由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設較小的功率器件會導致較高的熱阻。3,4本文將展示...

柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關(guān)閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導通期間，柵極控制的主要任務是對 EN 進行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)...

高端負載開關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設計師的熱門選擇，適用于電池供電的便攜式設備，例如功能豐富的手機、移動GPS設備和消費娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學的方法來解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負載開關(guān)的各個方面...

我們研究了如何在最終應用未知時為 FET 建議適當?shù)慕徊鎱⒖?。在本博客和本系列即將發(fā)布的文章中，我們將開始研究針對特定最終應用需要考慮哪些具體考慮因素，從最終應用中用于驅(qū)動電機的 FET 開始。 電機控制是 30V...

關(guān)于 FET 數(shù)據(jù)表的問題，尤其是熱信息表中的那些參數(shù)，大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天，我想解決數(shù)據(jù)表中結(jié)到環(huán)境熱阻抗和結(jié)到外殼熱阻抗的參數(shù)，這似乎是造成很多混亂的原因。 首先，讓我們準確定義這些參數(shù)的...

今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產(chǎn)品LTC7050的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。

上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進FinFET（先進鰭式場效電晶體）的技術(shù)組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進FinFET的技術(shù)組合，世芯的ASIC整體設計解決方案更...

（全球TMT2022年4月14日訊）世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進FinFET（先進鰭式場效電晶體）的技術(shù)組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進FinFET的技術(shù)組合，世芯的ASIC整體設計解決方案更是涵蓋...

（全球TMT2022年3月9日訊）面向當今片上系統(tǒng)（SoC）行業(yè)的Total IPTM解決方案提供商Arasan Chip Systems宣布，立即為GlobalFoundries 12nm FinFET制造節(jié)點提供其...

作為一名電力電子工程師，有句話說得好，沒有從電力設備爆炸中吸取的教訓，就沒有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調(diào)試開關(guān)模式電源的經(jīng)驗中，這似乎是正確的。通過反復試驗和對設備故障的研究，我們可以學習如何設計可靠工作的轉(zhuǎn)...