據(jù)國外媒體報道,美國市場研究公司ICInsights的預(yù)計,基于廣泛的半導體產(chǎn)品線和擴張計劃,韓國三星電子有望在2014年超越英特爾,成為全球收入第一高的半導體企業(yè)。ICInsights承認,如果是在5到10年前,說三星將超過英
就在山寨機不斷改用競爭對手芯片的時候,聯(lián)發(fā)科開始了橫向擴張。8月13日,聯(lián)發(fā)科正式宣布進入互聯(lián)網(wǎng)電視芯片領(lǐng)域,并將效法其在手機領(lǐng)域的“集成芯片方案”,以期拉低互聯(lián)網(wǎng)電視生產(chǎn)成本。目前,國內(nèi)一線彩電企業(yè)對該
摩根大通8月25日發(fā)布最新研究報告稱,中芯國際(00981.HK)自三季度開始將有一個持續(xù)的盈利增長,但是現(xiàn)在并不是投資者最好的價位,因此給予“中性”評級,將目標價調(diào)至0.55港元。摩根大通認為,隨著新管理層的加入以
按.iSuppli最新報告,盡管庫存增加,但是需求也相應(yīng)上升,因此對此并不擔心。通過近35家芯片制造商的Q2途中調(diào)查發(fā)現(xiàn),庫存由Q1的89億美元上升到Q2的96億美元,高出季度平均值的3.2%。iSuppli的數(shù)據(jù),全球芯片平均庫存
據(jù)iSuppli公司,繼價格連續(xù)兩年上漲之后,NAND閃存將在2010年底回落到關(guān)鍵的1美元/1GB水準,這是被視為可以促使市場接受固態(tài)硬盤(SSD)的關(guān)鍵水準,但成本下降來得可能太晚了,難以幫到困境中的SSD市場。1GB3-bitperc
2009年以16%市占率,拿下全球模擬IC龍頭霸主的德儀(TexasInstruments;TI),這幾年來在模擬IC市場上除了透過不斷的購并案,壯大自家模擬IC解決方案的完整性及競爭力外,2009年更是領(lǐng)先同業(yè),率先將旗下模擬IC產(chǎn)品線導
當今,各種創(chuàng)新型技術(shù)層出不窮,對測試測量行業(yè)產(chǎn)生巨大影響。NI通過與不同行業(yè)工程師深入交流,結(jié)合學術(shù)研究、商業(yè)咨詢、用戶調(diào)查等多種工具,提出2010年測試測量工程師需要關(guān)注的五大技術(shù)主題。1采用標準化架構(gòu)在企
根據(jù)國際能源機構(gòu)的一項調(diào)查,亞洲與澳大利亞2004年用作能源的石油已達1.65萬億升。該調(diào)查還顯示,自1990年起,石油的需求量每年都在上升,致使這種已近枯竭的自然資源價格不斷攀升。燃料電池作為一種替代能源,有望
2009年以16%市占率,拿下全球模擬IC龍頭霸主的德儀(Texas Instruments;TI),這幾年來在模擬IC市場上除了透過不斷的購并案,壯大自家模擬IC解決方案的完整性及競爭力外,2009年更是領(lǐng)先同業(yè),率先將旗下模擬IC產(chǎn)品線
2010年晶圓代工一直面臨產(chǎn)能吃緊問題,使得重復下單(Double-booking)或過度下單(Over- booking)問題不斷被市場討論。事實上,以2010年來看,全球晶圓代工產(chǎn)能都不夠,因此沒有供給過多問題,但因為歐債風暴尚未完全消
臺系微機電系統(tǒng)(MEMS)廠利順精密的加速度計(G-sensor)已進入小量出貨階段,主要是用于游戲機領(lǐng)域中,目前正與客戶端積極接洽中,預(yù)期2010年下半出貨數(shù)量將大于上半年。 針對MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況,利順開發(fā)設(shè)計部經(jīng)理吳名清
剛剛結(jié)束的年度盛會飛思卡爾技術(shù)論壇(FTF),贏得眾多與會業(yè)內(nèi)人士的盛贊。許多知名人士的主題演講令觀眾受益匪淺,其中飛思卡爾凝結(jié)30年成功經(jīng)驗,推出的Xtrinsic傳感解決方案開創(chuàng)了智能傳感器新紀元。智能化是傳感器
聯(lián)電旗下硅晶太陽能電池廠聯(lián)景光電將于9月16日開幕,加上集團內(nèi)薄膜太陽能電池廠聯(lián)相光電已量產(chǎn),聯(lián)電集團完成硅晶與薄膜兩大太陽能電池領(lǐng)域布局。 臺積電入股茂迪,跨入硅晶太陽能電池領(lǐng)域,并入股美國薄膜CIGS太
臺積電(2330)企業(yè)訊息處長孫又文昨(26)日表示,目前臺積電的客戶仍在排隊下單,雖然董事長張忠謀在法說上時說,排的隊伍確實比上半年短,但第三季營收目標仍然有信心達成。 臺積電日前將法人關(guān)系處與公共關(guān)系處
美國應(yīng)用材料公司(AMAT)發(fā)布了支持20nm工藝以后的存儲器及邏輯IC的新CVD技術(shù)“Eterna FCVD(Flowable CVD)”。在20nm以后的工藝中,即使采用與目前相同的存儲器單元構(gòu)造和晶體管構(gòu)造,隨著微細化的發(fā)展,隔離元件