高性能鋁電容器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。 Vishay的EKX 器件采用 14

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。

小數(shù)分頻與快鎖芯片ADF4193的原理與應(yīng)用

由ADF4193的配置時序可以看出，ADF4193是一款易配置和使用的芯片，使用它可以簡化設(shè)計復(fù)雜度，縮短項目調(diào)試周期。從測量的相位噪聲和鎖定時間的結(jié)果可以看出：ADF4193具有很好的性能指標(biāo)，而且穩(wěn)定性比較好。ADF4193的最主要的優(yōu)點是可以簡單的實現(xiàn)跳頻，它不再需要使用\"乒乓切換\"電路，因而可縮短系統(tǒng)的切換時間，以在時隙的保護(hù)時間內(nèi)實現(xiàn)頻率切換。事實證明，ADF4193比\"乒乓切換\"電路更能簡化電路，減少成本，同時可節(jié)省PCB的布板面積。很適合在通信系統(tǒng)中使用。

海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出2Gb移動DRAM

據(jù)韓聯(lián)社報道，海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出了采用54納米技術(shù)的2Gb移動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)，計劃從明年上半年開始生產(chǎn)。 該產(chǎn)品是世界上首個采用54納米超微工藝的2Gb高容量產(chǎn)品。目前用于多芯片封裝(Multi

2008年晶圓廠產(chǎn)能增長5% 創(chuàng)02年以來新低

據(jù)SEMI近期發(fā)布的全球晶圓廠預(yù)測(World Fab Forecast)報告，2008年全球晶圓廠產(chǎn)能預(yù)計增長5%，2009年預(yù)計增長4%至5%。 2003年至2007年，半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能年均增長率幾乎均保持兩位數(shù)，然而在全球經(jīng)濟(jì)形勢極其不確定

上海集成電路行業(yè)協(xié)會向政府上報“本市集成電路產(chǎn)業(yè)面臨困境、持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展亟需采取有效措施”報告

“十五”期間，上海集成電路產(chǎn)業(yè)年均增長46.85%，明顯高于全國年均32%的增幅。然而2006—2007年，出現(xiàn)了“二個下降”的局面:一是銷售增幅逐年下降。年銷售增長率從2005年的31.22%，分別下降到25.41%和2.5%，遠(yuǎn)低于全

上海集成電路產(chǎn)業(yè)第三季度業(yè)績向好

根據(jù)上海集成電路行業(yè)協(xié)會對上海133家主要集成電路企業(yè)第三季度銷售額的統(tǒng)計，上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢仍然看好。今年第三季度和前三季度設(shè)計業(yè)、芯片制造業(yè)、封裝測試業(yè)和設(shè)備材料業(yè)的銷售額以及與去年同期比較分

我國首次實現(xiàn)原子芯片上的玻色-愛因斯坦凝聚體

原本大型磁場線圈才能“綁”住的原子，現(xiàn)在僅用100微米寬的光刻線圈，就能讓其“定身”。最近，記者從中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所獲悉，該所量子光學(xué)重點實驗室一研究小組實現(xiàn)了我國第一個原子芯片上的玻色-愛因斯

全球三大晶圓代工巨頭進(jìn)行人事成本調(diào)整

全球最大的晶圓 (晶圓指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱晶圓)代工企業(yè)臺灣集成電路公司 (下稱臺積電)和第二大企業(yè)聯(lián)華電子(下稱聯(lián)電)為減少產(chǎn)業(yè)寒冬的沖擊，均開始進(jìn)行大規(guī)模的人事成本調(diào)

AMD高調(diào)宣布新一代處理器“上?！钡顷懼袊?/a>

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45

FlexRay Active Star器件（奧地利微電子）

奧地利微電子公司推出具有嵌入式比特整形器的AS8224 FlexRay Active Star器件，適用于最受限的FlexRay系統(tǒng)參數(shù)解決方案。這款用于車載網(wǎng)絡(luò)的新型收發(fā)器是在德國斯圖加特附近Fellbach舉辦的FlexRay產(chǎn)品日首次亮相的

全國化合物半導(dǎo)體材料學(xué)術(shù)會議召開

第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會議于2008年11月30日在廣州召開。會議由中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會、電子材料分會主辦，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點實驗室和廣州市科協(xié)承辦。會議

燦芯半導(dǎo)體在中國65nm設(shè)計代工市場上先聲奪人

上海一家只有半年歷史的ASIC設(shè)計服務(wù)公司燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司已經(jīng)在今年7月、9月和10月連創(chuàng)了三個中國ASIC設(shè)計代工史上的三個奇跡，先是在成立后的第三個月（2008年7月）與國內(nèi)一家知名的半導(dǎo)體設(shè)計公司共同宣