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[導讀]自2009年3月Global Foundries正式成立以來,先承接超威(AMD)半導體制造部門位于德國德勒斯登(Dresden) Fab-36、Fab-38兩座8吋晶圓廠,并將這兩座8吋晶圓廠合并并升級為12吋晶圓廠外,還在美國紐約建構(gòu)新的12吋晶圓廠

自2009年3月Global Foundries正式成立以來,先承接超威(AMD)半導體制造部門位于德國德勒斯登(Dresden) Fab-36、Fab-38兩座8吋晶圓廠,并將這兩座8吋晶圓廠合并并升級為12吋晶圓廠外,還在美國紐約建構(gòu)新的12吋晶圓廠Fab-8,該廠預計將于2012年完工。

更重要的是,Global Foundries于2009年第4季宣布收購全球第3大晶圓代工廠特許半導體(Chartered),并已于2010年1月20日正式將 Chartered并入Global Foundries。

Global Foundries挾著阿布扎比先進技術(shù)投資公司(Advanced Technology Investment Co.;ATIC)雄厚資金來勢洶洶,在12吋產(chǎn)能擴充一舉超越聯(lián)電,成為全球擁有12吋晶圓產(chǎn)能第2大的晶圓代工廠。

在微縮制程發(fā)展進度上,更是直逼晶圓代工領導廠商臺積電,這也讓全球主要晶圓代工業(yè)者2010年資本支出大幅增加,除用在12吋先進制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)換與擴充外,對次世代32/28奈米制程開發(fā)腳步更是加快速度。

然而,要進入32/28奈米制程,高介電系數(shù)金屬閘極(High-k Matel Gate;HKMG)制程就成為必要發(fā)展技術(shù)。

除各晶圓代工業(yè)者積極投入高介電系數(shù)金屬閘極制程研發(fā)外,正因高介電系數(shù)金屬閘極技術(shù)所制造出來的芯片具備低耗電與高效能優(yōu)勢,因此,晶圓代工業(yè)者也將28奈米制程整合成兩種閘極技術(shù),鎖定不同終端市場應用,希望藉此創(chuàng)造晶圓代工產(chǎn)業(yè)未來成長動能。

臺積電在取得40奈米制程市場優(yōu)勢后,在 28奈米制程,甚至20奈米制程世代的研發(fā),亦是不遺余力,就是希望就此拉大與其他競爭對手間差距。但后起之秀的Global Foundries亦不容忽視,在先進制程研發(fā)腳步上緊追臺積電之后。

透過產(chǎn)能擴充進度、先進制程技術(shù)藍圖的推進,及先進制程低耗電與高效能兩個不同平臺所應對終端市場布局,可以看出Global Foundries布局策略,將以從臺積電手中瓜分訂單視為未來重要營運指針,DIGITIME預估,Global Foundries將會在2012年正式挑戰(zhàn)臺積電。



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