快捷以微型封裝克服高效率DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
[導(dǎo)讀]快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出能夠?qū)崿F(xiàn)更薄、更輕和更緊密電源解決方案的MOSFET系列產(chǎn)品FDMC7570S，持續(xù)提供高效率和出色的熱性能，以因應(yīng)工業(yè)、運(yùn)算和電信系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度的重大挑戰(zhàn)。
快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出能夠?qū)崿F(xiàn)更薄、更輕和更緊密電源解決方案的MOSFET系列產(chǎn)品FDMC7570S，持續(xù)提供高效率和出色的熱性能，以因應(yīng)工業(yè)、運(yùn)算和電信系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度的重大挑戰(zhàn)。
FDMC7570S是一款采用3mm x 3mm MLP封裝、具有最低RDS(ON)的25V MOSFET組件，提供無(wú)與倫比的效率和結(jié)溫(junction temperature)性能。在10VGS下，其RDS(ON)為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm。與外形尺寸相同的替代解決方案相較，F(xiàn)DMC7570S將傳導(dǎo)損耗降低了50%，為設(shè)計(jì)人員提供了最高的功率密度。
所有這些改善采用了快捷半導(dǎo)體性能先進(jìn)的專有PowerTrench制程技術(shù)的成果，這項(xiàng)技術(shù)帶來(lái)了極低的RDS(ON)值、整體柵極電荷(QG)和米勒電荷(QGD)。另一項(xiàng)附加優(yōu)勢(shì)是，這些MOSFET使用專有的屏蔽柵極架構(gòu)，可以減少不受歡迎的高頻開關(guān)噪聲。
此外，F(xiàn)DMC7570S的輸出電容器(COSS)和反向恢復(fù)電荷(Qrr)均被降至最低，以減少降壓轉(zhuǎn)換中同步MOSFET的損耗。因而獲得目前同類組件所無(wú)法匹敵的高峰值效率。
除了25V FDMC7570S之外，快捷半導(dǎo)體的全新MOSFET產(chǎn)品包括30V FDMC7660S和FDMC7660，這些MOSFET組件采用超緊密3.3mm x 3.3mm Power33 MLP封裝，是快捷半導(dǎo)體全面的MOSFET系列產(chǎn)品的一部份，可為電源設(shè)計(jì)提供更多優(yōu)勢(shì)。
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