新能源又稱(chēng)非常規(guī)能源,是指?jìng)鹘y(tǒng)能源之外的各種能源形式,如太陽(yáng)能、地?zé)崮?、風(fēng)能、海洋能、生物質(zhì)能和核聚變能等。目前我國(guó)新能源利用技術(shù)已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)展,并在各地形成了一定的規(guī)模,尤其在風(fēng)能領(lǐng)域發(fā)展非常迅
AMD日前聯(lián)同GLOBALFOUNDRIES,以及美國(guó)聯(lián)邦政府、紐約州政府和地方政府要員出席Fab 2項(xiàng)目的奠基儀式,見(jiàn)證及慶祝位于紐約州路德森林科技園區(qū)(Luther Forest Technology Campus,LFTC)的全球領(lǐng)先半導(dǎo)體制造工廠興建
8月12日消息,臺(tái)積電周二召開(kāi)董事會(huì),決定投資11億1680萬(wàn)美元,以擴(kuò)充12英寸晶圓廠的45奈米制程產(chǎn)能,與設(shè)置32奈米制程產(chǎn)能;至于市場(chǎng)關(guān)注的太陽(yáng)能投資,臺(tái)積電并未宣布投資對(duì)象,但將先投入0.5億美元在太陽(yáng)能相關(guān)產(chǎn)業(yè)
為提升于MEMS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,升全球MEMS供應(yīng)大廠亞德諾(ADI)近期傳出自9月起,將正式關(guān)閉位于英國(guó)劍橋MEMS生產(chǎn)線,同時(shí)將MESM生產(chǎn)火力集中到美國(guó)Wilmington生產(chǎn)線,不僅如此,以往由于MEMS測(cè)試成本占總制造成本過(guò)高,
今年初,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)了急劇衰退,SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告顯示,從2008年第四季到2009年第一季,全球前段制造設(shè)備資本支出下降26%,達(dá)32億美元。然而,該報(bào)告也指出,在2009年第二季,資本支出將走出谷底,整個(gè)供應(yīng)
KBS報(bào)道,市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMEXchange的報(bào)告顯示,今年第一、二季度三星電子和海力士在國(guó)際市場(chǎng)上半導(dǎo)體內(nèi)存的占有率達(dá)到55.50%和53.1%,創(chuàng)歷史新高。 去年一至三季度,這兩家半導(dǎo)體公司的占有率持續(xù)維持在49%的水平。
提出了一種基于FPGA的多路模擬量信號(hào)源設(shè)計(jì)方法。該系統(tǒng)以Altera公司的Cyclone系列EP2C8為核心。它包括多路數(shù)模轉(zhuǎn)換單元、電源隔離、穩(wěn)壓?jiǎn)卧斑\(yùn)算放大單元等,實(shí)現(xiàn)了電源獨(dú)立的不同頻率、不同波形的多路模擬量信號(hào)源。主要模塊采用VHDL實(shí)現(xiàn),通過(guò)合理利用路選通信號(hào)對(duì)各路模擬量信號(hào)進(jìn)行鎖存,實(shí)現(xiàn)了各路數(shù)據(jù)的正確分路,各路模擬量波形輸出,并通過(guò)USB接口上傳數(shù)據(jù)并實(shí)時(shí)顯示,經(jīng)多次測(cè)試表明,該系統(tǒng)穩(wěn)定可靠,每路輸出電壓紋波小于30 mV。
目前,中國(guó)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在國(guó)際市場(chǎng)占有舉足輕重的地位并保持著持續(xù)、快速、穩(wěn)定的發(fā)展。隨著電子整機(jī)、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等市場(chǎng)的持續(xù)升溫,半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間,因此,有關(guān)SIC基、GSN基以
介紹了數(shù)據(jù)收發(fā)器CY7B923/933的性能特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)原理、工作模式及應(yīng)用電路。在一VME總線系統(tǒng)中,采用該收發(fā)器及UTP雙絞線實(shí)現(xiàn)了400Mbps的串行數(shù)據(jù)傳輸。
MICRF500是Micrel公司推出的低功耗單片F(xiàn)SK無(wú)線電收發(fā)芯片。它的工作頻率范圍為700MHz~1GHz,接收靈敏度為-104dBm,RF輸出功率為10dBm。該芯片內(nèi)含接收、發(fā)射和控制接口三部分。文中介紹了MICRF500的結(jié)構(gòu)、原理和特性,給出了它的具體應(yīng)用電路。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù),Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品中前所未
新聞事件:沈陽(yáng)儀表高性能硅電容差壓傳感器項(xiàng)目通過(guò)驗(yàn)收事件影響:該項(xiàng)目完成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)只傳感器芯片,1.5萬(wàn)臺(tái)傳感器的生產(chǎn)能力,年產(chǎn)值達(dá)1000萬(wàn)元將給航空、航天、石油化工、能源電力、冶金、機(jī)械、電子、環(huán)
IDT與臺(tái)積電(TSMC)日前簽署制造協(xié)議,將其位于美國(guó)奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造移轉(zhuǎn)給臺(tái)積電。此項(xiàng)協(xié)議預(yù)計(jì)在兩年內(nèi)完成所有產(chǎn)品的移轉(zhuǎn),目前已獲得雙方公司與IDT董事會(huì)的同意。IDT全球制造副總經(jīng)理Mike Hunter
臺(tái)積電周二表示,董事會(huì)通過(guò)核準(zhǔn)資本預(yù)算5,000萬(wàn)美元,用于太陽(yáng)能相關(guān)產(chǎn)業(yè)的可能投資。臺(tái)積電稱(chēng)董事會(huì)另核準(zhǔn)資本預(yù)算11億1,680萬(wàn)美元以擴(kuò)充十二寸晶圓廠的45奈米制程產(chǎn)能與設(shè)置32奈米制程產(chǎn)能。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀6月
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供