用提供最佳解決方案
世界領先的安全 NOR 閃存,適用于網(wǎng)聯(lián)汽車、工業(yè)和通信應用
業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布與領先的半導體和電子元件分銷商貿澤電子簽署全球分銷協(xié)議。
進入5G發(fā)展第二個年頭,隨著各應用需求的持續(xù)爆發(fā),5G 智能手機 OLED 面板滲透率急速拉升,加上真無線藍牙耳機(TWS)全球熱銷,已長達一年半時間持續(xù)供給過剩的 NOR Flash
10月30日,國產(chǎn)芯片供應商兆易創(chuàng)新發(fā)布2019年第三季度報告,報告顯示,1-9月,兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入22.04億元,同比增長28.04%;凈利潤4.50億元,同比增長22.42%;扣非凈利潤為3.
近年來,中國在內存、存儲領域不斷取得新突破。紫光旗下長江存儲正式量產(chǎn)32層堆疊NOR Flash閃存之后,NOR Flash閃存也迎來好消息。 CINNO Research公布的最新數(shù)據(jù)顯示,2019
萬物互聯(lián)將創(chuàng)造出越來越多的商業(yè)機遇,各行各業(yè)都對其充滿期待,NOR Flash這個“大存儲”產(chǎn)業(yè)鏈中的“小市場”也不例外。
Fidelix的加入對東芯無異于錦上添花,需要強調的是,F(xiàn)idelix在韓國是繼三星、海力士之后的第三大存儲器芯片生廠商。因此,東芯半導體有著和主流市場接觸和競爭的機會,也有了引領國內存儲技術發(fā)展的使命。是目前國內唯一可以同時提供NAND/ NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設計公司。
2019年3月29日,由全球電子技術領域的領先媒體集團ASPENCORE旗下《電子工程專輯》、《電子技術設計》和《國際電子商情》聯(lián)合舉辦的“2019年度中國IC領袖峰會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮”在上海隆重舉行。一路伴隨和見證IC產(chǎn)業(yè)的成長與發(fā)展,中國IC設計成就獎是電子業(yè)界最受關注的技術獎項之一。憑借高質量的產(chǎn)品和杰出的市場表現(xiàn),經(jīng)過中國大陸近萬名工程師在線投票,兆易創(chuàng)新GD32E230系列Cortex®-M23內核MCU榮獲“年度最佳MCU”獎項,GD32 MCU市場推廣團隊榮獲“中國杰出 IC 市場推廣團隊”獎項,GD25WD系列NOR Flash榮獲“年度最佳存儲器”獎項。
新增NOR Flash、NAND Flash等產(chǎn)品,世強與國內存儲及物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新(GigaDevice)簽約。
兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK產(chǎn)品系列正式量產(chǎn),它是業(yè)界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封裝,并支持1.65V至3.6V的低功耗寬工作電壓的產(chǎn)品。
有時候,我們需要保存少量數(shù)據(jù),但是用外擴的ROM又覺得不方便,這時候自然就想到了芯片內部是否自帶flash(閃存),據(jù)我了解,stm32內部的應該是nor flash,因為如果是nand flash的話,肯定速度是跟不上的。不過如果
為什么會有兩種啟動方式?這就是有兩種FLASH 的不同特點決定的。NAND FLASH 容量大,存儲的單位比特數(shù)據(jù)的成本要低很多,但是要按照特定的時序對NAND FLASH 進行讀寫,因此CPU 無法對NAND FLASH 的數(shù)據(jù)進行直接尋址,
這次要講講怎么實現(xiàn)Nor Flash的升級。Nor Flash的DFU工程還是基于之前的flash DFU的工程上修改而來。工程的目錄如下:我使用的Nor Flash芯片是M29W128F,該芯片共有128Mb的空間,通過FSMC掛接在BANK0。正好在UBS的官
程序從start。S開始啟動start_code:?/*? * set the cpu to SVC32 mode? 設置管理模式? */?mrs?r0, cpsr??????? ?bic?r0, r