SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發(fā)展大家應(yīng)該都比較熟悉了，它們代表了每個單元能夠存儲的比特數(shù)據(jù)，密度越來越高，容量越來越大，當(dāng)然可靠性、壽命越來越低。

SLC每單元1個比特(1bpc)，需要2檔電平;MLC每單元2個比特，需要4檔電平，容量增加100%;TLC每單元3個比特，需要8檔電平，容量增加33%……

以此類推，尚未商用的PLC每單元5個比特，需要32檔電平，而容量只有SLC的5倍。

現(xiàn)在，日本創(chuàng)業(yè)公司Floadia(富提亞科技)居然宣稱他們已經(jīng)開發(fā)出了全新的每單元7個比特(7bpc)的閃存，按照規(guī)律需要多達128檔電平，容量則相當(dāng)于SLC的10倍。

Floadia當(dāng)然沒有延續(xù)NAND閃存的老路，而是開發(fā)了全新的非易失性SONOS單元，在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)布局的基礎(chǔ)上，使用分布式電荷捕獲型結(jié)構(gòu)，中間設(shè)置了一層氮化硅薄膜，可以牢牢捕獲電荷，從而長久維持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定性，并且電壓編程擦寫循環(huán)非常簡單。

其中，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層使用了二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)材料，后者制造難度非常低。

官方號稱，在極低的電壓偏移下，這種閃存可以維持超過10萬次編程擦寫循環(huán)，即便是在150℃高溫下，也能持續(xù)保存數(shù)據(jù)長達10年之久，而現(xiàn)在主流閃存能堅持100秒就不錯了。

當(dāng)然，也先別太激動，F(xiàn)loadia這種新閃存的目標(biāo)市場(至少目前)主要是嵌入式市場，比如正在和東芝合作，利用40nm工藝進行制造，面向各種微控制器。

Floadia成立于2011年4月，創(chuàng)始人是來自日本瑞薩電子的7位工程師，都有近20年的從業(yè)經(jīng)驗，公司已經(jīng)經(jīng)歷了三輪融資，其中C輪獲得12億日元(6700萬元人民幣)。