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[導讀]深紫外光(EUV)技術是次世代微影技術之一,其他還還包括無光罩多重電子束、浸潤式微影多重曝光技術等,EUV技術主要的開發(fā)商是設備大廠愛司摩爾(ASML),當半導體制程技術走入20奈米或是10奈米以下,現(xiàn)有的浸潤式曝光(I

深紫外光(EUV)技術是次世代微影技術之一,其他還還包括無光罩多重電子束、浸潤式微影多重曝光技術等,EUV技術主要的開發(fā)商是設備大廠愛司摩爾(ASML),當半導體制程技術走入20奈米或是10奈米以下,現(xiàn)有的浸潤式曝光(Immersion Scanner)機臺就不敷使用,必須進轉到下一世代的微影技術。

浸潤式曝光機臺是在光源與晶圓中間加入水的原理,使波長縮短到132奈米的微影技術,EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線,在硅基板上刻出更微細的電路圖案。

目前支持EUV技術陣營包括三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、臺積電、東芝(Toshiba)、全球晶圓(Global Foundries)等,其中臺積電除了EUV技術之外,也投入無光罩多重電子束制程開發(fā),顯然是多方技術壓寶;而臺系DRAM廠中,目前僅有瑞晶決定采購EUV機臺,預計2012年機臺設備才會到位,屆時時間點當好趕上轉進20奈米制程。

目前EUV機臺最為人詬病之處在于成本價格太高,加上光罩與外圍材料設備成本也相當高,對晶圓廠是很大的成本負擔,業(yè)者希望未來機臺成熟度高、光罩及光阻等技術改進下能降低成本售價。

過去1臺浸潤式曝光機售價約新臺幣10~15億元,現(xiàn)在1臺EUV機臺售價? O浸潤式曝光機的2~3倍,約1億美元,且= x設備恐怕只能用來轉換1萬片的12吋晶圓,現(xiàn)在1座12吋晶圓廠少則3~5萬片,多則12~15萬片,未來轉進20奈米制程的代價相當貴。

ASML投入EUV機臺技術的開發(fā)費用已超過10億歐元,第1代EUV機臺NXE3100已陸續(xù)出貨,預計2012年將推出量產型機臺NEX3300。(連于慧)



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