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  • 微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結(jié)果表明二極管結(jié)面積的大小，也就是二極管結(jié)電容的大小，影響著二極管的表面復(fù)合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結(jié)構(gòu)對二極管電阻的溫度性能影響不大。結(jié)電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關(guān)系，結(jié)電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結(jié)果可以用來預(yù)測pin二極管開關(guān)和衰減器的溫度性能，進(jìn)一步可以應(yīng)用于電路溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應(yīng)用

    對目前我國煤礦用燈作了簡單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應(yīng)為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應(yīng)該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機(jī)理。通過光譜分析，得出了LED在實(shí)際照明應(yīng)用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對LED燈隔爆兼本安驅(qū)動電路作了設(shè)計(jì)并對小功率LED燈進(jìn)行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應(yīng)用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設(shè)計(jì)

    為適應(yīng)目前無線通信領(lǐng)域?qū)Ω咚貯／D轉(zhuǎn)換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進(jìn)行仿真驗(yàn)證的方法，對高速A／D前端采樣保持電路進(jìn)行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT?；贐iCMOS開關(guān)射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時(shí)鐘頻率為800 MHz時(shí)，其無雜波動態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結(jié)果顯示設(shè)計(jì)的電路可以用于中精度、高速A／D轉(zhuǎn)換器。

  • 三款新型 Gigaspira 積層磁珠產(chǎn)品（TDK）

    TDK公司近日宣布，已新開發(fā)出三款MMZ1005-E Gigaspira積層GHz頻帶貼片磁珠系列產(chǎn)品。該新產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)最高1阻抗效果，并計(jì)劃于6月開始批量生產(chǎn)。 通過獨(dú)創(chuàng)的積層結(jié)構(gòu)技術(shù)和鐵氧體技術(shù)的開發(fā)，該產(chǎn)品成功實(shí)現(xiàn)了阻抗

    模擬
    2009-04-17
    阻抗 磁珠 TDK SPI

  • 透視電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機(jī)遇

    由中國電源學(xué)會和賽迪顧問股份有限公司共同主辦的“2009電源行業(yè)發(fā)展高峰論壇”將于6月19日在深圳舉行。此次高峰論壇將是電源行業(yè)界首次在全國范圍內(nèi)圍繞“市場發(fā)展與產(chǎn)業(yè)升級”研討的高水平、高

  • 意法半導(dǎo)體推出LIS352AX基于MEMS的運(yùn)動傳感器

    全球領(lǐng)先消費(fèi)電子和便攜設(shè)備運(yùn)動傳感器芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出一款內(nèi)置絕對模擬輸出的三軸加速傳感器，進(jìn)一步擴(kuò)大超微型高性能的MEMS產(chǎn)品陣容。意法半導(dǎo)體的LIS352AX在2.16V到3.6V之間任何電源電壓都可以操作，適用

  • 集成線性霍爾編碼器（奧地利微電子）

    奧地利微電子公司發(fā)布首款可實(shí)現(xiàn)亞微米分辨率并基于線性霍爾效應(yīng)傳感器的磁編碼器AS5311。與2mm極對長度的磁條一起使用，AS5311可通過其增量輸出和串行輸出分別提供1.95微米和488納米分辨率的信號。奧地利微電子編碼

  • 集成電路Cu互連線的XRD研究

    對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

    模擬
    2009-04-16
    器件 電容 BOX BSP

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的降采樣低通濾波器的設(shè)計(jì)和實(shí) 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補(bǔ)償技術(shù)對通帶的下降進(jìn)行補(bǔ)償，最后級聯(lián)三個(gè)半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實(shí)現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測試結(jié)果表明，性能滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。與傳統(tǒng)音頻領(lǐng)域的∑-△ADC應(yīng)用相比，該設(shè)計(jì)在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應(yīng)用于醫(yī)療儀器、移動通信、過程控制和PDA(personal digital assistants)等領(lǐng)域。

  • SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

    使用國產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。

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    2009-04-16
    波段 GAN SIC BSP

  • Mouser 與Linx Technologies達(dá)成全球經(jīng)銷協(xié)議

    Mansfield, Texas, USA—2009年4月15日—Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser 與Linx Technologies達(dá)成全球經(jīng)銷協(xié)議。Linx Technologies是多用途射頻產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商。它創(chuàng)建于

  • Toshiba帶來能量密度提高1.5倍的車輛電池

    東芝已經(jīng)開發(fā)新型的電動車輛鋰離子電池，它采用全新的鈦酸鋰材料作為負(fù)極，因此它的能量密度比現(xiàn)有的電池要高，提高到100Wh/kg。該產(chǎn)品有望在今年秋季上市，它當(dāng)前樣本的容量為20Ah，輸出的功率密度為1,000W/kg。相比

  • 一種應(yīng)用于SoC的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

    本文提出了一種應(yīng)用于SoC的高速高精度DAC的設(shè)計(jì)，并在深亞微米CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)了IP硬核形式的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)在高速條件下具有良好的性能，且功耗與面積都較小，能夠有效滿足通信、測量、自動控制、多媒體等領(lǐng)域的SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用需求。

  • 英特爾09年Q1凈利6.47億 繼續(xù)保持22年盈利記錄

    4月15日消息，英特爾(博客)今天公布了2009年第一財(cái)季財(cái)報(bào)，營收71億美元，同比下滑26%；凈利潤6.47億美元，同比下降55%，業(yè)績結(jié)果略微超過分析師預(yù)期。 在上一財(cái)季受金融危機(jī)沖擊，利潤下滑90%之后，英特爾CEO歐德寧

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