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[導(dǎo)讀]GTC為業(yè)界領(lǐng)先的高頻驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和制造廠商,其半橋驅(qū)動(dòng)芯片GT7753以其在高頻驅(qū)動(dòng)的優(yōu)越表現(xiàn),在工業(yè)和軍工產(chǎn)品中被廣泛應(yīng)用。 目前GTC基于南芯的SC8703升降壓IC和EPC第三代半導(dǎo)體EPC204

GTC為業(yè)界領(lǐng)先的高頻驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和制造廠商,其半橋驅(qū)動(dòng)芯片GT7753以其在高頻驅(qū)動(dòng)的優(yōu)越表現(xiàn),在工業(yè)和軍工產(chǎn)品中被廣泛應(yīng)用。

目前GTC基于南芯的SC8703升降壓IC和EPC第三代半導(dǎo)體EPC2045設(shè)計(jì)出業(yè)界尺寸最小的65W車載充電器,完美支持PD協(xié)議,下圖為其PCB尺寸圖:

其尺寸為:35.5 x 16.5mm,支持200k、400k和600k三種頻率,由于搭載最新氮化鎵驅(qū)動(dòng)器GT7753和EPC2045,使得其在高頻600k頻段仍然具有優(yōu)秀的效率和EMC表現(xiàn),可以更好的減小陳品尺寸,具體測(cè)試數(shù)據(jù)如下:

頻率為600k測(cè)試數(shù)據(jù)

1、測(cè)試12V轉(zhuǎn)20V

2、測(cè)試12V轉(zhuǎn)5V

3、測(cè)試12V轉(zhuǎn)9V

200k測(cè)試數(shù)據(jù)

1、測(cè)試12V轉(zhuǎn)20V

2、測(cè)試12V轉(zhuǎn)5V

3、測(cè)試12V轉(zhuǎn)9V

眾所周知,第三代半導(dǎo)體氮化鎵由于其產(chǎn)品特性,如果想充分發(fā)揮氮化鎵的特性,需要配對(duì)良好的驅(qū)動(dòng)器。

從上述測(cè)試數(shù)據(jù)體現(xiàn),GT7753配合EPC2045可以很輕松在小尺寸中實(shí)現(xiàn)咂舌的65W輸出,進(jìn)一步減小了65W滿足PD協(xié)議的車充體積,而且GT7753支持最高10MHz的頻率,可以配合氮化鎵實(shí)現(xiàn)其他高頻電源的高效小體積方案。

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