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全球三大晶圓代工巨頭進(jìn)行人事成本調(diào)整

全球最大的晶圓 (晶圓指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱晶圓)代工企業(yè)臺(tái)灣集成電路公司 (下稱臺(tái)積電)和第二大企業(yè)聯(lián)華電子(下稱聯(lián)電)為減少產(chǎn)業(yè)寒冬的沖擊，均開始進(jìn)行大規(guī)模的人事成本調(diào)

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2008-12-04

晶圓代工聯(lián)電中芯國(guó)際臺(tái)積電
AMD高調(diào)宣布新一代處理器“上?！钡顷懼袊?guó)

AMD全球副總裁王正福稱，“上?！睂㈤_啟一個(gè)新的時(shí)代。冬日的寒意中，電腦處理器市場(chǎng)卻正“酣戰(zhàn)”。積蓄已久的AMD雄心勃勃地決心打出一場(chǎng)漂亮的“拐點(diǎn)戰(zhàn)”，戰(zhàn)役的名稱及武器就叫“上海”。昨天，在獨(dú)具意味的上

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2008-12-04

戴爾處理器 AMD 四核
表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

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2008-12-04

封裝 Vishay 功率MOSFET POLAR
采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45

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2008-12-04

Vishay 功率MOSFET BSP TURBO
FlexRay Active Star器件（奧地利微電子）

奧地利微電子公司推出具有嵌入式比特整形器的AS8224 FlexRay Active Star器件，適用于最受限的FlexRay系統(tǒng)參數(shù)解決方案。這款用于車載網(wǎng)絡(luò)的新型收發(fā)器是在德國(guó)斯圖加特附近Fellbach舉辦的FlexRay產(chǎn)品日首次亮相的

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2008-12-04

器件奧地利微電子 ACTIVE FLEXRAY
全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料學(xué)術(shù)會(huì)議召開

第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議于2008年11月30日在廣州召開。會(huì)議由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和廣州市科協(xié)承辦。會(huì)議

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2008-12-03

國(guó)家半導(dǎo)體半導(dǎo)體照明半導(dǎo)體材料微波器件
燦芯半導(dǎo)體在中國(guó)65nm設(shè)計(jì)代工市場(chǎng)上先聲奪人

上海一家只有半年歷史的ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)公司燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司已經(jīng)在今年7月、9月和10月連創(chuàng)了三個(gè)中國(guó)ASIC設(shè)計(jì)代工史上的三個(gè)奇跡，先是在成立后的第三個(gè)月（2008年7月）與國(guó)內(nèi)一家知名的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司共同宣

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2008-12-03

半導(dǎo)體 Silicon PEN 65NM
日月光半導(dǎo)體預(yù)計(jì)第四財(cái)季收入下降25%-28%

日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(Advanced Semiconductor Engineering Inc., ASE)周二表示，受需求下降影響，該公司第四財(cái)政季度收入或較第三財(cái)季的新臺(tái)幣258.1億元下降25%-28%。該公司10月底時(shí)的預(yù)期為，第四財(cái)季收

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2008-12-03

半導(dǎo)體 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING
英特爾否認(rèn)Core i7芯片存在TBL驗(yàn)證瑕疵

12月3日消息，互聯(lián)網(wǎng)上的傳言說，英特爾最新發(fā)布的Core i7芯片存在一個(gè)技術(shù)故障。這個(gè)技術(shù)故障同以前影響到AMD的Phenom和Opteron芯片內(nèi)核的故障是一樣的。英特爾本周二上午否認(rèn)了這種傳言。一個(gè)最近的Core i7軟件

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2008-12-03

芯片英特爾 AMD CORE
全球第2大代工巨頭偉創(chuàng)力瘦身應(yīng)對(duì)金融危機(jī)

剛走出大規(guī)模裁員傳聞的全球第二大電子代工巨頭——新加坡偉創(chuàng)力公司，或?qū)⒄归_一場(chǎng)關(guān)廠行動(dòng)。 “確切的信息是，公司將關(guān)閉全球21座工廠。”昨天，該公司旗下北中國(guó)區(qū)總部一位人士對(duì)《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》透露，公司部分

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2008-12-03

富士康思科偉創(chuàng)力
SICAS：第三季度半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率降至86.9% 先進(jìn)制程需求保持強(qiáng)勁

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織（SICAS）發(fā)布的報(bào)告顯示，第三季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能利用率繼續(xù)走低。然而，不同類別產(chǎn)品之間的差異之大讓人吃驚。第三季度產(chǎn)能利用率從第二季度的88.5%降低至86.9%。這是近兩年來的新低，2

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2008-12-02

半導(dǎo)體先進(jìn)制程晶圓 SIC
iSuppli：08年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售收入跌2%

12月2日消息，據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli本周一發(fā)表的研究報(bào)告稱，由于PC和消費(fèi)電子產(chǎn)品需求疲軟，全球半導(dǎo)體銷售收入今年預(yù)計(jì)將下降。這種趨勢(shì)將繼續(xù)影響明年的芯片銷售。 iSuppli高級(jí)副總裁Dale Ford說，由于全球金融

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2008-12-02

半導(dǎo)體市場(chǎng) 內(nèi)存芯片 PC ISUPPLI
臺(tái)積電加速技術(shù)研發(fā)縮減兩成預(yù)算度寒冬

“我們明年將縮減20%資本支出，但并不減少在科研方面的投入?！?1月25日，全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉浩向本報(bào)表示，在經(jīng)濟(jì)衰退的當(dāng)口，臺(tái)積電以減少產(chǎn)能擴(kuò)張，加速技術(shù)研發(fā)來蓄勢(shì)待發(fā)，年研發(fā)支出仍維持

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2008-12-01

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 40納米 IC制造臺(tái)積電
聯(lián)華試制采用high-k金屬柵極的45nm工藝SRAM

臺(tái)灣聯(lián)華電子（United Microelectronics，UMC）采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極技術(shù)，試制出45nm工藝的SRAM英文發(fā)布資料。至此，實(shí)現(xiàn)32/28nm工藝用high-k/金屬柵極技術(shù)的第一階段已完成。該公司2008年10月試制出了2

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2008-12-01

金屬柵極聯(lián)華 SRAM
英特爾要求延期回應(yīng)時(shí)間指責(zé)歐盟偏袒AMD

英特爾稱，它不能對(duì)歐盟委員會(huì)對(duì)它的商業(yè)行為調(diào)查做出回應(yīng)，除非歐盟委員會(huì)允許它查看AMD的某些文件。英特爾正在要求把它的回應(yīng)時(shí)間延期到它看到AMD的投訴文件之后的一個(gè)月。今年7月，英特爾收到了歐盟委員會(huì)發(fā)給它

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2008-12-01

英特爾 AMD 英特爾芯片 OEM

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全球三大晶圓代工巨頭進(jìn)行人事成本調(diào)整

AMD高調(diào)宣布新一代處理器“上?！钡顷懼袊?guó)

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

FlexRay Active Star器件（奧地利微電子）

全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料學(xué)術(shù)會(huì)議召開

燦芯半導(dǎo)體在中國(guó)65nm設(shè)計(jì)代工市場(chǎng)上先聲奪人

日月光半導(dǎo)體預(yù)計(jì)第四財(cái)季收入下降25%-28%

英特爾否認(rèn)Core i7芯片存在TBL驗(yàn)證瑕疵

全球第2大代工巨頭偉創(chuàng)力瘦身應(yīng)對(duì)金融危機(jī)

SICAS：第三季度半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率降至86.9% 先進(jìn)制程需求保持強(qiáng)勁

iSuppli：08年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售收入跌2%

臺(tái)積電加速技術(shù)研發(fā)縮減兩成預(yù)算度寒冬

聯(lián)華試制采用high-k金屬柵極的45nm工藝SRAM

英特爾要求延期回應(yīng)時(shí)間指責(zé)歐盟偏袒AMD

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