本方法適用于模擬電路（對(duì)數(shù)字噪聲敏感）和數(shù)字電路混合時(shí)，尤其是包含高頻和大電流電路時(shí)。

為增進(jìn)大家對(duì)充電器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)充電器的維護(hù)方法以及充電器記憶效應(yīng)予以介紹。

摘要:根據(jù)煤礦管理流程進(jìn)行煤礦信息化平臺(tái)的架構(gòu)及功能模塊建設(shè) ,并運(yùn)用云技術(shù)進(jìn)行貴州省省級(jí)平臺(tái)的搭建探索 ,打通企 業(yè)與各級(jí)管理部門之間的溝通障礙 ,有利于提高煤礦企業(yè)和管理部門的科學(xué)管理水平 ,提高社會(huì)資源利用率。

由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會(huì)導(dǎo)致較高的熱阻。3,4本文將展示...

柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關(guān)閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導(dǎo)通期間，柵極控制的主要任務(wù)是對(duì) EN 進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)...

高端負(fù)載開關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計(jì)師的熱門選擇，適用于電池供電的便攜式設(shè)備，例如功能豐富的手機(jī)、移動(dòng)GPS設(shè)備和消費(fèi)娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)的各個(gè)方面...

我們研究了如何在最終應(yīng)用未知時(shí)為 FET 建議適當(dāng)?shù)慕徊鎱⒖肌Ｔ诒静┛秃捅鞠盗屑磳l(fā)布的文章中，我們將開始研究針對(duì)特定最終應(yīng)用需要考慮哪些具體考慮因素，從最終應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開始。 電機(jī)控制是 30V...

關(guān)于 FET 數(shù)據(jù)表的問題，尤其是熱信息表中的那些參數(shù)，大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天，我想解決數(shù)據(jù)表中結(jié)到環(huán)境熱阻抗和結(jié)到外殼熱阻抗的參數(shù)，這似乎是造成很多混亂的原因。 首先，讓我們準(zhǔn)確定義這些參數(shù)的...

濟(jì)南2022年5月2日 /美通社/ -- 手機(jī)APP的平均壽命是10個(gè)月，而缺少商業(yè)化運(yùn)營(yíng)的政務(wù)類應(yīng)用則更為"短命"。靜默困境 -- 是當(dāng)下政務(wù)應(yīng)用生存環(huán)境的真實(shí)寫照，突出表現(xiàn)就是用戶不打開、不使用，...

今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)頊y(cè)試測(cè)量的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)模擬電路的測(cè)試、電子測(cè)量相關(guān)知識(shí)具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。