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  • 將PIC16C711片內(nèi)8位A/D提高到11位的方法

    介紹一種將PIC16C711片內(nèi)8位A/D提高到11位的方法。此方法電路簡(jiǎn)單，速度快，可提高單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的性能價(jià)格比，具有一定的推廣價(jià)值。

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    2009-08-07
    PIC16 A/D OV ADC

  • RIM申請(qǐng)混合式觸摸屏技術(shù)新專利

    黑莓的廠商RIM日前為一種融合了電阻/電容式技術(shù)的混合式觸摸屏設(shè)計(jì)申請(qǐng)了新專利。使用這種新技術(shù)，觸摸屏不僅可以保持多點(diǎn)觸摸的精度，還可以迅速對(duì)手指動(dòng)作做出反應(yīng)。電容式觸摸屏的缺點(diǎn)主要是價(jià)格高昂，因此一般只

  • 警惕盜版“盯”上3G測(cè)試儀器租賃行業(yè)

    打擊盜版是如今信息業(yè)界的中心話題之一，盜版在中國(guó)的情況也相當(dāng)嚴(yán)重，當(dāng)前中國(guó)軟件盜版主要反映在非法制作、銷售盜版軟件光盤(pán)，計(jì)算機(jī)硬件服務(wù)商非法預(yù)裝軟件，企業(yè)用戶擅自安裝未經(jīng)授權(quán)的軟件等方面，為了打擊猖獗

  • 東芝向Obducat訂購(gòu)一臺(tái)納米壓印光刻設(shè)備

    納米壓印光刻設(shè)備供應(yīng)商O(píng)bducat AB稱公司收到來(lái)自分銷商的訂單，將向Toshiba發(fā)貨一臺(tái)設(shè)備。Toshiba將使用Obducat的納米壓印光刻系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行先進(jìn)的技術(shù)研發(fā)，包括光電子等。相關(guān)鏈接：http://www.eetimes.com/news/sem

  • 華虹NEC、宏力新建12寸廠遭擱置　傳邱慈云異動(dòng)

    大陸晶圓廠華虹NEC與上海宏力半導(dǎo)體整合案原本傳出9月可望有明顯進(jìn)展，然在此關(guān)鍵時(shí)刻，大陸半導(dǎo)體業(yè)界卻傳出因金融海嘯過(guò)后，大陸整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并未完全復(fù)原，使得華虹NEC與宏力攜手興建12寸廠計(jì)畫(huà)恐再遭擱置，將暫

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    2009-08-07
    華虹 晶圓廠 NEC

  • 基于AT89S52的溫濕度檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

    引言溫度、濕度是工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的主要環(huán)境參數(shù)．對(duì)其進(jìn)行適時(shí)準(zhǔn)確的測(cè)量具有重要意義。利用單片機(jī)對(duì)溫、濕度控制。具有控溫、濕精度高、功能強(qiáng)、體積小、價(jià)格低，簡(jiǎn)單靈活等優(yōu)點(diǎn)，很好的滿足了工藝要求。本文介紹了利用

  • EVG開(kāi)發(fā)出芯片與晶圓鍵合新方法，大幅度縮短層疊芯片的時(shí)間

    style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奧地利EV Group（EVG）開(kāi)發(fā)出了在采用TSV（硅通孔）的3維層疊上低成本實(shí)現(xiàn)芯片與晶圓鍵合的技術(shù)。該方法能夠大幅縮

  • WCDMA分布式基站低噪聲放大器電路設(shè)計(jì)

    引 言 LNA用于接收機(jī)前端電路，主要用來(lái)放大從天線接收到的微弱信號(hào)，降低噪聲干擾，其噪聲指標(biāo)直接影響接收機(jī)的靈敏度，而靈敏度是通信接收機(jī)的關(guān)鍵指標(biāo)之一，所以LNA電路設(shè)計(jì)的優(yōu)略對(duì)于接收機(jī)性能至關(guān)重要，且

  • 6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開(kāi)始發(fā)力

    市場(chǎng)調(diào)研公司VLSIResearch指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。 VLSIResearch的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%

  • 二季度IC廠商排名劇烈動(dòng)蕩，AMD跌出前十

    據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insights，第二季度芯片銷售反彈，導(dǎo)致整體IC廠商排名出現(xiàn)重大變化。 據(jù)IC Insights，按第二季度銷售額，IC銷售額排名上升的廠商包括海力士半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科與臺(tái)積電。排名下降的廠商包括AMD、飛思卡

  • 基于新型共基質(zhì)電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光器件

    研究了Liq：Bphen混合層的電子傳輸特性。采用該混合層作為共基質(zhì)電子傳輸層制備了結(jié)構(gòu)為[ITO／m—MTDATA/NPB／Alq3／Liq(33％)：Bplaen／LiF／A1]的有機(jī)發(fā)光器件，基于共基質(zhì)電子傳輸層的器件驅(qū)動(dòng)電壓比傳統(tǒng)器件降低了13％而效率卻提高了21％。研究表明通過(guò)優(yōu)化混合層的摻雜濃度，可以顯著提高電子傳輸層的導(dǎo)電率，降低驅(qū)動(dòng)電壓，從而提高器件的效率。

  • 2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計(jì)

    對(duì)In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測(cè)器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ)，結(jié)合器件特性設(shè)計(jì)了一個(gè)2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成，并對(duì)讀出電路的時(shí)序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計(jì)。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲(chǔ)能力為5×107個(gè)，功耗小，噪聲低，設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)期要求。

  • 非離子型活性劑在ULSl堿性Cu拋光液中的性能

    使用四種非離子表面活性劑分別添加到以SiO2水溶膠為磨料、H202為氧化劑的堿性Cu拋光液中進(jìn)行拋光實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明，所選用的非離子型表面活性劑對(duì)材料去除率的影響不大，當(dāng)烷基酚聚氧乙烯醚在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0．25％時(shí)，拋光表面質(zhì)量提高，表面粗糙度(Ra)由1．354 nm下降到了0．897 6 nm，同時(shí)有效地減輕了Cu拋光表面的劃痕和腐蝕，其原因是聚氧乙烯鏈可以通過(guò)醚鍵與水分子形成氫鍵，在聚氧乙烯周圍形成一層溶劑化的水膜保護(hù)了被吸附表面。

  • SEMI SMG：第二季度硅晶圓出貨面積環(huán)比大增79%

    SEMI SMG對(duì)硅晶圓市場(chǎng)的分析顯示，2009年第二季度全球硅晶圓出貨面積較第一季度大幅增長(zhǎng)。第二季度全球硅晶圓出貨面積達(dá)到16.86億平方英寸，較第一季度的9.4億平方英寸增長(zhǎng)79%，然而較去年第二季度仍減少27%。“硅晶

  • Crossing Automation收購(gòu)Asyst Technologies的大氣晶圓處理和自動(dòng)化資產(chǎn)

    Robert MacKnight將領(lǐng)導(dǎo)整合過(guò)程日前，Crossing Automation宣布該公司已經(jīng)進(jìn)入了最終協(xié)議，將收購(gòu)Asyst Technologies的大氣技術(shù)和IP資產(chǎn)，包括分類器產(chǎn)品線， EFEM （設(shè)備前端模塊）和RFID產(chǎn)品。 Crossing Automatio

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