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[導(dǎo)讀]2010年, ASML將有5臺(tái)最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言,最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級(jí)存儲(chǔ)器廠商和2家頂級(jí)邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手,雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新

2010年, ASML將有5臺(tái)最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言,最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級(jí)存儲(chǔ)器廠商和2家頂級(jí)邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手,雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌,在設(shè)備出廠前,解決正在發(fā)生的問(wèn)題,并預(yù)測(cè)著各種可能發(fā)生的問(wèn)題及解決方案。

人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問(wèn)題已歷時(shí)數(shù)年,因?yàn)槠洳ㄩL(zhǎng)較目前的193nm縮短10倍以上,EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時(shí),延伸immersion技術(shù),用其它液體替代水,以及電子束曝光(EB)等技術(shù)也不斷被提入摩爾定律的延續(xù)日程。“ASML也曾經(jīng)通過(guò)收購(gòu)進(jìn)入EB領(lǐng)域,但克服速度的瓶頸很難,因此最終選擇了放棄。”ASML資深副總裁Bert Koek說(shuō)。通過(guò)改變液體延長(zhǎng)浸入式光刻到更小線寬的方案,也因?yàn)閷?duì)材料工藝研發(fā)投入的不確定性而在一年前宣布放棄。相信每一次的放棄對(duì)ASML來(lái)說(shuō)都是艱難的抉擇。

而今,EUV已成為ASML進(jìn)軍22nm的唯一賭注。

圖:在ASML的光刻Roadmap中,EUV將主導(dǎo)2011年的先進(jìn)技術(shù)

好在從光源,到光刻膠、掩膜版、鏡頭、真空系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,近年來(lái)ASML與它的供應(yīng)商們團(tuán)結(jié)奮進(jìn),都取得了不錯(cuò)的進(jìn)展。2009年9月Cymer 13.5nm光源的功率已從2008年底的20w提高到了75w,Burst Length從1mSec提高了到400mSec。為了達(dá)到2010年每小時(shí)60片的短期研發(fā)型產(chǎn)量目標(biāo),功率再增加一倍是完全需要的。

光刻膠的分辨率也已經(jīng)從2006年的40nm提高到了目前的30nm左右,明年的目標(biāo)是22-25nm。

掩膜版的缺陷數(shù)也從2007年的1000/wafer 提高到了低于100/wafter。這一數(shù)字已經(jīng)進(jìn)入DRAM和NAND可以接受的范圍,但要達(dá)到logic需要的1/wafer標(biāo)準(zhǔn),還有待進(jìn)一步努力。ASML研發(fā)副總Jos Benschop說(shuō),掩膜版將是EUV前進(jìn)途中最具挑戰(zhàn)的部分,不僅是技術(shù),從經(jīng)濟(jì)的角度看也是如此。畢竟所需要的數(shù)量太少,如何實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)低成本的量產(chǎn)絕對(duì)需要硬功夫。

據(jù)ASML介紹,2010年研發(fā)型EUV設(shè)備的價(jià)格將與浸入式光刻基本持平,而如果能成功提升速度到180WPH,達(dá)到量產(chǎn)可以接受的要求,價(jià)格還將有50%左右的提升,即達(dá)到6千萬(wàn)歐元左右。對(duì)ASML來(lái)說(shuō),這是“華山一條路”,不容退縮,也無(wú)可退縮。

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眾所周知,目前5nm及以下的尖端半導(dǎo)體制程必須要用到價(jià)格極其高昂的EUV光刻機(jī),ASML是全球唯一的供應(yīng)商。更為尖端2nm制程的則需要用到ASML新一代0.55 NA EUV光刻機(jī),售價(jià)或高達(dá)4億美元。

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