中國集成電路電路市場逐漸擴大，占據(jù)全球半壁江山。與此同時，國內(nèi)集成電路制造企業(yè)的持續(xù)投入、國際企業(yè)在國內(nèi)的大規(guī)模建廠，使得國內(nèi)市場對12寸晶圓的需求將成爆發(fā)式增長。作為全球第二大晶圓廠格羅方德也在此時對外宣布，其12寸晶圓生產(chǎn)線于今年2月在成都破土動工。

從名字說起：名曰格芯實為革新

根據(jù)IC Insights 的最新報告顯示，全球晶圓產(chǎn)能到2020年都將延續(xù)以12寸晶圓稱霸的態(tài)勢。伴隨著“中國制造”的影響持續(xù)擴散，全球半導(dǎo)體大廠均擴大在中國布局，以此來卡位中國制造商機。格羅方德此次攜手成都建立全新的合資晶圓制造廠。合作雙方計劃建設(shè)12英寸晶圓廠，不僅配合中國半導(dǎo)體市場的強勁增長趨勢，同時也將促進全球客戶對 22FDX 先進工藝的額外需求。

隨著新合資公司的成立，格羅方德亦將在中國市場公布其全新的中文名稱：“格芯”。首字“格”與公司現(xiàn)有中文名稱的第一個字相同，亦有“探究事物原理，而從中獲得智慧”的含義。次字是“芯”，表達“芯片”之意。兩個字合在一起發(fā)音與“革新”相同，寓意著重生、振興與改革。“格芯”不僅將極大改變晶圓代工行業(yè)的格局，更會為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來全新視角。

12寸晶圓雙路線戰(zhàn)略開疆辟土

目前,我國國內(nèi)主流晶圓廠共有22座，其中8英寸廠13座，12英寸廠9座，正在興建中的晶圓廠也超過10座，包括3座8英寸廠和10座12英寸廠。面對晶圓廠的不斷增長格芯有什么戰(zhàn)略部署吶?格芯到底在革什么新?

“眼下半導(dǎo)體市場需求主要在三個方向。第一在于手機、移動計算的增長;第二得益于互聯(lián)網(wǎng)在中國的發(fā)展，中國有超過1/3的全球互聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備;第三為智能計算的興起，其中包括機器人及其他之內(nèi)設(shè)備的發(fā)展”，格芯 CEO Sanjay Jha表示，“我們認為下一代可以超越手機的終端就是AR、MR和VR，它的商業(yè)前景可以和手機媲美。”

另據(jù)市場調(diào)研情況，全球運作中的12寸晶圓廠數(shù)量預(yù)計到2020年將持續(xù)增加，而大多數(shù)12寸廠將繼續(xù)僅限于生產(chǎn)大量、商品類型的元件，例如DRAM與快閃記憶體、影像感測器、電源管理元件，還有IC尺寸較大、復(fù)雜的邏輯與微處理器。而有的晶圓代工廠會結(jié)合不同來源的訂單來填滿12寸晶圓廠產(chǎn)能。

(GF 14nm、22nm晶圓)

順應(yīng)此市場趨勢，格芯制定了雙路線發(fā)展戰(zhàn)略——在14納米和7納米的研發(fā)投資之外，還啟動了FD-SOI的路線圖來滿足市場要求。成都格芯12英寸晶圓生產(chǎn)基地，計劃一期從新加坡的代工廠轉(zhuǎn)移一些主流的技術(shù)，建設(shè)CMOS工藝12英寸晶圓生產(chǎn)線，預(yù)計2018年底投產(chǎn);二期從德國1廠轉(zhuǎn)移一些22FDX的一些技術(shù)，建設(shè)格羅方德最新的22FDX® 22nm FD-SOI工藝12英寸晶圓生產(chǎn)線，預(yù)計2019年投產(chǎn)。屆時，成都格芯晶圓廠將會整合130納米、180納米、22納米的FD-SOI的技術(shù)，在一個廠區(qū)中實現(xiàn)量產(chǎn)。其最大的邏輯芯片代工廠每年會有100萬晶圓的產(chǎn)量。

(格芯發(fā)展戰(zhàn)略圖)

一期所建廠專注于在高性能計算方面，格芯目標(biāo)定位于服務(wù)器、高性能計算和圖形、高端智能手機，這都將用到14納米FinFET的技術(shù)和7納米。針對于GF所看好的AR、MR、VR的市場，則同樣需要7納米和14納米FinFET的技術(shù)支持，尤其是在AR設(shè)備顯示度的要求上。既然市場這么大，格芯自然不會在此處拖沓相關(guān)技術(shù)的推進，因此格芯預(yù)計明年的第二季度將會進行7納米生產(chǎn)。

二期所建設(shè)的22FDX生產(chǎn)線則主要將市場目標(biāo)定位于中低端智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、RF、射頻、汽車等方面。而正對于汽車方面，格芯除了有22FDX、14納米高頻的設(shè)備做支持，在模擬電源方面也會提供相關(guān)技術(shù)支持。

怎么看FD-SOI與FinFET勢力?

由于很多晶圓代工廠不發(fā)展FD-SOI技術(shù)，就決定了大部分用得起先進工藝的IC設(shè)計公司都會走向FinFET路線，這就使得格羅方德成為了為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)的重量級玩家。

在此次發(fā)布會中，格羅方德方面表示，22FDX的性能類似于FinFET的性能，但是它的成本卻與28納米相當(dāng)。GF 22FDX市場主要針對于低端智能手機、無線物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛汽車、便攜式相機。與此同時，為了緊跟22FDX的腳步GF也會進行12FDX的研發(fā)。12FDX晶圓將會比22FDX小35%，但是它的性能卻可以做到25%的更佳。12FDX、20FDX加之RF-SOI和SiGe技術(shù)的結(jié)合將會更好地應(yīng)對未來移動計算的發(fā)展。GF預(yù)計12FDX的產(chǎn)品會在2018年第二季度推出，2019年實現(xiàn)生產(chǎn)。與此同時，伴隨著云計算、數(shù)據(jù)中心的發(fā)展，則需要7納米、18納米FinFET這些技術(shù)的推動。

(FD SOI發(fā)展路線圖)

Sanjay Jha先生表示：“其實格羅方德在2015年第三季度的時候我們已經(jīng)開始了14納米的生產(chǎn)，格芯的22FDX 的技術(shù)和14FinFET的技術(shù)，它們的應(yīng)用其實還是稍有不同的，14FinFET主要是應(yīng)用在高端的手機客戶端、電腦圖像應(yīng)用，22FDX主要是在一些移動設(shè)備的應(yīng)用，所以兩者的側(cè)重點還是不一樣的。”

由此看來，兩種技術(shù)并非完全對立。早有業(yè)界有人認為未來可能是40-28納米的FD SOI技術(shù)與14，納米及10納米的FinFET技術(shù)會共存一段相當(dāng)長時間。之于此，格芯的雙路線圖戰(zhàn)略基本可以涵蓋了半導(dǎo)體行業(yè)的需求。而在一段時間內(nèi)，基于成本和生產(chǎn)良率的影響，F(xiàn)D SOI技術(shù)將在半導(dǎo)體技術(shù)占得一片天地，在類似中低端智能手機等領(lǐng)域中憑借其在數(shù)字電路中的優(yōu)勢掀起一番換芯風(fēng)潮。想必，格芯革的便是此處的新的吧。