聯(lián)發(fā)科披露五大模擬產(chǎn)品發(fā)展規(guī)劃
一、 SerDes產(chǎn)品后來居上，聯(lián)發(fā)科欲進(jìn)入通信領(lǐng)域？
隨著對(duì)信息流量需求的不斷增長，傳統(tǒng)并行接口技術(shù)成為進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)傳輸速率的瓶頸。過去主要用于光纖通信的串行通信技術(shù)——SerDes正在取代傳統(tǒng)并行總線而成為高速接口技術(shù)的主流。在這個(gè)領(lǐng)域，聯(lián)發(fā)科已經(jīng)布局，并有可能將聯(lián)發(fā)科帶入新的領(lǐng)域。
SerDes是英文SERializer(串行器)/DESerializer(解串器)的簡稱。它是一種時(shí)分多路復(fù)用(TDM)、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的通信技術(shù)，即在發(fā)送端多路低速并行信號(hào)被轉(zhuǎn)換成高速串行信號(hào)，經(jīng)過傳輸媒體(光纜或銅線)，最后在接收端高速串行信號(hào)重新轉(zhuǎn)換成低速并行信號(hào)。這種點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的串行通信技術(shù)充分利用傳輸媒體的信道容量，減少所需的傳輸信道和器件引腳數(shù)目，從而大大降低通信成本。
SerDes技術(shù)最早應(yīng)用于廣域網(wǎng)(WAN)通信。陸國宏博士認(rèn)為隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品信息傳輸速率的提升，SerDes的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒎浅拸V，例如Nand flash、存儲(chǔ)、以太網(wǎng)、光通信、MIPI、內(nèi)存等領(lǐng)域。“根據(jù)我們的觀察，每四年數(shù)據(jù)速率將提升兩倍，每兩個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)速率也會(huì)提升兩倍?！?陸國宏博士指出，“不過高速率并不意味著高能效，業(yè)界渴望低功耗的SerDes方案，這也是聯(lián)發(fā)科進(jìn)入這個(gè)領(lǐng)域的原因?！?BR>
SerDes應(yīng)用領(lǐng)域非常多
他指出LPDDR4、MIPI技術(shù)將在移動(dòng)領(lǐng)域獲廣泛應(yīng)用，這些都是SerDes可以發(fā)揮的地方，“聯(lián)發(fā)科目前以10Gbps SerDes為切入點(diǎn)，但是我們是后來居上，并預(yù)計(jì)在50Gbps的技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到全球領(lǐng)先水平?！彼麖?qiáng)調(diào)。
LPDDR4成移動(dòng)主流 聯(lián)發(fā)科欲在SerDes產(chǎn)品后來居上
2014年3月20日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院與聯(lián)發(fā)科共同創(chuàng)辦的中國科大—聯(lián)發(fā)科技“高速電子集成電路與系統(tǒng)”聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室簽約及揭牌儀式在先進(jìn)技術(shù)研究院隆重舉行。陸國宏博士指出聯(lián)發(fā)科與科大等高校合作就是希望在SerDes技術(shù)領(lǐng)域獲得突破。由于SerDes在通信領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，因此，聯(lián)發(fā)科在SerDes技術(shù)大軍進(jìn)軍的也暗示聯(lián)發(fā)科將進(jìn)入通信領(lǐng)域。
二、 無線充電---要一板多用三模統(tǒng)一節(jié)奏？
隨著各大廠商相繼加大對(duì)無線充電技術(shù)的支持，無線充電技術(shù)有望在2014年獲得爆發(fā)，不過，目前，無線充電領(lǐng)域PMA、WPC以及 A4WP三大標(biāo)準(zhǔn)組織斗法，三大標(biāo)準(zhǔn)不但給產(chǎn)業(yè)用戶造成了兼容性難題還提升了普及成本。
陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科加入了三大標(biāo)準(zhǔn)組織，并希望三大標(biāo)準(zhǔn)能統(tǒng)一起來?！拔覀円呀?jīng)于上月底推出了融合三個(gè)充電標(biāo)準(zhǔn)的無線充電解決方案MT3188。這是全球首款兼容三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的無線充電產(chǎn)品，它最高支持7W充電，并高度整合，無需外部組件，優(yōu)化BOM成本，將于今年3Q量產(chǎn)。”
在聯(lián)發(fā)科的無線充電規(guī)劃上，我注意到聯(lián)發(fā)科構(gòu)想的無線充電系統(tǒng)是可以提供智能手機(jī)、平板和可穿戴設(shè)備的充電板，也許這樣的三模方案會(huì)更實(shí)用。陸國宏博士也表示這樣的方案更實(shí)用，并透露聯(lián)發(fā)科開發(fā)了一種可以同時(shí)進(jìn)行充電和傳輸數(shù)據(jù)的技術(shù)，將應(yīng)用在無線充電領(lǐng)域。
三、 快充技術(shù)---性能更佳成本更低
針對(duì)今年智能手機(jī)普遍采用的快充技術(shù)，陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科的快充方案已經(jīng)面市，稱為PumpExpress，“我們的快充方案只需要兩根線VBUS和GND，不需要傳統(tǒng)快充方案的D+和D-信號(hào)線（D+、D-值主要進(jìn)行識(shí)別），通過VBUS就可以完成握手協(xié)議和識(shí)別，我們的方案通過軟件就可以實(shí)現(xiàn)充電器的快充?！彼赋觯皵?shù)據(jù)顯示，我們的快充方案可以將充電時(shí)間加快近一倍?！?/P>
聯(lián)發(fā)科快充方案的另個(gè)特點(diǎn)是充電電壓范圍更寬，功率更大，實(shí)現(xiàn)了對(duì)更多充電器的兼容性，這樣的好處不言而喻----讓聯(lián)發(fā)科的手機(jī)可以兼容其他品牌的充電器，因此適應(yīng)性也更強(qiáng)。
四、音頻產(chǎn)品大飛躍----讓人人用上HIFI手機(jī)
陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科將在2014年推出一款高性能的音頻產(chǎn)品，它及codec和放大器于一身，性能指標(biāo)將超過iphone5和VIVO Xplay手機(jī)上的音頻產(chǎn)品?！翱己艘纛l產(chǎn)品是兩個(gè)指標(biāo)THD（總諧波失真）和SNR（性噪比），我們的產(chǎn)品在這兩個(gè)指標(biāo)上表現(xiàn)突出。未來我們的音頻產(chǎn)品將配合我們的手機(jī)平板平臺(tái)給用戶帶來HIFI體驗(yàn)。”
聯(lián)發(fā)科的音頻方案性能突出
VIVO手機(jī)，馬上遍地都將是HIFI手機(jī)了，你造嗎？
陸國宏博士指出這樣的高質(zhì)量音頻產(chǎn)品也將給我們的生活帶來更多優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)，例如多方會(huì)議中的語音追蹤、主動(dòng)降噪，高清錄音等等。
五、模擬基帶支持多模
陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科對(duì)中移動(dòng)4G手機(jī)強(qiáng)推五模十頻的做法也感到很意外，不過他表示聯(lián)發(fā)科支持的五模十頻產(chǎn)品將于年內(nèi)面市?！捌鋵?shí)多模挑戰(zhàn)還不算大，更多挑戰(zhàn)來源于支持十頻甚至更多頻帶?！彼硎尽?/P>
他表示聯(lián)發(fā)科將會(huì)采用更高級(jí)的工藝技術(shù)，如20nm\16nm工藝技術(shù)，這些工藝技術(shù)有更好的漏電流，也可以實(shí)現(xiàn)更高的集成度?！半m然競爭對(duì)手號(hào)稱可以提供高集成度的射頻前端產(chǎn)品，但是對(duì)于SAW或者其他射頻器件還是因?yàn)楣に囋虿荒芗勺罱K還是要選用分立方案，所以聯(lián)發(fā)科的方案不會(huì)考慮集成射頻放大器等器件?！彼麖?qiáng)調(diào)?！拔覀兘o客戶提供一個(gè)既有集成又有自己價(jià)值體現(xiàn)的方案，這個(gè)價(jià)值體現(xiàn)就是我們基于經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)優(yōu)化，給用戶帶來便利。”
他表示FinFET晶體管有更好的電路特性，可以給電路帶來性能的提升，預(yù)計(jì)聯(lián)發(fā)科將于2015或者16年推出基于FinFET晶體管的產(chǎn)品。
陸國宏博士表示聯(lián)發(fā)科在模擬產(chǎn)品方面突出表現(xiàn)源于對(duì)模擬IC研發(fā)的投入和深入研究，上圖顯示了聯(lián)發(fā)科在國際四大知名會(huì)上上發(fā)表論文的情況。
陸國宏博士長期從事模擬設(shè)計(jì)，關(guān)于如何做好模擬設(shè)計(jì)，他提出的建議是模擬IC設(shè)計(jì)師向下看要了解材料技術(shù)和晶體管基礎(chǔ)，向上看則要了解系統(tǒng)，從系統(tǒng)角度理解IC設(shè)計(jì)，并指出其實(shí)數(shù)字IC也是模擬設(shè)計(jì)，其基礎(chǔ)都是模擬晶體管，所以學(xué)好模擬則數(shù)字IC設(shè)計(jì)并非難事。
下載文檔
