在嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)中,Linux操作系統(tǒng)以其多任務(wù)、多線程、實時性等特性,成為眾多開發(fā)者的首選。其中,線程作為操作系統(tǒng)中基本且重要的執(zhí)行單元,對于提高系統(tǒng)的并發(fā)處理能力、資源利用率和響應(yīng)速度具有重要意義。本文將深入探討嵌入式Linux中線程的定義、特性、優(yōu)勢及其在實際應(yīng)用中的場景。
在C++編程語言的廣闊天地里,內(nèi)存管理是一個核心且復雜的議題。對于習慣了C語言風格的開發(fā)者來說,malloc及其配套函數(shù)free無疑是內(nèi)存動態(tài)分配的首選工具。然而,隨著C++標準的不斷演進,以及C++標準庫提供的更為豐富和安全的內(nèi)存管理功能,一個值得深思的問題逐漸浮出水面:在C++編程中,我們是否還需要頻繁地使用malloc?
在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)和多線程編程中,了解和控制線程的棧使用情況對于高效的內(nèi)存管理和避免棧溢出至關(guān)重要。SoC(System on Chip,系統(tǒng)級芯片)中的線程棧管理同樣需要細致的操作和監(jiān)控。本文將詳細介紹如何在Linux環(huán)境下查看SoC線程的棧起始地址及大小。
任何電子產(chǎn)品都必須通過適用的電磁兼容性 (EMC) 測試,然后才能投放到目標市場。認識到預(yù)防勝于治療,從開發(fā)的早期階段就進行合規(guī)性設(shè)計通常是理想的選擇??梢圆扇「鞣N方法,從應(yīng)用已知的最佳實踐到使用 EMC 模擬器(如果有),以及在內(nèi)部或與專業(yè)合作伙伴一起進行 EMC 預(yù)測試。
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運算放大器(op-amp)一直是最成功的集成電路之一。一種具有高增益的差分放大器,差分輸入和單輸出使這種小型、廉價的 IC 能夠在各種應(yīng)用中使用負反饋,其中其增益(比兩個輸入之間的差值高數(shù)十萬倍) )、帶寬以及輸入和輸出阻抗由外部電路設(shè)置。
印刷電路板 (PCB) 布局審查會議期間經(jīng)常被問到的問題是:“此 PCB 布局中的數(shù)字信號是否使用 50 歐姆走線?”通常這個問題的答案是“是”。然而,在做出平衡成本、性能和可制造性的決策時,正確的答案也可能是“否”或“不適用于所有數(shù)字信號”。替代方法包括關(guān)注 PCB 傳輸線的“受控阻抗”和/或使用其他走線阻抗值。
電磁兼容性 (EMC) 長期以來一直是設(shè)計工程師的禍根,仍然是電動汽車 (EV) 和混合動力電動汽車和 (HEV) 系統(tǒng)的主要關(guān)注點。傳統(tǒng)的內(nèi)燃機 (ICE) 車輛本質(zhì)上主要是機械的,電子設(shè)備通過螺栓固定在機械動力裝置上。然而,電動汽車和混合動力汽車有很大不同。
電源轉(zhuǎn)換或柵極驅(qū)動開關(guān)期間產(chǎn)生的高壓瞬態(tài)尖峰可能非常有害。在電機驅(qū)動應(yīng)用中,隨時間變化的電壓導數(shù) (dV/dt) 瞬態(tài)可能會破壞繞組絕緣,從而縮短電機壽命并影響系統(tǒng)可靠性。
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在電力電子領(lǐng)域中,對稱半橋電路因其結(jié)構(gòu)簡單、效率高和可靠性強等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于各種電力變換場合。隨著新能源和分布式發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)展,雙向直流-直流(DC-DC)變換器在能量存儲系統(tǒng)、電動汽車和太陽能光伏系統(tǒng)等領(lǐng)域的需求日益增加。
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隨著Android操作系統(tǒng)的進步,智能手機的使用日益增加。隨后,有報道稱,惡意個人和黑客利用 Android 提供的漏洞來訪問用戶珍視的數(shù)據(jù)。例如,此類威脅包括 2021 年針對 Android 設(shè)備發(fā)布的 Flubot 惡意軟件攻擊。值得注意的是,該惡意軟件針對受害者在其小工具上使用的銀行應(yīng)用程序進行網(wǎng)絡(luò)攻擊。因此,參考對Flubot惡意軟件特征和行為的理解,我們的研究重點是網(wǎng)絡(luò)威脅未來可能的攻擊方式。
在實施人工智能模型時,由于可能會處理敏感數(shù)據(jù),因此必須優(yōu)先考慮安全性。他們預(yù)測的準確性可能會產(chǎn)生重大影響,特別是在金融和醫(yī)療保健等行業(yè)。
高頻諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計考慮因素包括組件選擇、寄生參數(shù)設(shè)計、同步整流器設(shè)計和電壓增益設(shè)計。本電源技巧重點關(guān)注影響開關(guān)元件選擇的關(guān)鍵參數(shù),以及高頻諧振轉(zhuǎn)換器中變壓器繞組內(nèi)電容的影響。