擁有TSV硅轉(zhuǎn)接板封裝實(shí)用化加速
[導(dǎo)讀]大日本印刷（DNP）為促進(jìn)采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板（Interposer）封裝技術(shù)的實(shí)用化，于2010年1月推出了設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)用標(biāo)準(zhǔn)底板。該公司此前曾為不同項(xiàng)目個(gè)別提供過(guò)評(píng)測(cè)底板，而此次標(biāo)準(zhǔn)底板的價(jià)格為原來(lái)的一半以下。并
大日本印刷（DNP）為促進(jìn)采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板（Interposer）封裝技術(shù)的實(shí)用化，于2010年1月推出了設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)用標(biāo)準(zhǔn)底板。該公司此前曾為不同項(xiàng)目個(gè)別提供過(guò)評(píng)測(cè)底板，而此次標(biāo)準(zhǔn)底板的價(jià)格為原來(lái)的一半以下。并且由于是標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，可在較短的交貨期內(nèi)提供。DNP提供標(biāo)準(zhǔn)底板，可促使LSI廠(chǎng)商擴(kuò)大采用開(kāi)有TSV的硅轉(zhuǎn)接板封裝，大日本印刷也可由此擴(kuò)大封裝受托和MEMS代工業(yè)務(wù)。
采用TSV的硅轉(zhuǎn)接板與此前組合使用引線(xiàn)鍵合（Wire Bonding）技術(shù)的樹(shù)脂轉(zhuǎn)接板相比，具有以下特點(diǎn)。（1）可縮小封裝尺寸；（2）高頻特性出色；（3）熱膨脹可靠性高。因此是備受期待的新一代封裝技術(shù)。但采用TSV的硅轉(zhuǎn)接板本身制造成本高，加上LSI廠(chǎng)商采用開(kāi)有TSV的硅轉(zhuǎn)接板封裝的設(shè)計(jì)、評(píng)測(cè)驗(yàn)證成本高且周期長(zhǎng)，這些對(duì)擴(kuò)大采用硅轉(zhuǎn)接板形成了較大的障礙。
DNP此次推出的標(biāo)準(zhǔn)底板，可降低設(shè)計(jì)及評(píng)測(cè)驗(yàn)證時(shí)的成本并縮短設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)周期。標(biāo)準(zhǔn)底板的TSV孔徑為50μm，深度（厚度）為400μm，寬深（Aspect）比為1：8?？稍诒砻婧捅趁嬖O(shè)置1層～2層布線(xiàn)層，其間距為200μm，焊接區(qū)（Land）直徑為110μm。使用這種底板，能夠確認(rèn)TSV基本特性（電阻及高頻特性等）。底板表面和背面的布線(xiàn)層可定制。能以150mm晶圓或200mm晶圓制造。
DNP將在“第11屆印刷布線(xiàn)板EXPO（1月20～22日，與第39屆日本INTER NEPCON同時(shí)舉行）“上展出此產(chǎn)品。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）
采用TSV的硅轉(zhuǎn)接板與此前組合使用引線(xiàn)鍵合（Wire Bonding）技術(shù)的樹(shù)脂轉(zhuǎn)接板相比，具有以下特點(diǎn)。（1）可縮小封裝尺寸；（2）高頻特性出色；（3）熱膨脹可靠性高。因此是備受期待的新一代封裝技術(shù)。但采用TSV的硅轉(zhuǎn)接板本身制造成本高，加上LSI廠(chǎng)商采用開(kāi)有TSV的硅轉(zhuǎn)接板封裝的設(shè)計(jì)、評(píng)測(cè)驗(yàn)證成本高且周期長(zhǎng)，這些對(duì)擴(kuò)大采用硅轉(zhuǎn)接板形成了較大的障礙。
DNP此次推出的標(biāo)準(zhǔn)底板，可降低設(shè)計(jì)及評(píng)測(cè)驗(yàn)證時(shí)的成本并縮短設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)周期。標(biāo)準(zhǔn)底板的TSV孔徑為50μm，深度（厚度）為400μm，寬深（Aspect）比為1：8?？稍诒砻婧捅趁嬖O(shè)置1層～2層布線(xiàn)層，其間距為200μm，焊接區(qū)（Land）直徑為110μm。使用這種底板，能夠確認(rèn)TSV基本特性（電阻及高頻特性等）。底板表面和背面的布線(xiàn)層可定制。能以150mm晶圓或200mm晶圓制造。
DNP將在“第11屆印刷布線(xiàn)板EXPO（1月20～22日，與第39屆日本INTER NEPCON同時(shí)舉行）“上展出此產(chǎn)品。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）
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