[導(dǎo)讀] 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli根據(jù)當(dāng)前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格動(dòng)蕩局面,以及最新的市場(chǎng)需求分析給出最新報(bào)告顯示,DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)已經(jīng)相對(duì)前期從低谷呈現(xiàn)復(fù)蘇狀況,而NAND閃存芯片市場(chǎng)也在此期間通過價(jià)格和市場(chǎng)需求作出重新調(diào)整
市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli根據(jù)當(dāng)前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格動(dòng)蕩局面,以及最新的市場(chǎng)需求分析給出最新報(bào)告顯示,DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)已經(jīng)相對(duì)前期從低谷呈現(xiàn)復(fù)蘇狀況,而NAND閃存芯片市場(chǎng)也在此期間通過價(jià)格和市場(chǎng)需求作出重新調(diào)整
iSuppli的分析報(bào)告在今年1月份下調(diào)過DRAM市場(chǎng)的營(yíng)收幅度狀況,而一直到今年6月份,DRAM芯片市場(chǎng)受到價(jià)格因素影響整體營(yíng)收下滑高達(dá)60%,不過到了7月份由于OEM需求市場(chǎng)訂單價(jià)格的提升,促使DRAM市場(chǎng)開始整體復(fù)蘇,DRAM價(jià)格也從六月末的谷底價(jià)格開始回升
同時(shí)DRAM芯片出貨略有下滑,不過現(xiàn)貨市場(chǎng)出貨量仍然很高,OEM市場(chǎng)則預(yù)計(jì)大概花費(fèi)3~4周時(shí)間會(huì)呈現(xiàn)抬升狀況
雖然目前我們看到DRAM芯片市場(chǎng)出貨供應(yīng)量在上升,不過其出貨量仍然低于芯片制造商在今年Q1,Q2的產(chǎn)能增長(zhǎng)率,同時(shí)制造商們也在轉(zhuǎn)產(chǎn)利潤(rùn)更高的NAND閃存芯片制造業(yè)務(wù),并且借助工藝升級(jí)開始轉(zhuǎn)入80納米制程技術(shù),對(duì)比DRAM芯片價(jià)格市場(chǎng),NAND閃存芯片市場(chǎng)的價(jià)格看起來更穩(wěn)定
NAND閃存芯片價(jià)格的持續(xù)走高原因在于今年Q2期間的閃存芯片需求量增長(zhǎng)高于產(chǎn)能供給量,而隨著DRAM芯片廠商將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)入NAND閃存芯片,接下來時(shí)間段的NAND閃存芯片價(jià)格可能會(huì)出現(xiàn)一定的下滑
今年三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體都已經(jīng)開始將其部分DRAM芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)入NAND閃存芯片制造,這在一定程度上將會(huì)壓縮DRAM芯片出貨需求量
不過由于市場(chǎng)需求仍然強(qiáng)勁,NAND閃存芯片市場(chǎng)價(jià)格仍然會(huì)保持比較高的水平線,并在今年大體保持一個(gè)比較平均的走勢(shì)

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(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)...
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消費(fèi)性
DRAM
智能手機(jī)
- 在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為L(zhǎng)PDDR(移動(dòng)端)內(nèi)存打開了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
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存儲(chǔ)
三星
NAND
DRAM
據(jù)韓媒報(bào)道,在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上,IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì),存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計(jì)來年三季度DRAM和NAN...
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SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。
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存儲(chǔ)芯片
半導(dǎo)體
DRAM
消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)的需求持續(xù)放緩之際,高通公司(Qualcomm)首席財(cái)務(wù)官Akash Palkhiwala正在考慮向該公司不斷增長(zhǎng)的汽車芯片業(yè)務(wù)配置多少資金。該公司預(yù)計(jì)2026年汽車芯片業(yè)務(wù)收入將超過40億美元,2031...
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高通
芯片市場(chǎng)
汽車芯片
QUALCOMM
韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士今日表示,該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品,該芯片將于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉,SK海力士當(dāng)天...
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SK海力士
閃存芯片
芯片
愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠,從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國(guó)市場(chǎng)深...
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SK海力士
晶圓廠
閃存芯片
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu),導(dǎo)致供應(yīng)商庫...
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TrendForce集邦咨詢
DRAM
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑 研究機(jī)構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
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DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機(jī)
據(jù)統(tǒng)計(jì),隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購(gòu),韓國(guó)企業(yè)三星+SK海力士合計(jì)占市場(chǎng)份額已經(jīng)超過50%。
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閃存
NAND閃存
三星
海力士
Aug. 29, 2022 ---- 由于過去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠(yuǎn)程教育需求增長(zhǎng),電子產(chǎn)品銷售暢旺,帶動(dòng)DRAM模組的出貨增長(zhǎng),據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì),2021年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷售額達(dá)181...
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TrendForce集邦咨詢
DRAM
8月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。
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三星
DRAM
面板
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四分之一至三分之一。存儲(chǔ)器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。盡管存儲(chǔ)器產(chǎn)品品類眾多,但從產(chǎn)品營(yíng)收貢獻(xiàn)的角度來看,DRAM和Flash(NAND、N...
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ReRAM
DRAM
NAND
JSR株式會(huì)社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進(jìn)程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進(jìn)的DRAM芯片。Inp...
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DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
EUV
新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存,將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高,面積最小的NAND閃存,并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持...
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SK海力士
NAND閃存
CE
LEVEL
(全球TMT2022年8月3日訊)SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存...
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SK海力士
NAND閃存
芯片
SSD
(全球TMT2022年6月9日訊)SK海力士宣布公司開始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ)器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合...
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DRAM
英偉達(dá)
SK海力士
HB