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DIOFET系列新型雙通道器件（Diodes）

時(shí)間：2010-12-13 13:59:15

關(guān)鍵字： DIODES FET 器件雙通道

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[導(dǎo)讀]Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴(kuò)展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個(gè)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的控制MOSFET及一個(gè)專有DIOFET集成在一個(gè)SO8封裝中，為消費(fèi)類及工業(yè)應(yīng)用的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提

Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴(kuò)展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個(gè)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的控制MOSFET及一個(gè)專有DIOFET集成在一個(gè)SO8封裝中，為消費(fèi)類及工業(yè)應(yīng)用的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提供高效的解決方案。

低側(cè)DIOFET器件在一個(gè)芯片內(nèi)集成了一個(gè)功率MOSFET和反并聯(lián)肖特基二極管。DIOFET的典型RDS(ON) 值較低，能確保傳導(dǎo)損耗保持在最低水平，而其正向電壓 (VSD) 比同類MOSFET/肖特基解決方案低25%，因此在脈寬調(diào)制（PWM）死區(qū)時(shí)，通過(guò)體二極管把傳導(dǎo)損耗減至最低。此外，DMS3017SSD和DMS3019SSD內(nèi)的高側(cè)MOSFET具有低柵極電荷和快速開關(guān)功能，能把高側(cè)開關(guān)損耗減至最低。

憑借這些特性，DMS3017SSD和DMS3019SSD可在滿載狀態(tài)下提供94%的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)減少占板面積，并通過(guò)減少聯(lián)合封裝或外部貼裝肖特基二極管相關(guān)的寄生電感來(lái)改善電路設(shè)計(jì)。

在低于同類解決方案的工作溫度下，DMS3017SSD及DMS3019SSD同樣可提供這些性能。這些元件可在更低溫度下工作，有助提高可靠性，因?yàn)楫?dāng)MOSFET的結(jié)溫每降低10°C，負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器的壽命可靠性將增加一倍。

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