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智能駕駛技術(shù)快速迭代,ADAS環(huán)視系統(tǒng)作為車輛周邊環(huán)境感知的核心模塊,對(duì)圖像傳感器的性能提出了嚴(yán)苛要求。其中,噪聲抑制能力直接影響系統(tǒng)在低光照、強(qiáng)干擾等極端場(chǎng)景下的可靠性。本文從技術(shù)原理、工程實(shí)踐及未來趨勢(shì)三個(gè)維度,對(duì)比...

關(guān)鍵字: CMOS CCD

中國上海,2025年7月29日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)...

關(guān)鍵字: CMOS 運(yùn)算放大器 可穿戴設(shè)備

太赫茲(THz)波段位于微波與紅外光之間,具有獨(dú)特的頻譜特性,在高速通信、高分辨率成像、安全檢測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,太赫茲射頻前端作為太赫茲系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,其集成面臨諸多挑戰(zhàn)。砷化銦高電子遷移率晶體管(...

關(guān)鍵字: 太赫茲 InP HEMT CMOS

量子計(jì)算邁向?qū)嵱没倪M(jìn)程,量子-經(jīng)典混合芯片架構(gòu)成為突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵路徑。超導(dǎo)量子比特雖具備高速門操作與可擴(kuò)展性優(yōu)勢(shì),但其運(yùn)行需在毫開爾文級(jí)低溫環(huán)境中維持量子態(tài)相干性;而CMOS控制電路則依賴室溫環(huán)境下的成熟工藝與高集...

關(guān)鍵字: 量子計(jì)算 CMOS

PSRAM,作為一種融合了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)高密度特性與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)易用性的存儲(chǔ)技術(shù),其重要性不言而喻。從結(jié)構(gòu)上看,PSRAM 內(nèi)部主要由 DRAM 存儲(chǔ)單元負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),SRAM 接口電路...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 接口電路 控制電路

為增進(jìn)大家對(duì)BiCMOS技術(shù)的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。

關(guān)鍵字: BiCMOS 指數(shù) CMOS

CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動(dòng)器、列驅(qū)動(dòng)器、時(shí)序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成,這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。

關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器

在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中,您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行,但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中...

關(guān)鍵字: CMOS 寬帶隙半導(dǎo)體
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