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韓國半導(dǎo)體內(nèi)存產(chǎn)品在國際市場上占有率創(chuàng)歷史新高

KBS報道，市場調(diào)查機構(gòu)DRAMEXchange的報告顯示，今年第一、二季度三星電子和海力士在國際市場上半導(dǎo)體內(nèi)存的占有率達(dá)到55.50%和53.1%，創(chuàng)歷史新高。去年一至三季度，這兩家半導(dǎo)體公司的占有率持續(xù)維持在49%的水平。

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2009-08-13

內(nèi)存半導(dǎo)體 DRAM EXCHANGE
基于FPGA的多路模擬信號源設(shè)計

提出了一種基于FPGA的多路模擬量信號源設(shè)計方法。該系統(tǒng)以Altera公司的Cyclone系列EP2C8為核心。它包括多路數(shù)模轉(zhuǎn)換單元、電源隔離、穩(wěn)壓單元及運算放大單元等，實現(xiàn)了電源獨立的不同頻率、不同波形的多路模擬量信號源。主要模塊采用VHDL實現(xiàn)，通過合理利用路選通信號對各路模擬量信號進(jìn)行鎖存，實現(xiàn)了各路數(shù)據(jù)的正確分路，各路模擬量波形輸出，并通過USB接口上傳數(shù)據(jù)并實時顯示，經(jīng)多次測試表明，該系統(tǒng)穩(wěn)定可靠，每路輸出電壓紋波小于30 mV。

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2009-08-13

FPGA 信號源模擬信號 BSP
2009分立器件市場：應(yīng)用帶動技術(shù) 機遇推動趨勢

　目前，中國的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在國際市場占有舉足輕重的地位并保持著持續(xù)、快速、穩(wěn)定的發(fā)展。隨著電子整機、消費類電子產(chǎn)品等市場的持續(xù)升溫，半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間，因此，有關(guān)SIC基、GSN基以

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2009-08-13

分立器件半導(dǎo)體行業(yè) 中國半導(dǎo)體半導(dǎo)體分立器件
高速串行數(shù)據(jù)收發(fā)器CY7B923/933及應(yīng)用

介紹了數(shù)據(jù)收發(fā)器CY7B923/933的性能特點、結(jié)構(gòu)原理、工作模式及應(yīng)用電路。在一VME總線系統(tǒng)中，采用該收發(fā)器及UTP雙絞線實現(xiàn)了400Mbps的串行數(shù)據(jù)傳輸。

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2009-08-13

收發(fā)器高速串行數(shù)據(jù)收發(fā) 串行數(shù)據(jù)
頻率為700MHz～1GHz的FSK收發(fā)器芯片MICRF500的原理與應(yīng)用

MICRF500是Micrel公司推出的低功耗單片F(xiàn)SK無線電收發(fā)芯片。它的工作頻率范圍為700MHz～1GHz，接收靈敏度為－104dBm，RF輸出功率為10dBm。該芯片內(nèi)含接收、發(fā)射和控制接口三部分。文中介紹了MICRF500的結(jié)構(gòu)、原理和特性，給出了它的具體應(yīng)用電路。

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2009-08-13

收發(fā)器芯片 FSK HZ
單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未

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2009-08-13

Vishay MOSFET 肖特基二極管肖特基
沈陽儀表高性能硅電容差壓傳感器項目通過驗收

新聞事件：沈陽儀表高性能硅電容差壓傳感器項目通過驗收事件影響：該項目完成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)10萬只傳感器芯片，1.5萬臺傳感器的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值達(dá)1000萬元將給航空、航天、石油化工、能源電力、冶金、機械、電子、環(huán)

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2009-08-13

傳感器電力電容儀表
IDT將晶圓廠移交給TSMC，啟動Fabless轉(zhuǎn)型

IDT與臺積電(TSMC)日前簽署制造協(xié)議，將其位于美國奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造移轉(zhuǎn)給臺積電。此項協(xié)議預(yù)計在兩年內(nèi)完成所有產(chǎn)品的移轉(zhuǎn)，目前已獲得雙方公司與IDT董事會的同意。IDT全球制造副總經(jīng)理Mike Hunter

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2009-08-13

晶圓廠 BLE IDT TSMC
臺積電投資5000萬美金于太陽能相關(guān)產(chǎn)業(yè)

臺積電周二表示，董事會通過核準(zhǔn)資本預(yù)算5,000萬美元，用于太陽能相關(guān)產(chǎn)業(yè)的可能投資。臺積電稱董事會另核準(zhǔn)資本預(yù)算11億1,680萬美元以擴充十二寸晶圓廠的45奈米制程產(chǎn)能與設(shè)置32奈米制程產(chǎn)能。臺積電董事長張忠謀6月

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2009-08-13

太陽能臺積電晶圓廠 LED產(chǎn)業(yè)
得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng) 提高大批量制造超薄晶圓的處理能力

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備，得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供

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2009-08-13

晶圓微米 PAD 半導(dǎo)體
得可Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提高大批量制造超薄晶圓的處理能力

基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備，得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制，確保強健地處

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2009-08-13

晶圓微米應(yīng)用發(fā)展半導(dǎo)體
英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片

8月12日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當(dāng)今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費存儲設(shè)備。新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝，每單元可儲存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公

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2009-08-12

芯片英特爾美光 NAND
全球最大芯片應(yīng)用材料公司連續(xù)三季度虧損

據(jù)國外媒體報道，全球最大的芯片制造設(shè)備生產(chǎn)商應(yīng)用材料公司（Applied Materials Inc）周二預(yù)計，由于新訂單增長和成本大幅削減，本財季公司至少能實現(xiàn)盈虧平衡。此消息推動該公司當(dāng)日股價上漲約4%。周二應(yīng)用材料還

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2009-08-12

芯片太陽能應(yīng)用材料公司 RESEARCH
爾必達(dá)問題出在推遲代工業(yè)務(wù)

爾必達(dá)和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達(dá)6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達(dá)簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達(dá)注資，可

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2009-08-12

存儲器爾必達(dá) DDR3 65NM
三維電子晶體制造新工藝問世

日本京都大學(xué)大學(xué)院工學(xué)研究科的一個研究小組發(fā)布消息稱,他們開發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新型材料,可用來高速處理光信號以及制造超小型光集成電路片,在下

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2009-08-12

電子金屬晶體反射

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韓國半導(dǎo)體內(nèi)存產(chǎn)品在國際市場上占有率創(chuàng)歷史新高

基于FPGA的多路模擬信號源設(shè)計

2009分立器件市場：應(yīng)用帶動技術(shù) 機遇推動趨勢

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