單向TVS的正向特性與普通穩(wěn)壓二極管相同，反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿，為典型的PN結(jié)雪崩器件。
傳統(tǒng)上，硅功率器件(如IGBT或MOSFET)被焊接到金屬陶瓷基板上，使用鋁線鍵合作為互連技術(shù)，并使用焊膏或?qū)峁柚瑢⒐β誓K連接到底板或冷卻器。這種結(jié)構(gòu)如圖1(左)所示。
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