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[導讀] 去年ARM推出了M23/33內(nèi)核,內(nèi)置TrustZone技術,旨在針對M0+和M3/4實現(xiàn)安全能力加持的替選方案。Microchip是首批購買授權的廠商之一,而且開發(fā)速度也最快,在6-26日率先發(fā)布了基于Cortex-M23內(nèi)核的SAM L10/11微控制

 去年ARM推出了M23/33內(nèi)核,內(nèi)置TrustZone技術,旨在針對M0+和M3/4實現(xiàn)安全能力加持的替選方案。Microchip是首批購買授權的廠商之一,而且開發(fā)速度也最快,在6-26日率先發(fā)布了基于Cortex-M23內(nèi)核的SAM L10/11微控制器。除此外,還同期發(fā)布了雙DSC內(nèi)核的dsPIC33CH系列MCU。這兩款全新微控制器都有什么過芯之處?在北京召開的新品發(fā)布會上,Microchip MCU16產(chǎn)品部副總裁Joe Thomsen和Microchip MCU32產(chǎn)品部副總裁Rod Drake對其進行了精彩地分享。

SAM L11:支持濕手按鍵觸摸、超低功耗的安全微控制器

濕手也能實現(xiàn)準確按鍵觸摸,主附核協(xié)作實現(xiàn)更高代碼執(zhí)行效率——Microchip推出業(yè)界首款M23內(nèi)核超低功耗SAM L11和雙DSC內(nèi)核dsPIC33CH

-安全

前文已經(jīng)提及,SAM L10/11是業(yè)界首款采用Cortex-M23內(nèi)核的微控制器。安全是它從根上就帶著的重要特性,然而除了根上的TrustZone技術外是不夠的,Microchip還做了很多安全的工作。從上圖中可以看到,在芯片內(nèi)部的device service單元內(nèi),內(nèi)置一個安全Debug模塊;在主核外還有一個加密加速器(Crypto Accelerator);在Boot ROM的里面也添加了一個安全啟動模塊。需要注意的是,這些安全硬件特性都是L11才有的。

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為什么只有TrustZone是不夠的呢?從上圖中可知,除了軟件攻擊外,還有固件升級、通信攻擊和物理攻擊多種安全隱患,而有了TrustZone、安全引導程序、加密加速器等功能,才可以構建一個全面的安全框架。

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據(jù)Rod先生介紹,SAM L11是目前市面上唯一一個內(nèi)核采用M23的,第二它有整系列加密模塊保證安全性。第三,還有一整套關于物理侵入方面的解決方案。所以,SAM L11可以在市場上脫穎而出。

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除此外,我們還了解到,Microchip還有一個第三方的合作伙伴Trustonic,提供 Kinibi-M的SDK,這可以看作是一個安全化的操作系統(tǒng)。開發(fā)者可以通過GUI選擇來實現(xiàn)模塊化,將TrustZone+芯片級的安全抽象化。Trustonic之前主要專注于移動設備的安全環(huán)境搭建,Kinibi-M是其首個面向MCU開發(fā)的安全系統(tǒng)。

-低功耗

上面給大家介紹了L11不少安全的特性,而作為一款MCU,超低功耗也是客戶一直關注的焦點。SAM L10/11在這一點上也是不遺余力,將之前AVR上面的picoPower技術,給移植了上來,號稱實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最佳的認證低功耗規(guī)范,認證分數(shù)是排名第二的兩倍。數(shù)據(jù)來源于EMBC的ULPMARK,因此可信度無需置疑。

通過EMBC官網(wǎng)我們可以看一下大家的分數(shù)如下圖,在1.8V時候表現(xiàn)優(yōu)異的是ST的STM32L433 Rev1(347分)和TI的MSP432P401R(222分);而在3V電壓時兩者的分數(shù)分別為181和164。相比較起來,Microchip的SAML10/11確實達到了業(yè)界最優(yōu)異的水平,但是與官方宣稱的“認證分數(shù)是排名第二的同類競爭產(chǎn)品的兩倍”有所差異。筆者臆測或許這里的同類競爭產(chǎn)品指的是MSP432而非STM32L433。

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針對低功耗,各家皆有獨門秘籍,STM32L433中使用的是FlexPowerControl的技術,而Microchip的SAM L10/11則是采用了一種叫做picoPower的技術。對Microchip的產(chǎn)品有所了解的工程師應該不難發(fā)現(xiàn),這項技術其實最早來源于AVR的產(chǎn)品。picoPower包含寄存器、時鐘、欠壓檢測和閃存采樣等多種技術,可以有效地降低待機和睡眠等情況下的漏電流,提高電池壽命。在開發(fā)系統(tǒng)方面,Microchip還提供了功耗調試器和Data Visualizer這兩種工具。

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-觸摸

在SAM L10/11上,Microchip實現(xiàn)了更為出色的觸摸解決方案。據(jù)介紹稱,在SAM L10/11內(nèi)配置了增強型外設觸摸控制器(PTC),可以實現(xiàn)更好的干擾屏蔽和并行采集。這種觸控方案可以實現(xiàn)出色的耐水性,另外并行采集的速度也達到了原來的4倍,可以同事處理多個按鈕。開發(fā)環(huán)境方面有QTouch配置器、QTouch模塊化庫和2D觸摸表面庫這幾種工具,在多種觸摸按鍵應用場景中均可實現(xiàn)出色表現(xiàn)。如下圖,在發(fā)布會的現(xiàn)場,Rod先生特地準備了一個噴霧器,在觸摸按鍵上盡可能的噴了很多水,然后依然實現(xiàn)了很精準和零延時的按照響應。

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dsPIC33CH:雙核協(xié)作實現(xiàn)更高代碼執(zhí)行效率

據(jù)Joe Thomsen先生介紹,客戶在產(chǎn)品開發(fā)過程中時常會面臨多個不同團隊軟件集成的問題。dsPIC33CH采用了雙DSC內(nèi)核的設計,在進行產(chǎn)品設計的時候,一個團隊可以專注于時間關鍵型的控制代碼開發(fā),另一個團隊可以專注于其它應用開發(fā)。比如在一個空調的應用中,功率因數(shù)校正的工作可以交與主內(nèi)核執(zhí)行,而從內(nèi)核可以進行風扇和壓縮機的控制工作。

dsPIC33CH采用了雙核雙外設的設計,每個內(nèi)核都掛上了自己獨立的外設,兩者不可共享,但是外設引腳可以隨意進行分配,具體規(guī)則請參考官網(wǎng)數(shù)據(jù)手冊。從外設來看不難看出,主內(nèi)核配備更多通信外設,將執(zhí)行更多通信工作;而從內(nèi)核配有更多模擬外設和PWM外設。據(jù)悉,從內(nèi)核的PWM功效性是主內(nèi)核的兩倍以上,兩個內(nèi)核同時自主運行,相互之間通過一種叫做mailbox的編解碼進行通信。

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dsPIC33CH特別針對數(shù)字電源、電機控制和高性能嵌入式這幾種應用場景設計而來。以數(shù)字電源場景舉例來說,較高的開關頻率可以實現(xiàn)較高的功率密度,自適應的算法可在各種不同的負載條件下提高效率,非線性和預測性算法改善了對瞬態(tài)條件的動態(tài)響應。據(jù)Microchip提供的圖表來看,相比dsPIC33EP GS系列,dsPIC33CH MP系列在響應延時上從543ns提高到了280ns。

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而在開關頻率這一參數(shù)指標上,雙dsPIC33CH內(nèi)核相比dsPIC33EP GS實現(xiàn)了4倍的提升,可以達到超過2MHz的開關頻率,非常適合GaN技術。Joe表示,開關的頻率大大增加了使得在補償處理功耗方面,整個環(huán)的頻率會大大增加,增加值可以達到兩個兆赫?,F(xiàn)在通常應用的場景當中都是一個復雜的算法,但是由于dsPIC33CH可以每500納秒就進行一次升級更新,所以在這個情況下算法能夠讓這些被動的單元處于休眠狀態(tài),集中處理這些主動的單元。所以它會降低整個系統(tǒng)的成本。

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Joe還在現(xiàn)場演示了一個電機控制和GUI界面的demo。附核可以用于控制電機的轉速,而主核來對電機參數(shù)等進行顯示控制。關閉了附核之后,雖然電機可以繼續(xù)轉動,但是不能再進行參數(shù)調節(jié)。兩個核可以完全獨立工作,并且可以單獨關閉實現(xiàn)節(jié)能。從屏幕的顯示來看,主核被稱為master core,而從核被稱為slave core,非常有趣。

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在此次發(fā)布會上發(fā)布的這兩款MCU,分別代表了Microchip在16位和32位微控制器方面的最新技術,并且這兩款產(chǎn)品對于其目標市場也是十分明確,雙DSC核的dsPIC33CH可以在電機控制,開關電源等領域帶來不錯的表現(xiàn)提升;而SAM L10/11則可以在低功耗物聯(lián)網(wǎng)控制節(jié)點上展現(xiàn)自己的價值。首款搭載M23的MCU已經(jīng)面世,相信其它拿到了M23和M33授權的廠商也會盡快推出自己的安全微控制器產(chǎn)品。

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