電磁干擾 (EMI) 及其對(duì)組件、電路和系統(tǒng)的影響是許多設(shè)計(jì)的一個(gè)嚴(yán)重問(wèn)題。它可能導(dǎo)致暫時(shí)性故障、不穩(wěn)定的性能、間歇性問(wèn)題、系統(tǒng)故障、組件退化和硬故障。
減少PCB設(shè)計(jì)上電磁干擾(EMI)的最佳方法之一就是靈活地使用運(yùn)算放大器。遺憾的是,在許多應(yīng)用中,運(yùn)算放大器的這個(gè)作用通常被忽略了。
電力系統(tǒng)呈現(xiàn)出電力電子化趨勢(shì),在電磁暫態(tài)仿真計(jì)算中,針對(duì)不同的仿真對(duì)象以及不同的仿真精度要求,使用的數(shù)值計(jì)算方法不盡相同 。
跨阻抗放大器(TIA) 最常使用運(yùn)算放大器(op amps) 構(gòu)建。而且,越來(lái)越多的(如果不是全部的話)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 是全差分系統(tǒng),需要具有單端差分機(jī)制。
如果不能在高速下提供正確的電壓,則 SiC 器件必然會(huì)發(fā)生故障,從而導(dǎo)致發(fā)熱和效率低下。使用的 MOSFET 是UnitedSiC UF3C065080T3S模型,包含在 TO-220 封裝中以及測(cè)試方案。
從屏蔽的角度,地平面一般均作了接地的處理,并作為基準(zhǔn)電平參考點(diǎn),其屏蔽效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于電源平面;
該穩(wěn)壓器在其輸入 (C IN ) 和輸出 (C OUT )處使用電容器來(lái)增強(qiáng)其高頻響應(yīng)。您應(yīng)該仔細(xì)考慮電容器的電介質(zhì)、值和位置,因?yàn)樗鼈儠?huì)極大地影響穩(wěn)壓器特性。
開(kāi)關(guān)DC/DC電源和穩(wěn)壓器通常都比線性電源更受歡迎,并且有充分的理由。通常,它們的效率更高,從而降低了功耗和成本,延長(zhǎng)了運(yùn)行時(shí)間并減少了散熱。
電源波動(dòng):電源電壓的微小變化都能引起輸出電壓的漂移。例如,當(dāng)電源電壓變化時(shí),三極管的靜態(tài)電流和集電極電阻上的壓降都會(huì)發(fā)生變化,從而影響輸出電壓。
隨著集成電路集成度的提高,越來(lái)越多的元件集成到芯片上,電路功能變得復(fù)雜,工作電壓也在降低。
對(duì)于應(yīng)變儀或熱敏電阻等傳感器,您必須使用由不完善的組件構(gòu)建的電路準(zhǔn)確且廉價(jià)地測(cè)量電阻,其中增益和偏移誤差會(huì)顯著限制歐姆測(cè)量的準(zhǔn)確性。
那么就需要讓Ib大于等于1mA,若Ib=1mA, Ic=100mA,它的放大倍數(shù)β=100,三極管完全導(dǎo)通。
使用肖特基整流器、100μA/1.7kΩ 儀表和合適的串聯(lián)電阻, 可以在單個(gè)范圍內(nèi)監(jiān)控 10μA 至超過(guò) 100mA 的電流,指示速度僅受儀表彈道學(xué)的限制。
相對(duì)于線性電源,開(kāi)關(guān)電源有著體積小、重量輕、效率高、抗干擾強(qiáng)、輸出電壓范圍寬和便于模塊化等優(yōu)點(diǎn)。開(kāi)關(guān)電源分為隔離和非隔離兩種形式,而隔離式又有正激和反激兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
通常block的input和output信號(hào)存在時(shí)序問(wèn)題時(shí),我們通常采用寄存器打拍的方式,在兩個(gè)block直接插入reg,從而解決時(shí)序問(wèn)題。