英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應用功率密度提升至新高度

【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅(qū)動和固態(tài)斷路器等。

ITECH重磅發(fā)布IT2705直流電源分析儀，重構(gòu)模塊化測試體驗

隨著測試需求不斷升級，多設備協(xié)同測試已成為常態(tài)，但隨之面臨的是接線繁瑣、設備不同步、操控復雜及測試效率低下等一系列問題。為應對這一挑戰(zhàn)，8月1日，ITECH艾德克斯正式發(fā)布全新模塊化產(chǎn)品——IT2705直流電源分析儀，面向研發(fā)驗證與產(chǎn)線集成測試場景，為半導體IC、電池、汽車電子、DC-DC電源模塊以及低功耗等行業(yè)帶來集成化、高效率的測試新體驗。

高拓訊達發(fā)布三模Wi-Fi 6芯片

Bourns 推出采用羰基粉末磁芯設計全新屏蔽式功率電感器系列具備高飽和電流能力

SRP4020T 系列具備高熱額定電流與屏蔽式結(jié)構(gòu)，提供低磁場輻射，滿足電力電子對效率與性能的需求

Bourns 全新屏蔽式功率電感器系列具有高溫升/飽和電流與低磁場輻射特性

Bourns 先進功率電感器設計提供卓越效能、效率與安全性，特別適用于負載點轉(zhuǎn)換器與數(shù)據(jù)中心環(huán)境

HOLTEK新推出TinyPowerTM低壓差HT75Rxx-1及HT75Rxx-7低靜態(tài)電流系列電源穩(wěn)壓IC

Holtek新推出新一代低靜態(tài)電流、低壓差線性穩(wěn)壓器HT75Rxx-1及HT75Rxx-7系列。針對低功耗應用設計，支持3.1V至30V的寬輸入電壓范圍，并提供2.1V至12.0V的多種固定輸出電壓選項，最大輸出電流可達150mA，輸出電容最小可支持1μF。適用于各式可攜式產(chǎn)品及有高輸出電壓精準度需求的應用，如電池供電設備、通信設備、音頻/視頻設備等。

HOLTEK新推出BA45F25752/62整合萬年歷及蜂鳴器驅(qū)動的感煙報警器MCU

Holtek新推出專為感煙報警器應用設計的Flash MCU - BA45F25752/BA45F25762，整合雙通道感煙偵測AFE、紅外/藍光LED驅(qū)動、萬年歷與蜂鳴器驅(qū)動等功能。相較于先前的BA45F5750/BA45F5760 系列，新增支持藍光LED發(fā)射、溫度補償與蜂鳴器驅(qū)動，特別適用于具備事件紀錄功能的感煙偵測報警器產(chǎn)品。

HOLTEK新推出HT32F61052 32-Bit M0+鋰電池充電器單片機

Holtek針對PD充電鋰電池產(chǎn)品，推出Arm? Cortex?-M0+ MCU HT32F61052，符合USB-PD 3.2規(guī)范并兼容Dual Role Port (DRP)雙向角色，內(nèi)建VCONN提供Type-C E-maker電源，允許最大48V/5A(240W) 功率，并支持3~6串的鋰電池保護，適合應用于PD應急啟動電源、PD便攜型充氣泵、PD工具電池包等。

Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二極管在提高效率的同時增強電絕緣性

這些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封裝，提供了低電容電荷和3.2 mm的較大最小爬電距離

Vishay最新工業(yè)級3/8英寸方形單匝金屬陶瓷微調(diào)器，優(yōu)化PCB上的布局

這些器件提供了便于手指設置的旋鈕選項，以及適合頂部和側(cè)面調(diào)節(jié)的多種引腳配置

新型瞬態(tài)抑制二極管將直流線路保護的箝位電壓降低多達15%

折回技術(shù)可保護PoE、服務器和工業(yè)電源中的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

新一代逐光IsCMOS像增強相機發(fā)布，國產(chǎn)高端科學成像設備再升級

在需要捕捉萬億分之一秒瞬間的尖端科研與工業(yè)領域，國產(chǎn)高端科學相機的性能天花板再次被刷新。近日，中智科儀（北京）科技有限公司（簡稱：中智科儀）逐光IsCMOS像增強相機全新升級。經(jīng)過兩年技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化，該設備核心性能上實現(xiàn)了多項突破性飛躍，其中納秒快門工作重頻提升至500KHz，較前代產(chǎn)品提升66%，皮秒級光學快門工作重復頻率飆升至50KHz，提升幅度高達400%。

英飛凌推出新型ID Key S USB，擴展其USB 令牌安全控制器產(chǎn)品組合，進一步提升其安全性與多功能性

【2025年7月24日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新型英飛凌ID Key系列，進一步擴展其通用串行總線（USB）令牌、加密狗、安全密鑰及其他基于硬件的鑒權(quán)應用場景。新推出的ID Key S USB是一款高安全且功能多樣的產(chǎn)品，專為各類USB及USB/NFC令牌設備與應用設計。ID Key S USB集成了英飛凌SLC38安全控制器的集高安全性、高性能及高可靠性, 并與USB橋接控制器合封在一個獨立模塊中，是一款獨特的系統(tǒng)級合封方案。

Bourns 推出其最小封裝尺寸 AEC-Q200 認證車規(guī)級厚膜電阻

CR01005A-AS 系列具備抗硫化特性，在高密度、緊湊型設計以及特定嚴苛環(huán)境中，提供優(yōu)異的節(jié)省空間與高可靠性的優(yōu)勢。

芯片架構(gòu)設計的關(guān)鍵要素包括哪些?

可以把芯片架構(gòu)理解為建筑設計圖，它描述了整個芯片的組織結(jié)構(gòu)和功能模塊，類似于房屋設計圖描繪了房間布局和各個功能區(qū)域。