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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

時間：2009-01-16 20:56:23

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[導讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。

Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優(yōu)化。該器件 2-mil背面涂層可實現(xiàn)對 MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產(chǎn)生的電路短路。

此絕緣設計令該器件可用于具有非常嚴格的高度要求的應用，從而設計人員可靈活放置 MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應，由于無需路由至 PCB 上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。

20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS 時 0.043 Ω 至 4.5V VGS 時 0.037Ω 的低導通電阻范圍，且最大柵源電壓為 ±8 V。

目前，新型 Si8422DB 可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。

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