10月4日至10月8日，CEATEC JAPAN 2011（日本高新技術博覽會）在日本幕張國際展覽中心舉行。CEATEC JAPAN是展示世界最尖端技術、產品、服務的IT、電子綜合展。不僅可以看到日本主要的電子公司的最新技術、產品、系統以及軟件等的展示，還能看到電子元件、設備、服務以及內容等的展示，能及時地體驗到世界最尖端的技術。

此次展會，羅姆以“Power&Smart—新一代元器件創(chuàng)造未來”為主題，展現了SiC功率器件的最新產品陣容、LED和有機EL照明的新商品、實現個人醫(yī)療保健的傳感技術等最新信息。

羅姆展臺

羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和MOSFET。溝道型SBD與普通SiC制SBD相比，二極管導通電壓較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低于Si制FRD（Fast Recovery Diode，快恢復二極管）的0.6V。溝道型SiC制MOSFET的特點是耐壓600V下導通電阻只有1mΩcm2

 
SiC制SBD和MOSFET[!--empirenews.page--]

利用SiC功率元件的無線供電系統也是羅姆展品的一大亮點，系統采用電場耦合方式，發(fā)送端的逆變器電路利用了SiC溝道型MOSFET。通過利用SiC溝道型MOSFET，在6.78MHz的高開關頻率下，逆變器轉換效率高達95％。在現場，羅姆利用無線供電點亮了墻壁上粘貼的有機EL照明和桌上的臺燈，還為桌上的智能手機內置的充電電池進行了充電。
 
SiC無線供電
“世界最小”的03015尺寸芯片電阻器吸引了眾多觀眾的圍觀，此次的03015尺寸（0.3mm×0.15mm）芯片電阻器與0402尺寸產品相比，將芯片面積削減了44％。另外，通過將03015產品的芯片高度由0402產品的0.13mm降至0.1mm，芯片體積約削減了60％。高功能化和小型化同時推進的智能手機等便攜產品需要這種超小型部件。03015產品將芯片尺寸精度由原0402產品的±20μm提高至±5μm。由于這種電阻器看起來像沙粒，因此在此次CEATEC上，羅姆展示了使用50萬個芯片電阻器的“沙漏”。
 
電阻器的“沙漏”
羅姆還展示了0.47英寸的有機EL面板，該面板主要用于數碼相機的電子取景器（EVF）和頭戴式顯示器（HMD）。該產品為800×600（SVGA）像素。子像素尺寸為12μm×4μm。色彩表現范圍按NTSC規(guī)格比為72%，對比度為3萬比1。全屏白顯示時的耗電量約為175mW。
使用40個有機EL顯示器的“光之藝術”在會場顯得格外絢麗。
 
“光之藝術”
據羅姆中國營業(yè)本部副本部長村井美裕先生介紹，中國一直是羅姆的重要市場，通過四大戰(zhàn)略（功率器件戰(zhàn)略、LED戰(zhàn)略、傳感器戰(zhàn)略、相乘戰(zhàn)略），面向不同的市場，配備完備的銷售和技術支持體系，加大投資力度，在營業(yè)目標上繼續(xù)提高中國市場份額。