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黃崇仁：國際化整并 DRAM才有救

DRAM產(chǎn)業(yè)政府到底救不救？一直是近來產(chǎn)官學(xué)重視的議題，不過上月中才對外喊話力晶不需要政府救的力晶董事長黃崇仁，昨日卻大聲疾呼，DRAM目前最大問題不是整并，而是戰(zhàn)略上考慮，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)一定要存在，否則韓國獨(dú)

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2008-12-08

DRAM 消費(fèi)電子電子市場
高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC（SII）

精工電子有限公司(SII)的S-5711A 系列是采用CMOS 技術(shù)開發(fā)的高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC(磁性開關(guān)IC)。可檢測出磁束密度的強(qiáng)弱，使輸出電壓發(fā)生變化。通過與磁石的組合，可進(jìn)行各種設(shè)備的開/關(guān)檢測。由于

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2008-12-08

溫度電流 BSP 霍爾IC
TI PGA308模擬傳感器信號調(diào)理方案

本文主要介紹了利用LPC2106硬件平臺和OV6620攝像頭進(jìn)行圖像采集，以及將采集到的圖像數(shù)據(jù)通過SD卡進(jìn)行圖像存儲的方法。與普通的視頻采集卡相比，此嵌入式圖像采集系統(tǒng)極大地簡化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本，縮短了開發(fā)周期；圖像數(shù)據(jù)的采集與處理均由ARM芯片完成，因而降低了數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)過程中傳輸錯(cuò)誤的幾率，提高了系統(tǒng)的可靠性。

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2008-12-08

信號調(diào)理模擬傳感器 PGA
450mm晶圓初步標(biāo)準(zhǔn)推出問世時(shí)間可能推遲

旨在加快450mm晶圓廠的發(fā)展，InternationalSematech(國際半導(dǎo)體制造聯(lián)盟)和其它組織為450mm硅晶圓制定了一個(gè)初步標(biāo)準(zhǔn)。但在目前IC產(chǎn)業(yè)蕭條和經(jīng)濟(jì)危機(jī)環(huán)境下，450mm晶圓時(shí)代的來臨可能被推遲。其間，在經(jīng)歷幾個(gè)

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2008-12-05

晶圓晶圓廠基板 ISM
KLA-Tencor：業(yè)務(wù)將擴(kuò)展至半導(dǎo)體后工序、太陽能電池和LED

KLA-Tencor首席市場官Brian Trafas表示，該公司業(yè)務(wù)發(fā)展方向?qū)⑦M(jìn)一步擴(kuò)大，除原來的半導(dǎo)體前工序檢測外，今后的業(yè)務(wù)范圍還將擴(kuò)展至后工序和綠色科技相關(guān)的檢測技術(shù)方面。 Brian Trafas表示，本公司春季收購了ICOS V

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2008-12-05

半導(dǎo)體 LED 太陽能電池 TE
廣電總局證實(shí)聯(lián)發(fā)科展訊投身CMMB手機(jī)芯片

11月28日消息，近日國家廣電總局運(yùn)營CMMB的中廣移動公司的一次會上，著名的“黑手機(jī)之父”聯(lián)發(fā)科和國內(nèi)著名手機(jī)芯片企業(yè)展訊同時(shí)現(xiàn)身。而中廣移動公司也證實(shí)，聯(lián)發(fā)科不僅進(jìn)軍CMMB手機(jī)芯片，還將于2009年推出可加密的

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2008-12-05

移動聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片 CMMB
中國傳感器市場增長平穩(wěn)

根據(jù)國內(nèi)權(quán)威數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，最近幾年中國的傳感器年度銷售平均增長達(dá)到39%，這個(gè)數(shù)據(jù)對于業(yè)界而言意味著巨大的商業(yè)發(fā)展機(jī)遇。近年來，國內(nèi)基礎(chǔ)元器件市場一直保持平穩(wěn)增長的態(tài)勢，特別是今年，根據(jù)工信部1-9月數(shù)據(jù)

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2008-12-05

中國電子電子元件傳感器電子元器件
高性能鋁電容器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。 Vishay的EKX 器件采用 14

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2008-12-05

器件 Vishay 電容器 BSP
基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。

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2008-12-04

開關(guān) 電壓恒流 MOSFET
小數(shù)分頻與快鎖芯片ADF4193的原理與應(yīng)用

由ADF4193的配置時(shí)序可以看出，ADF4193是一款易配置和使用的芯片，使用它可以簡化設(shè)計(jì)復(fù)雜度，縮短項(xiàng)目調(diào)試周期。從測量的相位噪聲和鎖定時(shí)間的結(jié)果可以看出：ADF4193具有很好的性能指標(biāo)，而且穩(wěn)定性比較好。ADF4193的最主要的優(yōu)點(diǎn)是可以簡單的實(shí)現(xiàn)跳頻，它不再需要使用\"乒乓切換\"電路，因而可縮短系統(tǒng)的切換時(shí)間，以在時(shí)隙的保護(hù)時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)頻率切換。事實(shí)證明，ADF4193比\"乒乓切換\"電路更能簡化電路，減少成本，同時(shí)可節(jié)省PCB的布板面積。很適合在通信系統(tǒng)中使用。

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2008-12-04

芯片帶寬定時(shí) ADF
海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出2Gb移動DRAM

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出了采用54納米技術(shù)的2Gb移動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)，計(jì)劃從明年上半年開始生產(chǎn)。該產(chǎn)品是世界上首個(gè)采用54納米超微工藝的2Gb高容量產(chǎn)品。目前用于多芯片封裝(Multi

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2008-12-04

半導(dǎo)體移動海力士 DRAM
2008年晶圓廠產(chǎn)能增長5% 創(chuàng)02年以來新低

據(jù)SEMI近期發(fā)布的全球晶圓廠預(yù)測(World Fab Forecast)報(bào)告，2008年全球晶圓廠產(chǎn)能預(yù)計(jì)增長5%，2009年預(yù)計(jì)增長4%至5%。 2003年至2007年，半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能年均增長率幾乎均保持兩位數(shù)，然而在全球經(jīng)濟(jì)形勢極其不確定

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2008-12-04

存儲器 Flash 晶圓廠 FOR
上海集成電路行業(yè)協(xié)會向政府上報(bào)“本市集成電路產(chǎn)業(yè)面臨困境、持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展亟需采取有效措施”報(bào)告

“十五”期間，上海集成電路產(chǎn)業(yè)年均增長46.85%，明顯高于全國年均32%的增幅。然而2006—2007年，出現(xiàn)了“二個(gè)下降”的局面:一是銷售增幅逐年下降。年銷售增長率從2005年的31.22%，分別下降到25.41%和2.5%，遠(yuǎn)低于全

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2008-12-04

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 封裝測試集成電路產(chǎn)業(yè) 集成電路行業(yè)
上海集成電路產(chǎn)業(yè)第三季度業(yè)績向好

根據(jù)上海集成電路行業(yè)協(xié)會對上海133家主要集成電路企業(yè)第三季度銷售額的統(tǒng)計(jì)，上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢仍然看好。今年第三季度和前三季度設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)、封裝測試業(yè)和設(shè)備材料業(yè)的銷售額以及與去年同期比較分

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2008-12-04

集成電路產(chǎn)業(yè) WIDTH BORDER STYLE
我國首次實(shí)現(xiàn)原子芯片上的玻色-愛因斯坦凝聚體

原本大型磁場線圈才能“綁”住的原子，現(xiàn)在僅用100微米寬的光刻線圈，就能讓其“定身”。最近，記者從中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所獲悉，該所量子光學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一研究小組實(shí)現(xiàn)了我國第一個(gè)原子芯片上的玻色-愛因斯

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2008-12-04

芯片愛因斯坦線圈量子信息

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黃崇仁：國際化整并 DRAM才有救

高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC（SII）

TI PGA308模擬傳感器信號調(diào)理方案

450mm晶圓初步標(biāo)準(zhǔn)推出問世時(shí)間可能推遲

KLA-Tencor：業(yè)務(wù)將擴(kuò)展至半導(dǎo)體后工序、太陽能電池和LED

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海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出2Gb移動DRAM

2008年晶圓廠產(chǎn)能增長5% 創(chuàng)02年以來新低

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