6月27日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）第三批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿評審會舉行，對6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿進(jìn)行評審。

據(jù)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟消息，與會專家一致同意以下6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿通過初審評定：

（1）《碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量自動檢測方法》（牽頭單位：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司）

（2）《碳化硅單晶片表面質(zhì)量和微管密度的測試方法》（牽頭單位：中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所）

（3）《半絕緣SiC電阻率非接觸測量方法》（牽頭單位：中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所）

（4）《半導(dǎo)體單晶殘余應(yīng)力檢測方法》（牽頭單位：北京聚睿眾邦科技有限公司）

（5）《導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率測試方法》（牽頭單位：中科鋼研節(jié)能科技有限公司）

（6）《功率半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置測試方法》（牽頭單位：中國科學(xué)院電工研究所）