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[導讀]9月19日,由深圳市科學技術協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。

9月19日,由深圳市科學技術協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術創(chuàng)新、產業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產化替代進程,助力國產半導體開辟一片新天地。

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深圳市科學技術協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論壇并致辭。深圳第三代半導體研究院副院長張國旗、南方科技大學深港微電子學院執(zhí)行院長于洪宇、國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心車規(guī)半導體業(yè)務負責人文宇、英國劍橋大學工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半導體有限公司總經(jīng)理和巍巍等嘉賓圍繞第三代半導體材料器件的技術創(chuàng)新、產品應用和機遇挑戰(zhàn),開展前沿技術分享及精彩主題演講。

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深圳市科學技術協(xié)會黨組書記林祥致辭

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深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴致辭

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深圳第三代半導體研究院副院長張國旗發(fā)表主題演講

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南方科技大學深港微電子學院執(zhí)行院長于洪宇發(fā)表主題演講

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國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心車規(guī)半導體業(yè)務負責人文宇

發(fā)表主題演講

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英國劍橋大學工程系教授Patrick Palmer發(fā)表主題演講

深圳基本半導體總經(jīng)理和巍巍在論壇上表示,國內第三代半導體碳化硅發(fā)展一直緊跟世界前沿,但在汽車設計和制造方面,和國際的先進水平還有一定的差距。目前,國內有幾所大學可以制造器件樣品,有部分公司可以量產二極管,但僅有基本半導體可量產碳化硅MOSFET,基本半導體未來將繼續(xù)加大研發(fā)投入,加強技術創(chuàng)新,致力于鑄造第三代半導體碳化硅的中國“芯”。

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基本半導體總經(jīng)理和巍巍發(fā)表主題演講

在隨后舉行的“中國第三代半導體的突破之路”高端圓桌對話上,力合科創(chuàng)集團副總裁馮杰、國創(chuàng)中心車規(guī)半導體業(yè)務負責人文宇、深圳基本半導體首席技術官張振中、北京億華通科技研發(fā)總監(jiān)周鵬飛、深圳禾望電氣研發(fā)中心副經(jīng)理謝峰、深圳欣銳科技研發(fā)總監(jiān)張輝等產學研投界代表暢所欲言,為“中國第三代半導體的突破之路”建言獻策。

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高端圓桌對話

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為增進中國與歐洲知名院校、科研機構、創(chuàng)新企業(yè)的國際交流,進一步推動雙方開展學術交流和科研合作,促進國內第三代半導體產業(yè)快速發(fā)展,青銅劍科技、基本半導體以及中歐創(chuàng)新中心從2017年開始,每年定期舉辦中歐第三代半導體高峰論壇。本屆高峰論壇立足于國際產業(yè)發(fā)展形勢,邀請國內外知名專家學者,從全球視角探討第三代半導體行業(yè)所面臨的機遇與挑戰(zhàn),以及面向未來的戰(zhàn)略與思考。

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第三代半導體是全球半導體產業(yè)技術創(chuàng)新和產業(yè)發(fā)展的熱點,擁有最大的發(fā)展空間和良好的市場前景,為信息、能源、交通模塊等戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展提供了重要支撐,催生了上萬億元的潛在市場。近年來,隨著材料、器件、工藝和應用方面的一系列技術創(chuàng)新和突破,第三代半導體走到了從研發(fā)到產業(yè)的拐點,政府、科技界和產業(yè)界對其未來發(fā)展給予了很高的期望,國產化需求迫切。

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基本半導體由清華大學、浙江大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院等國內外知名高校博士團隊創(chuàng)立,專注于碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化,旗下碳化硅器件產業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等環(huán)節(jié)?;景雽w已先后推出全電流電壓等級碳化硅二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET,以及車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產品,性能達到國際先進水平。

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基本半導體正不斷提速車規(guī)級碳化硅功率器件的研發(fā)。最近,一輛搭載了基本半導體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車,至今已累計無故障行駛120天、運行里程超過1萬公里,是企業(yè)乃至行業(yè)在堅持自主創(chuàng)新、芯片國產化道路上一座重要的里程碑。

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