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  • 東芝向Obducat訂購(gòu)一臺(tái)納米壓印光刻設(shè)備

    納米壓印光刻設(shè)備供應(yīng)商O(píng)bducat AB稱(chēng)公司收到來(lái)自分銷(xiāo)商的訂單，將向Toshiba發(fā)貨一臺(tái)設(shè)備。Toshiba將使用Obducat的納米壓印光刻系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行先進(jìn)的技術(shù)研發(fā)，包括光電子等。相關(guān)鏈接：http://www.eetimes.com/news/sem

  • 華虹NEC、宏力新建12寸廠(chǎng)遭擱置　傳邱慈云異動(dòng)

    大陸晶圓廠(chǎng)華虹NEC與上海宏力半導(dǎo)體整合案原本傳出9月可望有明顯進(jìn)展，然在此關(guān)鍵時(shí)刻，大陸半導(dǎo)體業(yè)界卻傳出因金融海嘯過(guò)后，大陸整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并未完全復(fù)原，使得華虹NEC與宏力攜手興建12寸廠(chǎng)計(jì)畫(huà)恐再遭擱置，將暫

  • 基于AT89S52的溫濕度檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

    引言溫度、濕度是工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的主要環(huán)境參數(shù)．對(duì)其進(jìn)行適時(shí)準(zhǔn)確的測(cè)量具有重要意義。利用單片機(jī)對(duì)溫、濕度控制。具有控溫、濕精度高、功能強(qiáng)、體積小、價(jià)格低，簡(jiǎn)單靈活等優(yōu)點(diǎn)，很好的滿(mǎn)足了工藝要求。本文介紹了利用

  • EVG開(kāi)發(fā)出芯片與晶圓鍵合新方法，大幅度縮短層疊芯片的時(shí)間

    style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奧地利EV Group（EVG）開(kāi)發(fā)出了在采用TSV（硅通孔）的3維層疊上低成本實(shí)現(xiàn)芯片與晶圓鍵合的技術(shù)。該方法能夠大幅縮

  • WCDMA分布式基站低噪聲放大器電路設(shè)計(jì)

    引 言 LNA用于接收機(jī)前端電路，主要用來(lái)放大從天線(xiàn)接收到的微弱信號(hào)，降低噪聲干擾，其噪聲指標(biāo)直接影響接收機(jī)的靈敏度，而靈敏度是通信接收機(jī)的關(guān)鍵指標(biāo)之一，所以L(fǎng)NA電路設(shè)計(jì)的優(yōu)略對(duì)于接收機(jī)性能至關(guān)重要，且

  • 6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開(kāi)始發(fā)力

    市場(chǎng)調(diào)研公司VLSIResearch指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。 VLSIResearch的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%

  • 二季度IC廠(chǎng)商排名劇烈動(dòng)蕩，AMD跌出前十

    據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insights，第二季度芯片銷(xiāo)售反彈，導(dǎo)致整體IC廠(chǎng)商排名出現(xiàn)重大變化。 據(jù)IC Insights，按第二季度銷(xiāo)售額，IC銷(xiāo)售額排名上升的廠(chǎng)商包括海力士半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科與臺(tái)積電。排名下降的廠(chǎng)商包括AMD、飛思卡

  • 基于新型共基質(zhì)電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光器件

    研究了Liq：Bphen混合層的電子傳輸特性。采用該混合層作為共基質(zhì)電子傳輸層制備了結(jié)構(gòu)為[ITO／m—MTDATA/NPB／Alq3／Liq(33％)：Bplaen／LiF／A1]的有機(jī)發(fā)光器件，基于共基質(zhì)電子傳輸層的器件驅(qū)動(dòng)電壓比傳統(tǒng)器件降低了13％而效率卻提高了21％。研究表明通過(guò)優(yōu)化混合層的摻雜濃度，可以顯著提高電子傳輸層的導(dǎo)電率，降低驅(qū)動(dòng)電壓，從而提高器件的效率。

  • 2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計(jì)

    對(duì)In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測(cè)器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ)，結(jié)合器件特性設(shè)計(jì)了一個(gè)2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成，并對(duì)讀出電路的時(shí)序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計(jì)。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲(chǔ)能力為5×107個(gè)，功耗小，噪聲低，設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)期要求。

  • 非離子型活性劑在ULSl堿性Cu拋光液中的性能

    使用四種非離子表面活性劑分別添加到以SiO2水溶膠為磨料、H202為氧化劑的堿性Cu拋光液中進(jìn)行拋光實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明，所選用的非離子型表面活性劑對(duì)材料去除率的影響不大，當(dāng)烷基酚聚氧乙烯醚在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0．25％時(shí)，拋光表面質(zhì)量提高，表面粗糙度(Ra)由1．354 nm下降到了0．897 6 nm，同時(shí)有效地減輕了Cu拋光表面的劃痕和腐蝕，其原因是聚氧乙烯鏈可以通過(guò)醚鍵與水分子形成氫鍵，在聚氧乙烯周?chē)纬梢粚尤軇┗乃けＷo(hù)了被吸附表面。

  • SEMI SMG：第二季度硅晶圓出貨面積環(huán)比大增79%

    SEMI SMG對(duì)硅晶圓市場(chǎng)的分析顯示，2009年第二季度全球硅晶圓出貨面積較第一季度大幅增長(zhǎng)。第二季度全球硅晶圓出貨面積達(dá)到16.86億平方英寸，較第一季度的9.4億平方英寸增長(zhǎng)79%，然而較去年第二季度仍減少27%?！肮杈?/p>

  • Crossing Automation收購(gòu)Asyst Technologies的大氣晶圓處理和自動(dòng)化資產(chǎn)

    Robert MacKnight將領(lǐng)導(dǎo)整合過(guò)程日前，Crossing Automation宣布該公司已經(jīng)進(jìn)入了最終協(xié)議，將收購(gòu)Asyst Technologies的大氣技術(shù)和IP資產(chǎn)，包括分類(lèi)器產(chǎn)品線(xiàn)， EFEM （設(shè)備前端模塊）和RFID產(chǎn)品。 Crossing Automatio

  • 臺(tái)積電CEO叫板Globalfoundries

    隨著Globalfoundries紐約廠(chǎng)的破土動(dòng)工，半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)也愈加激烈。近日，臺(tái)積電CEO張忠謀在接受記者采訪(fǎng)時(shí)就將他們和Globalfoundries的競(jìng)爭(zhēng)比作是一場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)，把自己比作是斯大林，同時(shí)認(rèn)為他們將取得最終的勝利。張

  • 微捷碼Quartz DRC和Quartz LVS支持臺(tái)積電統(tǒng)一物理驗(yàn)證格式

    芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司(納斯達(dá)克代碼：LAVA)日前宣布，Quartz™ DRC和Quartz LVS現(xiàn)在可支持臺(tái)積電(TSMC)互操作設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)和互操作版圖電路圖一致性檢查(iLVS)。采

  • 消費(fèi)電子將成為MEMS感測(cè)器新殺手應(yīng)用

    MEMS感測(cè)器應(yīng)用於車(chē)用電子領(lǐng)域已是很普遍的事了，車(chē)用領(lǐng)域所需的安全性與堅(jiān)固耐用性標(biāo)準(zhǔn)，也是該領(lǐng)域最需關(guān)注的問(wèn)題。然而應(yīng)用於消費(fèi)性電子產(chǎn)品，則又是完全不同的全新領(lǐng)域了。儘管MEMS感測(cè)器應(yīng)用於消費(fèi)性電子產(chǎn)品也

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