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AT91SAM7X的多路USB2．0數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

隨著SoC技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用單芯片滿足應(yīng)用中的各種需求已經(jīng)成為一種趨勢(shì)。將更多設(shè)計(jì)中必需的通用外設(shè)集成到芯片內(nèi)部，不但可以降低成本，而且可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文給出一種基于AT91SAM7X的單芯片多路USB2．O數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案。芯片本身集成USB2．O接口和8路10位A／D轉(zhuǎn)換器，外部標(biāo)準(zhǔn)的一5～+5 V信號(hào)可以直接接入本系統(tǒng)進(jìn)行采集，達(dá)到了降低成本、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性的目的。

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2008-12-24

USB AT91 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) SAM
低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計(jì)與優(yōu)化

分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù)：實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對(duì)其固有不足，提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法。

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2008-12-24

低功耗低噪聲放大器設(shè)計(jì) CMOS
全新微型濾波器（ST）

到2010年，超過(guò)75%的新手機(jī)將具有MP3音樂(lè)播放功能。隨著音樂(lè)手機(jī)普及，音頻性能成為設(shè)計(jì)者的關(guān)注焦點(diǎn)。新手機(jī)設(shè)計(jì)將更要求改進(jìn)降噪性能，意法半導(dǎo)體（ST）針對(duì)新的市場(chǎng)需求，推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。在珍

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2008-12-24

濾波器微型 ST EMI
基于LTC2753的數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)

介紹了Linear公司的雙路電流輸出的數(shù)模(D／A)轉(zhuǎn)換器LTC2753的主要特性、電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路。并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了偏移量和增益調(diào)整電路。

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2008-12-23

電路設(shè)計(jì) 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 BSP LTC
低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)要點(diǎn)

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種高性能、高效率、使用方便、成本低廉的線性穩(wěn)壓器件。首先對(duì)線性穩(wěn)壓器的基本類型作了比較，然后詳細(xì)闡述LDO的電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)及LDO的布局，最后對(duì)LDO的常見(jiàn)故障加以分析。

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2008-12-23

輸出電壓低壓差線性穩(wěn)壓器 LDO BSP
拯救臺(tái)灣存儲(chǔ)芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

日前，由臺(tái)灣地區(qū)最高經(jīng)濟(jì)主管機(jī)構(gòu)緊急召開(kāi)的當(dāng)?shù)卮鎯?chǔ)芯片業(yè)拯救會(huì)議，并沒(méi)有出現(xiàn)期待中的直接以資金落實(shí)救援的計(jì)劃。該機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)人之一、“協(xié)助DRAM產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目小組”召集人施顏祥表示，將采用直接資金援助外加整合的

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2008-12-23

三星爾必達(dá) 美光科技存儲(chǔ)芯片
花旗調(diào)降韓國(guó)海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價(jià)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)估

花旗調(diào)降韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(000660.KS)目標(biāo)股價(jià)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)測(cè)，但花旗指稱，海力士中期展望有扭轉(zhuǎn)回升的可能性。在一份12月17日的研究報(bào)告中，花旗將海力士目標(biāo)價(jià)由25,500韓圜降至22,500韓圜，并調(diào)降海力士2008年第

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2008-12-23

半導(dǎo)體 DRAM 海力士
LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動(dòng)力電動(dòng)汽車的電池技術(shù)

半導(dǎo)體供應(yīng)商之一意法半導(dǎo)體與韓國(guó)最大的化工企業(yè)LG化學(xué)，公布了一項(xiàng)新的汽車電池組技術(shù)的細(xì)節(jié)，這項(xiàng)技術(shù)既可以降低汽油消耗，又可減少汽車的二氧化碳排放量，可以顯著提升電動(dòng)及混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（HEV）的市場(chǎng)潛力。

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2008-12-23

意法半導(dǎo)體電池技術(shù) LG 混合動(dòng)力電動(dòng)汽車
全新ESD保護(hù)二極管（ST）

意法半導(dǎo)體（ST）推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測(cè)試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對(duì)調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。 ESDALCxx-1U2

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2008-12-23

二極管 ST ESD保護(hù) BSP
新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

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2008-12-23

Vishay 功率MOSFET BSP TRENCHFET
廠商控制出貨量內(nèi)存價(jià)格將上揚(yáng)

隨著HynixSemiconductor（海力士半導(dǎo)體公司）宣布削減20%的DRAM內(nèi)存產(chǎn)量，以及各國(guó)政府紛紛表示將出面挽救內(nèi)存市場(chǎng)，內(nèi)存價(jià)格有了一定的提升。近幾個(gè)月來(lái)，內(nèi)存供應(yīng)商一直在清理庫(kù)存，現(xiàn)在卻開(kāi)始進(jìn)入供不應(yīng)求的局

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2008-12-22

DRAM 內(nèi)存控制 DDR
芯片需求降低半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備設(shè)備減產(chǎn)

芯片設(shè)備商叫苦，整個(gè)電子與高科技業(yè)隨之沉淪。這是非常簡(jiǎn)單的等式。電子產(chǎn)品制造商向芯片制造商購(gòu)買芯片，后者則向如應(yīng)用材料（Applied Materials）和ASML等設(shè)備制造商購(gòu)買生產(chǎn)設(shè)備。上游出問(wèn)題，下游情況自然堪慮。

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2008-12-22

半導(dǎo)體芯片 ASML ISUPPLI
英特爾合資公司Numonyx推消費(fèi)級(jí)NAND閃存

英特爾與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics NV)的合資子公司本周四宣布推出用于從手機(jī)、USB設(shè)備到數(shù)碼相機(jī)和MP3播放器等消費(fèi)電子產(chǎn)品的NAND閃存產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用了Numonyx最新的41納米制程工藝，其中包括用于固

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2008-12-22

英特爾 NAND閃存 GB MICROSD
完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET（Diodes）

Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。

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2008-12-22

MOSFET 低壓 BSP DIODES
高清話質(zhì)-無(wú)與倫比的VoIP話質(zhì)

處于該產(chǎn)業(yè)鏈上的所有人都會(huì)從高清語(yǔ)音的發(fā)展中受益；最重要的是終端用戶將獲得一種永遠(yuǎn)不想失去的全新體驗(yàn)。

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2008-12-22

寬帶窄帶 KHZ VOIP

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AT91SAM7X的多路USB2．0數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計(jì)與優(yōu)化

全新微型濾波器（ST）

基于LTC2753的數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)

低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)要點(diǎn)

拯救臺(tái)灣存儲(chǔ)芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

花旗調(diào)降韓國(guó)海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價(jià)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)估

LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動(dòng)力電動(dòng)汽車的電池技術(shù)

全新ESD保護(hù)二極管（ST）

新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

廠商控制出貨量內(nèi)存價(jià)格將上揚(yáng)

芯片需求降低半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備設(shè)備減產(chǎn)

英特爾合資公司Numonyx推消費(fèi)級(jí)NAND閃存

完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET（Diodes）

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