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聯(lián)電宣布于韓國(guó)成立業(yè)務(wù)辦公室

晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)宣布成立韓國(guó)業(yè)務(wù)辦公室，以協(xié)助拓展區(qū)域業(yè)務(wù)，同時(shí)就近為當(dāng)?shù)乜蛻?hù)提供服務(wù)。聯(lián)電表示，該公司為韓國(guó)客戶(hù)所新設(shè)立的辦公室，由于地利之便，將可創(chuàng)造工作上的綜效，并進(jìn)而協(xié)助促進(jìn)與客戶(hù)間的合作

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2013-06-14

聯(lián)電晶片聯(lián)華電子供應(yīng)鏈
MEMS市場(chǎng)穩(wěn)定成長(zhǎng)　ST、Bosch爭(zhēng)龍頭

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IHS iSuppli 針對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)所發(fā)表的最新報(bào)告，供應(yīng)商InvenSense銷(xiāo)售額在 2012年成長(zhǎng)了30%，達(dá)到1.86億美元，是「有史以來(lái)最成功的MEMS新創(chuàng)公司」；不過(guò) InvenSense 的業(yè)績(jī)表現(xiàn)在 2012年

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2013-06-14

MEMS ST BOSCH INVENSENSE
聯(lián)電加入IBM芯片聯(lián)盟共同開(kāi)發(fā)10nm制程技術(shù)

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟，共同開(kāi)發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與

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2013-06-13

IBM 芯片制程技術(shù) 聯(lián)電
三極管放大的基本電路

三極管是電流放大器件，有三個(gè)極，分別叫做集電極C，基極B，發(fā)射極E。分成NPN和PNP兩種。我們僅以NPN三極管的共發(fā)射極放大電路為例來(lái)說(shuō)明一下三極管放大電路的基本原理。下面的分析僅對(duì)于NPN型硅三極管。如上圖所示，

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2013-06-13

開(kāi)關(guān) 電路三極管集電極
什么是共模干擾和差模干擾？

共模電壓(common mode voltage):在每一導(dǎo)體和所規(guī)定的參照點(diǎn)之間(往往是大地或機(jī)架)出現(xiàn)的相量電壓的平均值。或者說(shuō)同時(shí)加在電壓表兩測(cè)量端和規(guī)定公共端之間的那部分輸入電壓。共模干擾：一般指在兩根信號(hào)線(xiàn)上產(chǎn)生的

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2013-06-13

線(xiàn)路共模抑制比共模干擾信號(hào)線(xiàn)
模電學(xué)習(xí)心得

模電是一門(mén)內(nèi)容多、涉及面廣、新知識(shí)點(diǎn)多，學(xué)時(shí)少的學(xué)科。剛學(xué)模電時(shí)，感覺(jué)打開(kāi)書(shū)后全是重點(diǎn)，它的特點(diǎn)決定了它的難學(xué)性，在此，我只能根據(jù)自己的情況總結(jié)出一些自己覺(jué)得比較重要的知識(shí)點(diǎn)，僅供大家參考。第一章這章

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2013-06-13

電流模電差分放大電路負(fù)反饋放大電路
模電基本概念

1、共模信號(hào)：兩個(gè)大小相等、極性相同的一對(duì)信號(hào)稱(chēng)為共模信號(hào)。差動(dòng)放大電路輸入共模信號(hào)(uil =ui2)時(shí)，稱(chēng)為共模輸入。2、差模信號(hào)：兩個(gè)大小相等、極性相反的一對(duì)信號(hào)稱(chēng)為差模信號(hào)。差動(dòng)放大電路輸入差模信號(hào)(uil =

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2013-06-13

低頻輸出電壓阻容耦合模電
電子基礎(chǔ)知識(shí)-什么是電感？

電感是衡量線(xiàn)圈產(chǎn)生電磁感應(yīng)能力的物理量。給一個(gè)線(xiàn)圈通入電流，線(xiàn)圈周?chē)蜁?huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，線(xiàn)圈就有磁通量通過(guò)。通入線(xiàn)圈的電源越大，磁場(chǎng)就越強(qiáng)，通過(guò)線(xiàn)圈的磁通量就越大。實(shí)驗(yàn)證明，通過(guò)線(xiàn)圈的磁通量和通入的電流是成

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2013-06-13

電感電流線(xiàn)圈電子基礎(chǔ)知識(shí)
電子基礎(chǔ)知識(shí)-什么是容抗？

交流電是能夠通過(guò)電容的，但是電容對(duì)交流電仍然有阻礙作用。電容對(duì)交流電的阻礙作用叫做容抗。電容量大，交流電容易通過(guò)電容，說(shuō)明電容量大，電容的阻礙作用小;交流電的頻率高，交流電也容易通過(guò)電容，說(shuō)明頻率高，

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2013-06-13

電容電子基礎(chǔ)知識(shí)
電子基礎(chǔ)知識(shí)-什么是電容？

電容是衡量導(dǎo)體儲(chǔ)存電荷能力的物理量。在兩個(gè)相互絕緣的導(dǎo)體上，加上一定的電壓，它們就會(huì)儲(chǔ)存一定的電量。其中一個(gè)導(dǎo)體儲(chǔ)存著正電荷，另一個(gè)導(dǎo)體儲(chǔ)存著大小相等的負(fù)電荷。加上的電壓越大，儲(chǔ)存的電量就越多。儲(chǔ)存的

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2013-06-13

電容電壓電量電子基礎(chǔ)知識(shí)
模擬技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)四十四條

1.集成運(yùn)算放大器是一種高增益直接耦合放大器，他作為基本的電子器件，可以實(shí)現(xiàn)多種功能電路，如電子電路中的比例，積分，微分，求和，求差等模擬運(yùn)算電路。2.運(yùn)算放大器工作在兩個(gè)區(qū)域：在線(xiàn)性區(qū)，他放大小信號(hào);輸入

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2013-06-13

模型 MOSFET 基礎(chǔ)知識(shí) 模擬技術(shù)
Vishay擴(kuò)充VJ車(chē)用系列SMD MLCC

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其用于高溫汽車(chē)應(yīng)用的VJ車(chē)用系列表面貼裝多層陶瓷片式電容(MLCC)。為節(jié)約電路板空間，VJ….31 / VJ….34采用0402外形尺寸和X8R電介質(zhì)。此外，也有采

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2013-06-13

Vishay IP MLCC SMD
紅籌國(guó)企窩輪：中芯業(yè)務(wù)改善后市看好

港股近期走勢(shì)明顯轉(zhuǎn)弱，不過(guò)部分中資股的表現(xiàn)依然相對(duì)強(qiáng)勢(shì)，中芯國(guó)際(0981)是其中之一。事實(shí)上，在上周逾800點(diǎn)的跌市中，中芯全周只是微跌1個(gè)價(jià)位，而于周二的跌市中，該股也能逆市向好，收?qǐng)?bào)0.64元，升0.02元，升幅

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2013-06-13

中芯國(guó)際中芯天線(xiàn) 騰訊
PC芯片續(xù)疲TIQ2更新?tīng)I(yíng)收預(yù)估遜預(yù)期

類(lèi)比IC大廠德州儀器(TexasInstrumentsIncorporated)于美國(guó)股市10日盤(pán)后公布2013年第2季(4-6月)最新更新財(cái)測(cè)：營(yíng)收預(yù)估區(qū)間自29.3-31.7億美元(中間值為30.5億美元，相當(dāng)于季增5.7%)修正為29.9-31.1億美元(中間值為30.

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2013-06-13

半導(dǎo)體設(shè)備 PC芯片晶片
通訊芯片市場(chǎng)規(guī)模今年將超過(guò)電腦芯片

北京時(shí)間6月13日消息，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布的報(bào)告稱(chēng)，智能手機(jī)出貨強(qiáng)勁增長(zhǎng)，筆記本電腦銷(xiāo)售下滑，預(yù)計(jì)今年通訊芯片市場(chǎng)的規(guī)模有望首次超越PC芯片市場(chǎng)規(guī)模。據(jù)ICInsights估計(jì)，今年全球通訊芯片市場(chǎng)規(guī)模有望

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2013-06-13

通訊芯片市場(chǎng) 電腦芯片 INSIGHT

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聯(lián)電宣布于韓國(guó)成立業(yè)務(wù)辦公室

MEMS市場(chǎng)穩(wěn)定成長(zhǎng)　ST、Bosch爭(zhēng)龍頭

聯(lián)電加入IBM芯片聯(lián)盟共同開(kāi)發(fā)10nm制程技術(shù)

三極管放大的基本電路

什么是共模干擾和差模干擾？

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電子基礎(chǔ)知識(shí)-什么是容抗？

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